SF24C512-WSH-IR PcbLib & SchLib & IntLib
发布时间:
2025-05-15
类型:
CAD模型库,封装模型库、3D模型库
品牌:
舜铭存储(Smart Memories)
型号:
SF24C512-WSH-IR
舜铭存储官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是舜铭存储的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供舜铭存储的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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基于新型铁电存储(FRAM)工艺设计并生产存储类芯片的全球领先存储芯片供应商——舜铭存储
无锡舜铭存储科技有限公司是一家有着领先新型存储技术的片设计企业,在美国湾区设有设计中心,上海设有材料研发中心。公司以技术为先导,发明专利申请80多项,实用新型4件,获得授权31项。
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| 订货型号 | SF24C512-WSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF24C512 | 品类 | Ferroelectric Random Access Memory |
| 描述/说明 | The SF24C512 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 65,536 words × 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Interface | I²C Interface | Device density | 512Kb |
| Operating voltage | 1.7~5.5V | Capacity | 65,536 words × 8bit |
| Operating frequency | 1MHz | Operating current | 0.5mA (typical @1 MHz) |
| Standby current | 1μA (typical condition) | Endurance | 6E8 times / byte (typical condition) |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
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价格:
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| 订货型号 | SF25C20-NWH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C20 | 品类 | 铁电存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM 芯片(铁电随机存取存储器)配置为 262,144×8 位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于 1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH 和EEPROM,且不会像 FLASH 或 EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 95 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压范围 | 2.7V~3.6V | 接口类型 | SPI接口(模式0和模式3) |
| 工作频率 | 25兆赫兹 | 功耗 | 4.8毫安(25兆赫兹) |
| 低功耗 | 9微安(待机) | 工作环境温度范围 | -40℃至85℃ |
| 高速读特性 | 支持40MHz高速读命令 | ||
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世强先进(深圳)科技股份有限公司
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| 订货型号 | SF25C20-NWH-IT | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C20 | 品类 | 铁电随机存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为262,144×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工作电压 | 2.7~3.6V | 工作频率 | 25NHz |
| 功耗 | 4.8mA(25MHz) | 低功耗 | 9uA(待机) |
| 容量 | 2M bit | ||
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1
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| 订货型号 | SF25C20-MSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C20 | 品类 | 铁电随机存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为262,144×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 150mil |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工作电压 | 2.7~3.6V | 工作频率 | 25NHz |
| 功耗 | 4.8mA(25MHz) | 低功耗 | 9uA(待机) |
| 容量 | 2M bit | ||
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0
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| 订货型号 | SF24C64-NSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF24C64 | 品类 | Ferroelectric Random Access Memory |
| 描述/说明 | The SF24C64 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 8,192words × 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Capacity | 8,192 words × 8bit | Operating voltage | 1.7V to 5.5V |
| Operating frequency | 1MHz | Operating current | 0.5mA (typical @1 MHz) |
| Standby current | 1μA (typical condition) | Endurance | 6E8 times / byte (typical condition) |
| Data retention | 10 years @ 85°C (>200 years @ 25°C) | ||
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20
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| 订货型号 | SF24C64-WSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF24C64 | 品类 | Ferroelectric Random Access Memory |
| 描述/说明 | The SF24C64 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 8,192words×8bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Device densit | 64Kb | Endurance | 6E8 times / byte (typical condition) |
| Operating voltage | 1.7~5.5V | Green Standard | RoHS Compliant |
| Device Grade | Industrial Grade | Capacity | 8,192 words × 8bit |
| Operating frequency | 1MHz | Operating current | 0.5mA (typical @1 MHz) |
| Standby current | 1μA (typical condition) | ||
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¥0.0000
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| 订货型号 | SF25C128-NSH-CT | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C128 | 品类 | 铁电随机存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为16,384×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | 工作频率 | 25MHz |
| 功耗 | 4.2mA(25MHz) | 待机低功耗 | 9uA |
| 容量 | 128KB | ||
授权代理商:
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世强自营,
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0
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| 订货型号 | SF25C128-NSH-IT | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C128 | 品类 | 铁电随机存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为16,384×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | 工作频率 | 25MHz |
| 功耗 | 4.2mA(25MHz) | 容量 | 128KB |
