SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
发布时间:
2026-01-04
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRONIC)
型号:
IPW65R035CFD7AXKSA1
本数据手册详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode IPW65R035CFD7AXKSA1产品。该器件基于先进的宽禁带SiC MOSFET技术,具备低导通电阻、高阻断电压、低电容及高速度切换等优异特性。资料内容涵盖产品的最大额定值、热特性、电气特性、门极电荷特性、AC特性、反向二极管特性、开关特性、典型性能及封装尺寸等关键参数,为工程师设计提供了全面参考。此外,该产品符合无卤素及RoHS环保标准,且具有低反向恢复电荷优势,广泛应用于交换模式电源、可再生能源系统、车载充电器及高压DC/DC转换器等领域。HUA XUAN YANG ELECTRONICS在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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华轩阳电子官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRON)
华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRON)是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理,电源管理,电机控制,数码产品以及家电。其中,MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案,最多的时候,帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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| 订货型号 | IPW65R035CFD7AXKSA1 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | IPW65R035CFD7AXKSA1 | 品类 | 碳化硅场效应管 |
| 描述/说明 | ID:99A,VDSS:650V,RDON:26mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 30 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ID | 99A | VDSS | 650V |
| RDON | 26mR | VGS | -10/+25V |
| TYPE | N沟道 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
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价格:
¥19.4118
库存:
0
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IPZA60R037P7 SiC功率MOSFET
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IPD65R600E6ATMA1 SiC功率MOSFET N沟道增强型
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TK110N65Z,S1F SiC功率MOSFET N沟道增强型
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HXYS5N170MP SiC功率MOSFET
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IMBG65R048M1HXTMA1 SiC功率MOSFET N沟道增强型
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IMBG65R026M2HXTMA1 SiC功率MOSFET
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NVH4L040N120M3S SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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STD11NM65N SiC功率MOSFET N沟道增强型
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UF3C065040K4S SiC功率MOSFET
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C3M0045065J1-TR SiC功率MOSFET N沟道增强型
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IMZA65R057M1HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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R6509KND3TL1 碳化硅功率MOSFET
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电子有限公司 SiC 功率 MOSFET N 沟道增强型 NVH4L080N120SC1
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