China RoHS PSMN8R7-80PS
发布时间：
2018-07-07
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PSMN8R7-80PS
本资料为Nexperia公司关于特定元器件PSMN8R7-80PS符合China RoHS指令的合规性声明。文件详细列出了该器件各部件中有毒有害物质的具体含量，明确指出所有均质材料中的有害物质浓度均低于SJ/T11363-2006标准规定的限量要求，确保产品满足严格的环保法规。此外，资料还特别说明Nexperia全线产品均具有50年的环保使用期限，并对相关信息的准确性、免责条款及产品可能存在的偏差进行了详尽阐述，为用户在绿色电子设计与制造中提供可靠的数据支持。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
TO-220中的N沟道80 V 8.7 mΩ标准级MOSFET
Rev. 02
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN8R7-80PS
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN8R7-80PS
2018/09/05
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN8R7-80PS
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
11 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
30/5/2017
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
02/3/2016
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
2/3/2016
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
2/3/2016
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
21/11/2017
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热网（Foster）
21/11/2017
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热网（Foster）
10/6/2014
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热网（Foster）
21/3/2016
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| 技术文档 - 英文 |
热网（Foster）
2/11/2015
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道80 V 8.7 mΩ标准电平MOSFET，采用d2PAK封装
Rev. 2
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
11 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
NXP功率开关MOSFET在紧凑型QFN3333封装更小。更快。冷却器。3.3 x 3.3 mm QFN封装中的30 V沟道6 MOSFET
May 2010
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| 数据手册 - 英文 |
NextPower 100 V、9 mΩN沟道MOSFET，采用LFPAK56封装
1 November 2017
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R8-40YSD热RC网络（Foster）SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
用于电源管理的十种新型高性能mosfet
February 2009
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道逻辑电平沟槽MOSFET（TrenchMOS(TM)）晶体管PSMN005-55P
October 1999
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN8R7-80PS
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN8R7-80PS
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN8R7-80PS
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R7-40YLD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
Power-SO8封装中的新型沟道6 MOSFET
January 2010
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| 数据手册 - 英文 |
采用NextPowerS3+技术的LFPAK33中的PSMN1R6-30MLH N沟道30 V、1.6 mΩ逻辑电平MOSFET
15 January 2018
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R8-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
12 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R6-30MLH N沟道30V、1.9毫欧姆、160A逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术，2019年11月12日产品数据手册。
12 November 2019
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R5-25MLH热网（Cauer）热工设计模型
10 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
February 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN9R0-30YL
Rev. 04
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| 测试报告 - 英文 |
PSMN8R7-80PS化学成分
2019/01/07
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R5-40YSD热RC网络（Cauer）SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
2019年2月
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN8R0-30YL N沟道8.3毫欧姆30V沟槽MOS逻辑电平场效应晶体管在LFPAK封装Rev. 2 — 2011年5月16日产品数据手册
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN8R7-80BS
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN8R7-80BS
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN8R7-80BS
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R5-25MLH热阻RC网络（Foster）SPICE热阻模型
10 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R7-40YLD N沟道增强型MOSFET 产品数据表
2019-08-27
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸，提供高功率密度，可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准，具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET，提供行业领先的功率密度。相比D²PAK，LFPAK88具有60%的尺寸减少，2倍的高连续电流额定值，卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用，包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级，提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET？
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用于电源管理应用的TO220封装的新型高性能沟槽6 MOSFET
NXP公司推出新型Trench 6 MOSFET，采用TO220封装，适用于电源管理应用。新系列包括60V和100V两种电压等级，提供低导通电阻、高效率和低热阻等优势。产品适用于电源OR-ing、电机控制、DC-DC转换器等应用，旨在提高电源管理应用的性能和效率。
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采用功率MOSFET设计时的浪涌电流管理具有增强SOA的ASFET
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LFPAK88 半导体
安世半导体推出的LFPAK88 MOSFET采用创新8x8mm管脚尺寸，实现更高的功率密度，有效替代D²PAK。该产品具备2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性，空间效率达60%。产品符合汽车AEC-Q101和工业等级标准，适用于多种应用场景。
- 采用8x8mm管脚尺寸，提升功率密度。
- 连续电流额定值超过2倍于D²PAK。
- 具备卓越的热性能和可靠性。
- 符合汽车AEC-Q101和工业等级标准。
- 应用于汽车、系统、DC/DC转换器和LED照明等领域。
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PSMN3R5-80YSF SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN3R5-80YSF的元器件的热阻网络（Foster）SPICE模型。模型包括从结点到安装基座的热阻参数，以及相关条件下的最小、典型和最大值。资料中还包含了模型的符号、参数和单位。此外，资料注明了资料版权信息，并声明了信息准确性和版权保护。
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PSMN3R5-80YSF SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN3R5-80YSF的元器件的热阻网络（Cauer）SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）以及四个热电容参数（Cth1, Cth2, Cth3, Cth4）。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，并提供了单位。资料还包含版权声明和免责条款。
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