| 待机低功耗 | 9uA | ||
授权代理商:
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0
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世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IT样品申请服务,支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试;样品将由原厂审核,世强协助申请,物流全程可追踪,助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IT批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IT交期查询服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
SF25C128-NSH-IT 交期查询 >>
世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IT期货订购服务,可提前预定产能;签订期货协议后,平台将按约定时间节点保障交付,降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | SF25C128-NSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C128 | 品类 | 铁电存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为16,384×8 位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH 和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压范围 | 2.7V~3.6V | 接口类型 | SPI接口(模式0和模式3) |
| 功耗 | 4.2毫安(25兆赫兹) | 工作环境温度范围 | -40℃至85℃ |
| 工作频率 | 25兆赫兹 | 低功耗 | 9微安(待机) |
| 高速读特性 | 支持40MHz高速读命令 | ||
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原厂认证
价格:
库存:
0
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世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IR批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IR交期查询服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
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世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IR期货订购服务,可提前预定产能;签订期货协议后,平台将按约定时间节点保障交付,降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | SF25C128-NSH-CR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C128-NSH-CR | 品类 | 铁电存储器 |
| 描述/说明 | SPI Interface;128Kb Density;25MHz,支持40MHz高速读命令 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压范围 | 2.7V~3.6V | 待机功耗 | 9uA |
| 工作温度范围 | -25℃~60℃ | ||
授权代理商:
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商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
0
世强硬创平台提供SF25C128-NSH-CR在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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资料平台
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SF24C512铁电随机存取存储器
V1.0
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SF24C64铁电随机存取存储器
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SF25C128 SPI 接口铁电随机存储器 (FRAM)
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SF25C128-C SPI 接口铁电随机存储器(FRAM)
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技术论坛
1、存储器:舜铭存储 SF25C32
2、时差测量:瑞盟科技 MS1022
3、门电路缓冲器:安森美 NC7WZU04P6X
4、八通数模转换:瑞盟科技 MS5268
5、门电路缓冲器:安森美 NC7WZU04P6X(需要国产替代,购买整晶圆)
这几款看您们代理,是否可以买整晶圆呢?国产的。第5也需要替代,买晶圆,过裸芯都可以。另外STM32U575XX,这个也要国内替代,买整晶圆。这款MCu,Adc是1个14位,1个12位,可以用3个及以上的Adc替代。
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
新型FRAM可用于AI硬件加速器的新型高速缓存
人工智能(AI)应用中,新型存储器相关的研究正在不断深入,在AI加速器等方向有很多顶尖研究团队。最近美国佐治亚理工大学的Shimeng Yu教授团队在2024年1月的顶级期刊-自然-自然综述杂志上面,介绍了用于人工智能硬件加速器的新兴高速存储器的最新进展。其中对于铁电存储器技术在该方面的应用也进行了重点的讨论。本文中舜铭存储来与大家分享该期刊论文中的重点内容。
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【产品】舜铭新型FRAM采用High-K材料,实现3D架构,具备低功耗及更优读写性能优势
铁电随机存取存储器利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的两大功能特性。舜铭存储的新型铁电存储器可以在大多数应用场景中取代中小容量的传统存储器,在提供更优的读写性能以及更低功耗的同时,提供更高的性价比。
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FRAM使用介绍
本文介绍了FRAM(铁电随机存取存储器)的基本概念、应用、特性以及解决方案。主要内容包括FRAM的非易失性、高读写耐久性、快速写入速度和低功耗等特性,以及FRAM在汽车、工业、基础设施、商业和消费电子等领域的应用案例。此外,文章还分析了FRAM在满足不同应用需求方面的优势,并提供了针对客户问题的解决方案。
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铁电随机储存器 FRAM 产品介绍
本文介绍了FRAM(铁电随机存取存储器)的技术特点和应用。FRAM具有非易失性、快速读写、低功耗等优点,适用于各种存储应用。文章详细比较了FRAM与EEPROM、FLASH等存储器的性能差异,并介绍了FRAM在RFID、物联网等领域的应用。此外,文章还介绍了Fujitsu半导体公司生产的FRAM产品及其技术规格。
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FUJITSU Semiconductor FRAM 产品介绍
富士通半导体有限公司提供基于铁电随机存取存储器(FRAM)的存储产品,具有高质量和高可靠性。自1999年开始量产FRAM产品以来,富士通已向全球50多个国家的客户提供了超过200种应用的产品。FRAM产品适用于消费、工业和医疗等领域,包括IC卡、打印机、电力计量表、工业机械、医疗RFID标签、可穿戴设备、工业机器人和无人机等。富士通还提供基于FRAM的解决方案,如RFID LSI和认证LSI,以及电池无线解决方案。FRAM具有快速写入速度、高读写周期耐久性和低功耗等优势,适用于需要连续重写、实时记录和数据鲁棒性的应用。
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舜铭新发布高性能铁电存储器SF25C20-M,具有262144x8bit的配置,待机功耗低至1μA以下
舜铭存储欣然推出全新高性能铁电存储器SF25C20-M,待机功耗低至1μA以下,读写次数达到10的11次方(-40℃~85℃),可为电力、仪表,工业控制、车载及可穿戴设备等应用场景提供高可靠性及低功耗的存储解决方案。
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【视频】从工控、储能、车载TBOX等市场介绍舜铭存储的FRAM产品及应用
舜铭存储作为全球领先的新型铁电存储器龙头企业,采用HIGH-K材料量产FRAM芯片,实现110nm工艺量产,是全球第一家量产铁电存储芯片的公司。公司产品得到广泛认可,销售额超过千万级别。舜铭存储通过材料技术创新和存储器架构创新,解决了传统铁电存储器的成本、密度和产线污染问题。产品形式包括铁电存储模块、铁电存储颗粒等,应用于打印耗材、智能楼宇控制、车载TBOX、工业控制等领域,市场前景巨大。
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舜铭存储率先推出110nm新型铁电存储器工艺技术,面积缩小约40~60%,性能大幅度提升
舜铭存储联合国内有着领先半导体特色工艺的供应商积塔半导体合作开发,于2023年12月成功推出国内首款110纳米技术的新型铁电存储器产品。与现有技术相比,新产品面积缩小约40%~60%,性能大幅度提升。
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公司及新型存储器产品介绍
舜铭存储公司专注于新型铁电存储器研发与销售,拥有多项专利技术,产品涵盖小至4Mb以下、中至8Mb-256Mb、大至Gb级别市场。公司通过材料技术创新和存储器架构创新,实现高密度、低成本、低功耗,满足消费级、工控级等不同应用需求。舜铭存储产品已广泛应用于5G通信、工控仪表、可穿戴设备、工业4.0、网络设备等领域。
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