HUAXUANYANG HXY HTC4428AEOA713 双通道2A 超高速功率开关驱动器
发布时间：
2025-04-24
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRONIC）
型号：
HTC4428AEOA713
本数据手册详细介绍了HUAXUANYANG（华轩阳）推出的HTC4428AEOA713器件，这是一款双通道2A超高速功率开关驱动器。该芯片专为交换式电源、开关变换器及线路驱动器等应用场景设计，工作电压范围覆盖4.5V至25V，并具备宽温度适应能力。在技术特性方面，HTC4428AEOA713拥有低输出阻抗和高电容负载驱动能力，可承受高达5V的噪声尖峰，同时集成了锁存保护功能以及低至-10V的输入逻辑保护，确保了系统运行的稳定性与可靠性。此外，该产品符合RoHS标准，采用SOP-8封装形式。针对文中所述器件，HUAXUANYANG在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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华轩阳电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制，数码产品以及家电。其中，MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案，最多的时候，帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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现货平台 / 华轩阳电子 授权代理店
| 订货型号 | HTC4428AEOA713 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HTC4428AEOA713 | 品类 | 栅极驱动芯片 |
| 描述/说明 | 工作电压范围:4.5V-5.5V,最大输入负压:-5V,输出峰值电流:2A | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工作电压 | 4.5V-5.5V | 最大输入负压 | -5V |
| 输出峰值电流 | 2A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.3855
库存：
0
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| 订货型号 | LL4148 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | LL4148 | 品类 | 开关二极管 |
| 描述/说明 | 功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns | 封装/外壳/尺寸 | LL-34 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 直流反向耐压VR(V) | 75V | 平均整流电流IO(mA/A) | 200mA |
| 正向压降VF(V) | 1V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0223
库存：
0
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| 订货型号 | SD103AW | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | SD103AW | 品类 | 肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VR直流反向耐压(V) | 40V | 平均整流电流IO(A/mA) | 350mA |
| 正向压降VF(V) | 0.6V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0236
库存：
100
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| 订货型号 | LESD11LL5.0CT5G | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | LESD11LL5.0CT5G | 品类 | ESD二极管 |
| 描述/说明 | 极性:双向;通道数:1;反向截止电压(Vrwm):5V;IPP:4A;击穿电压(VBR):6V;钳位电压(VC)@Ipp:20V;CJ:0.35pF | 封装/外壳/尺寸 | DFN0603-2L |
| 最小包装量 | 15,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压（V） | 5V | IPP.Max(A) | 4A |
| 击穿电压VBR.Min（V） | 6V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0832
库存：
0
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| 订货型号 | 1N4007/SMAF | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | 1N4007 | 品类 | 通用二极管 |
| 描述/说明 | IF:1A,VR:1000V,VF:1.1V,IR:5uA,IFSM:30A | 封装/外壳/尺寸 | SMAF |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IF | 1A | VR | 1000V |
| VF | 1.1V | IR | 5uA |
| IFSM | 30A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HGG0402052R542P | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HGG0402052R542P | 品类 | 保护二极管 |
| 描述/说明 | IPP:4A,VRWM:5V,CJ:0.5pF,LINE:1通道,TYPE:Bi双向 | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-2L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IPP | 4A | VRWM | 5V |
| CJ | 0.5pF | LINE | 1通道 |
| TYPE | Bi双向 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2800
库存：
0
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| 订货型号 | PESD5V0U1UA | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | PESD5V0U1UA | 品类 | 双向ESD保护二极管 |
| 描述/说明 | 双向ESD保护二极管;VRWM(V):5V;VC(V):10V;CJ(pF):2.5pF;IPP(A):9A | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-2L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRWM(V) | 5V | VC(V) | 10V |
| CJ(pF) | 2.5pF | IPP(A) | 9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0375
库存：
0
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| 订货型号 | LESD8D12CT5G | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | LESD8D12CT5G | 品类 | ESD二极管 |
| 描述/说明 | 极性:双向;通道数:1;反向截止电压(Vrwm):12V;IPP:8A;击穿电压(VBR):13.3V;钳位电压(VC)@Ipp:17V;CJ:8pF | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-2L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压（V） | 12V | IPP.Max(A) | 8A |
| 击穿电压VBR.Min（V） | 13.3V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0526
库存：
0
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| 订货型号 | HLESD5Z3.3T1G | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HLESD5Z3.3T1G | 品类 | 静电和浪涌保护二极管 |
| 描述/说明 | IPP:11.2A,VRWM:3.3V,CJ:105pF,LINE:1通道,TYPE:Uni单向 | 封装/外壳/尺寸 | SOD-523 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| TYPE | Uni单向 | 通道数 | 1通道 |
| IPP | 11.2A | VRWM | 3.3V |
| CJ | 105pF | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0516
库存：
0
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| 订货型号 | 1N4148WT | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | 1N4148WT | 品类 | 开关二极管 |
| 描述/说明 | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns | 封装/外壳/尺寸 | SOD-523 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 直流反向耐压VR(V) | 75V | 平均整流电流IO(mA/A) | 150mA |
