SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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发布时间： 2026-01-04 品牌：华轩阳电子资料类型：数据手册语言：英文

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本资料文档介绍了HXY品牌的一款SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET。该器件采用宽禁带SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速开关等特点。它适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等应用。文档中详细列出了该器件的最大额定值、热特性、电气特性、门极电荷特性、反向二极管特性、开关特性、典型性能、封装尺寸以及注意事项。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册本资料详细介绍了HXY品牌SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode型功率MOSFET的特性、参数和应用。该产品采用宽禁带SiC技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速度切换等特点，适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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数据手册本资料介绍了一种宽禁带碳化硅（SiC）功率MOSFET，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速度开关等特性。该产品适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册本资料介绍了HXY品牌SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode产品，包括其特性、优势、应用领域、电气特性、热特性、开关特性等详细信息。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册本资料介绍了HXY品牌SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode产品，包括其特性、优势、应用领域、电气特性、热特性、封装尺寸等详细信息。

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数据手册本资料详细介绍了HXY品牌SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode型功率MOSFET的特性、优势、应用领域以及电气参数。该产品采用宽禁带SiC技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速度切换等特点，适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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数据手册本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET。该产品采用宽禁带SiC技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速度切换等特点，适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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数据手册该资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode器件。资料涵盖了产品的特性、最大额定值、电气特性、热特性、动态特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及注意事项等。

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数据手册本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的IPBE65R099CFD7AATMA1型号SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode器件。资料涵盖了该器件的特性和应用，包括其宽禁带SiC MOSFET技术、低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速开关特性，以及其在开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等领域的应用。

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数据手册本资料介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET。该产品采用宽禁带SiC技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速度切换等特点，适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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数据手册本资料介绍了一种SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode器件，具有高速开关、高阻断电压、低导通电阻等特点，适用于功率因数校正模块、开关电源、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器等领域。

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数据手册本资料介绍了一种SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode器件，具有高速开关、低电容、高阻断电压、低R DS(on)等特点，适用于功率因数校正模块、开关电源、逆变器、高压DC/DC转换器等领域。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册本资料详细介绍了HXY品牌650V SiC MOSFET的特性、参数和应用。产品采用宽禁带SiC技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速度开关等特性，适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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数据手册该资料详细介绍了HXY品牌SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode型功率MOSFET的特性、参数和应用。该产品采用宽禁带SiC技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速切换等特点，适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册该资料介绍了一种SiC功率MOSFET N-Channel增强型器件，具有第三代SiC MOSFET技术，优化封装设计，高阻断电压和低导通电阻，适用于可再生能源、电动汽车充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的SiC功率MOSFET N沟道增强型器件。资料涵盖了产品特性、电气特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸以及注意事项等内容。

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数据手册本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的SiC MOSFET器件，包括其特性、电气参数、热特性、开关特性、典型性能和应用领域。资料涵盖了产品的最大额定值、静态和动态特性、封装尺寸以及注意事项。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册本资料介绍了一种宽禁带碳化硅（SiC）功率MOSFET，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速度切换等特点。该产品适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册本资料主要介绍了一种SiC功率MOSFET N沟道增强型器件，包括其特性、优势、应用、电气特性、热特性、典型性能、测试电路、封装尺寸和注意事项。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关、易于并联和驱动等特点，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压DC/DC转换器、电机驱动和脉冲功率应用等。资料详细列出了器件的电气参数、热参数、典型性能曲线和封装尺寸，并提供了注意事项和警告。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册本资料详细介绍了某款碳化硅（SiC）功率MOSFET的特性、应用、电气特性、热特性、典型性能、封装尺寸和注意事项。该MOSFET具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关、易于并联和驱动等特点，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压DC/DC转换器、电机驱动和脉冲功率应用等。资料中包含了最大额定值、电气特性、热特性、典型性能曲线、封装尺寸和注意事项等内容。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册该资料介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的第三代SiC MOSFET技术产品，包括其特性、优势、应用领域和电气特性。产品具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关、快速体二极管等特点，适用于可再生能源、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器和开关电源等领域。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册本文介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司的一款SiC MOSFET产品，该产品采用第三代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性等。产品适用于电动汽车充电、服务器电源、太阳能光伏逆变器、不间断电源和DC/DC转换器等领域。

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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册该资料详细介绍了ELECTRONICS CO.,LTD生产的第三代碳化硅（SiC）功率MOSFET N-Channel增强型器件。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、快速体二极管和低反向恢复特性。资料还提供了产品特性、最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性、典型性能、封装尺寸和注意事项。

