SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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2026-01-04 华轩阳电子 数据手册 英文
本资料文档详细介绍了SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode的特性、优势、应用以及电气特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容、易于并联和驱动、抗闩锁等优点。适用于太阳能逆变器、开关电源、高压DC/DC转换器、电机驱动和脉冲功率应用等领域。文档中包含了最大额定值、电气特性、典型性能、封装尺寸和测试电路图等信息。
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华轩阳电子MOSFET选型表

选型表  -  华轩阳电子 华轩阳电子提供全面的MOSFET场效应晶体管选型,覆盖N沟道、P沟道、N+N双N沟道、P+P双P沟道、N+P复合沟道以及碳化硅场效应管等全品类。耐压范围涵盖20V至1700V,电流从0.1A至400A,导通电阻(RDS)最低至0.6mΩ,提供SOT-23、SOP-8、TO-252、DFN等多种封装。产品线既包含通用的消费级应用,也覆盖高性能、低内阻的工业级和汽车级(SiC)解决方案,可广泛满足电源管理、电机驱动、负载开关、逆变器等多样化电路设计需求。

产品型号
品类
类型
VDSS耐压(V)
ID电流(A)
RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
RDON(mR)
封装
应用等级
HXY2301AI
P型场效应晶体管
P沟道
20V
3A
87mΩ
25mR
SOT-23
民用级
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TNK(讯康)线大电流功率电感器选型表

选型表  -  TNK TNK(讯康)线大电流功率电感器选型:涵盖CLB、CEPH、CPQH系列,电感值0.008-220μH,饱和电流最高250A,温升电流最高34.4A。尺寸范围7.0-27.5mm,包含屏蔽及一体成型结构,适用于电源、DC-DC转换等大电流应用场景

产品型号
品类
L(mm)
W(mm)
H(mm)
电感范围 µH最小值
电感范围(µH)Lmax
额定电流-(A)Isat-min
额定电流-(A)Isat-max
额定电流-(A)Irms-max
额定电流-(A)Irms-min
CLB070605
大电流功率电感器
7
6.6
5.5
90
150
28
50
41
41
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KINCARRY(晶凯瑞)大功率TVS选型表

选型表  -  KINCARRY KINCARRY提供如下大功率TVS二极管选型,封装覆盖SOD-123FL、SMAG、SMBG、SMCG、DO-41/DO-15/DO-27、R-6。反向工作电压VRWM 5V-440V,峰值脉冲功率PD 200W-5000W,峰值脉冲电流IPP 0.5A-543A,含单向(A)与双向(CA)两种极性,工作结温-55℃~+175℃,适用于电源端口、通信接口、工业控制及汽车电子等浪涌保护场景。

产品型号
品类
封装
PD(W)
VRWM(V)Max
IR(µA)
IR@VR(V)
VBR(V)Min
IT(mA)
VC@IPP(V)
IPP(A)
Tj(℃)
SMF5.0A
大功率TVS
SOD-123FL
200
5
800
6.4
6.4
10
9.2
21.7
-55~+150
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品类:静电和浪涌保护二极管

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