| 正向压降VF(V) | 1.25V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0277
库存：
0
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1N4148WT 在线购买 >>
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加工定制
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
立即提交 晶体回路匹配测试 >>
可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
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资料平台
| 数据手册 - 中文 |
HTC4428AEOA713 双通道 2A 超高速功率开关驱动器
2024/5/28
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HTC4428AEOA713 超高速功率开关驱动器
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HTC4428AEOA713 超高速功率开关驱动器
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COS4426SR 超高速功率开关驱动器
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| 数据手册 - 中文 |
HCOS4426SR 超高速功率开关驱动器
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HUAXUANYANG HXY COS4426SR双通道2A 超高速功率开关驱动器
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HUAXUANYANG HXY TC4428AEOA713 双通道2A 超高速功率开关驱动器
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| 数据手册 - 中文 |
HUAXUANYANG HXY TC4427AEOA713双通道2A 超高速功率开关驱动器
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| 数据手册 - 中文 |
TC4427AEOA713 双通道超高速功率开关驱动器 2A
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HCOS4426SR 双通道 2A 超高速功率开关驱动器
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HTC4427AEOA713 双通道 2A 超高速功率开关驱动器
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PT4115 LED恒流驱动器
2023/9/12
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NSI6602B-DSWR 高可靠性隔离双通道门驱动器
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| 数据手册 - 英文 |
INN700TK240B 725V GaN-on-Si 增强型功率晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
高速开关且低电容量 - 高阻断电压且低导通电阻 - 易于并联 - 易于驱动 - 符合RoHS标准
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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SiC功率MOSFET N沟道增强型HSCTW60N120G2
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SiC功率MOSFET N沟道增强型HSCTW60N120G2
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HSCTW40N120G2V SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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SiC功率MOSFET N沟道增强型 SCT20N170
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电子有限公司 SiC 功率 MOSFET N 沟道增强型 CI90N120SM
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SCT20N170AG SiC功率MOSFET N沟道增强型
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C2M0040120D SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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SiC功率MOSFET N沟道增强型SCTW60N120G2
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电子有限公司 SiC 功率 MOSFET N 沟道增强型 MDDG1C120R080K3
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HC2M0160120D SiC功率MOSFET N沟道增强模式
2024/1/2
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HXY50P06D P沟道增强型MOSFET
2023/12/8
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HXY120P03D P沟道增强型MOSFET
2023/12/8
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HXY80P03D P沟道增强型MOSFET
2024/7/17
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HD6751 P沟道增强型MOSFET
2024/7/17
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HD6365 P沟道增强型MOSFET
2023/12/8
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HD6359-F P沟道增强型MOSFET
2023/12/8
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HD6951 P沟道增强型MOSFET
2023/12/8
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HXY15P06D P沟道增强型MOSFET
2023/12/8
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LM2596 3A开关型降压稳压器
2024/4/16
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
连续电感电流导通模式的降压型LED恒流驱动器PT4115，内置功率开关，最大输出电流1.2A
华轩阳电子PT4115是一款连续电感电流导通模式的降压型LED恒流驱动器，用于驱动一个或多个LED灯串。PT4115工作电压从5.5V到30V，提供可调的输出电流，最大输出电流可达到1.2A。根据不同的输入电压和外部器件，可以驱动供高达数十瓦的LED。
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先积集成LTP850x应用笔记：专为小尺寸设计的单片振荡器/功率驱动器
先积集成LTP850x是专为小尺寸设计的单片振荡器/功率驱动器，用于隔离电源。文章介绍了其驱动特性及7种扩展应用电路，包括隔离正负电压输出、多电压输出、非隔离升压、隔离倍压输出、NMOS开关隔离驱动及高压转低压方案。
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以创新驱动能效：Melexis推出MLX91299硅基集成RC缓冲器，关键开关损耗降低50%，开启功率电子能效新篇章
Melexis推出全新保护器件产品线，首发产品MLX91299为硅基集成RC缓冲器。该器件能有效抑制高频振荡与电压瞬变，降低开关损耗达50%，提升系统稳定性，延长电动汽车续航里程。
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单通道低边栅驱动器——AiP44531、AiP44532
AiP44531/ AiP44532是一款应用广泛的功率开关控制器。可以直接驱动IGBT、功率MOSFET、继电器等功率开关。同时，他们的封装形式为SOT23-5，简单小巧，易于在电路板上布局和安装。
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SGM48536BQ用于MOSFET和IGBT功率开关的单路高速低侧栅极驱动器
SGM48536BQ是一款用于MOSFET和IGBT功率开关的单路高速低侧栅极驱动器。该器件可提供轨到轨驱动能力，且具有非常小的传播延迟（18.5ns，典型值）。SGM48536BQ采用独立输出架构。这种非对称驱动的独立输出结构能够提高器件对寄生米勒传导效应的免疫力，并降低地弹。
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牵引逆变器驱动用 小型、单面高散热性封装型功率模块 TRCDRIVE pack™
TRCDRIVE pack™是一款由ROHM Co., Ltd.开发的牵引逆变器驱动用小型、单面高散热性封装型功率模块。该模块具备低电感、低开关损耗特性，采用第四代SiC MOSFET，实现极高电流密度。其设计优化了内部布局，降低至5.7nH的电感值，同时提供多种尺寸和贴装图案选项，以满足不同需求。此外，罗姆还提供了两款评估套件（EVK），方便用户进行测试和应用验证。
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