SiC功率MOSFET N沟道增强模式

数据手册该资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司的一款第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品。该产品采用优化的封装设计，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、快速恢复二极管等特性，适用于可再生能源、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器和开关电源等领域。

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IMBG65R020M2HXTMA1 SiC功率MOSFET

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IMBG65R033M2HXTMA1 SiC功率MOSFET

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IPD65R600E6ATMA1 SiC功率MOSFET N沟道增强型

数据手册本资料详细介绍了IPD65R600E6ATMA1型号的SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode器件，包括其特性、电气参数、热特性、封装尺寸等。该器件采用宽禁带SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速度切换等特点，适用于开关电源、可再生能源、车载充电器和高电压DC/DC转换器等领域。

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IPZA60R037P7 SiC功率MOSFET

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IPD65R1K0CEAUMA1 SiC功率MOSFET N沟道增强型

数据手册本资料详细介绍了HXY品牌SiC功率MOSFET N-Channel增强型器件的技术规格、特性、电气参数和应用领域。资料涵盖了产品的主要性能参数，包括最大额定值、静态特性、开关特性、热特性和封装尺寸等。

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NTH4L045N065SC1 SiC功率MOSFET

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IMBG65R048M1HXTMA1 SiC功率MOSFET N沟道增强型

数据手册本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的IMBG65R048M1HXTMA1型号SiC功率MOSFET的特性、参数和应用。该产品采用宽禁带SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和高速开关等特性，适用于开关电源、可再生能源和高压DC/DC转换器等领域。

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IMBG65R030M1HXTMA1 SiC功率MOSFET

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NVH4L040N120M3S SiC 功率MOSFET N沟道增强型

数据手册该资料详细介绍了NVH4L040N120M3S型碳化硅（SiC）功率MOSFET的特性、电气参数、热特性、典型性能和应用领域。该产品采用第三代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和快速体二极管等特点，适用于可再生能源、电动汽车充电器和高压DC/DC转换器等领域。

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NVH4L095N065SC1 SiC功率MOSFET

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华轩阳电子 - SIC POWER MOSFET,SIC功率场效应晶体管,NVH4L095N065SC1,电动汽车充电,服务器电源,SOLAR PV INVERTERS,不间断电源,EV CHARGING,UPS,太阳能光伏逆变器,DC/DC CONVERTERS,DC/DC转换器,SERVER POWER SUPPLIES

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TK110N65Z,S1F SiC功率MOSFET N沟道增强型

数据手册本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的TK110N65Z,S1F型号SiC MOSFET的特性、参数和应用。资料涵盖了产品的主要性能参数，包括最大额定值、热特性、电气特性、门极电荷特性、反向二极管特性、开关特性、典型性能、封装尺寸等，并提供了注意事项和使用建议。

华轩阳电子 - N通道增强模式,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE,SIC POWER MOSFET,SIC功率场效应晶体管,TK110N65Z,S1F,开关电源,可再生能源,高压DC/DC转换器,车载充电器

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华轩阳电子数字晶体管选型表

选型表 - 华轩阳电子华轩阳电子数字晶体管选型表提供如下参数，晶体管类型包括：PNP、NPN、NPN+NPN；集射极击穿电压:50V; 集电极电流：30mA~100mA；且有多种不同封装.

产品型号	品类	类型	集射极击穿电压	集电极电流	封装
DTA143ECA	数字晶体管	PNP	50V	100mA	SOT-23

立即选型

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华轩阳电子氮化镓晶体管选型表

选型表 - 华轩阳电子华轩阳电子氮化镓晶体管选型表提供如下参数，ID：10A~17A；VDSS：650V；RDON：100mR~160mR；多种不同封装：DFN8X8、DFN5X6、LSON-8-1(8x8).

产品型号	品类	ID	VDSS	RDON	VGS	TYPE	封装
HCG65140DAA	氮化镓晶体管	17A	650V	100mR	-1.4~+7V	N沟道	DFN8X8

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华轩阳电子光电耦合器选型表

选型表 - 华轩阳电子华轩阳电子光电耦合器选型表提供如下参数，输入电压类型：DC；输出类型：光电三极管；正向电压：1.15V~ 1.35V；输出电流：50mA~ 80mA；多种不同封装：SMD-4P、DIP-4、SOP-4.

产品型号	品类	输入电压类型	输出类型	正向电压	输出电流	反向电压	总功耗	上升时间	下降时间	工作温度	封装
PC817C-SMD-4P	晶体管输出光耦	DC	光电三极管	1.2V	50mA	6V	200mW	18us	18us	-55℃~+110℃	SMD-4P