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PMDPB70EN 30 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 — 25 April 2012 Product data sheet
发布时间: 2025-07-13
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PMDPB70EN
本产品数据手册详细介绍了NXP Semiconductors推出的PMDPB70EN器件,这是一款采用Trench MOSFET技术的30V双N通道MOSFET。该器件具备高速开关特性,提供4.5A的漏极电流和46mΩ的导通电阻,并采用超薄小型DFN2020-6(SOT1118)表面贴装塑料封装,尺寸仅为2 x 2 x 0.65mm。其设计包含裸露的漏极焊盘,显著提升了热传导性能,非常适合对空间和散热有严格要求的场景。主要应用领域涵盖便携式设备的充电开关、DC-DC转换器、小型无刷直流电机驱动,以及硬盘和计算机的电源管理系统,特别适用于电池驱动的便携式设备电源管理方案。NXP在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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加工定制
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
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数据手册 - 英文
PMDPB70EN 30V,双N沟道沟道MOSFET
Rev. 1
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测试报告 - 英文
PMDPB70EN型产品可靠性调查结果
2017/12/29
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数据手册 - 英文
20v,双N沟道沟道MOSFET
Rev. 1 — 26 April 2012
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20v,双N沟道沟道MOSFET
28 June 2016
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20v,双N沟道沟道MOSFET
1 July 2015
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20v,双N沟道沟道MOSFET
6 July 2012
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PMDPB56XN 30V,双N沟道沟槽型MOSFET 修订版1 — 2012年5月16日 产品数据手册
Rev. 1 — 16 May 2012
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PMGD175XN 30V,双N沟道沟道MOSFET
Rev. 1
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PMGD175XN 30V,双N沟道沟道MOSFET
Rev. 1
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20v,800ma双N沟道MOSFET
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20V双N沟道沟槽型MOSFET
v.1
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NX3020NAKS-Q - 30V,双N沟道沟槽型MOSFET
v.1
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60v,双N沟道沟道MOSFET
30 June 2015
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60v,双N沟道沟道MOSFET
12 May 2015
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60v,双N沟道沟道MOSFET
Rev. 1
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60v,双N沟道沟道MOSFET
15 June 2016
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60v,双N沟道沟道MOSFET
15 June 2016
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30v,双N沟道沟道MOSFET
17 March 2017
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30v,双N沟道沟道MOSFET
15 April 2016
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30v,双N沟道沟道MOSFET
25 March 2015
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30v,双N沟道沟道MOSFET
14 June 2016
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30v,双N沟道沟道MOSFET
19 April 2016
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2N7002PV 60 V、350 mA双N沟道Trench MOSFET
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PMDPB42UN 20V,双N沟道MOSFET
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PMDPB42UN 20V,双N沟道MOSFET
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PMDPB56XN30V,双N沟道沟道MOSFET
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2N7002AKRA-Q 60V,双N沟道沟槽型MOSFET
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BSS138AKRA-Q 60V,双N沟道沟槽型MOSFET
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60v,340ma双N沟道MOSFET
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60v,320ma双N沟道MOSFET
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60v,320ma双N沟道MOSFET
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30v,200ma双N沟道MOSFET
29 October 2013
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30v,180ma双N沟道MOSFET
11 November 2013
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PMDPB28UN 20V,双N沟道沟道MOSFET
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60v,300ma双N沟道MOSFET
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PMDPB95XNE 30V双N沟道MOSFET
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PMDPB95XNE 30V双N沟道MOSFET
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30v,350ma双N沟道MOSFET
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30v,400ma双N沟道MOSFET
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PMDPB38UNEN 20V双N沟道MOSFET
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2N7002BKV 60V,340mA双N沟道沟槽型MOSFET
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2N7002BKS 60V,300mA双N沟道沟槽型MOSFET
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2N7002PS 60 V、320 mA双通道N沟道Trench MOSFET
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2N7002HS 60 V双通道N沟道Trench MOSFET产品数据手册
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2N7002PV 60 V,350 mA N沟道MOSFET
Rev. 1
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【产品】DFN3X3封装40V双N沟道PowerTrench MOSFET芯片RMD7N40DN
丽正国际推出的RMD7N40DN是一款MOSFET芯片,包含两个40V的N沟道MOSFET,并且采用DFN3X3(3 mm X 3 mm MLP)封装,该封装经过增强,具有出色的散热性能。在环境温度为25°C时,RMD7N40DN漏源电压最大额定值为40V,栅源电压最大额定值为±20V,漏极连续电流最大额定值为7A,工作时结温和储存温度范围为-55~+150℃。
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新型CCPAK双脉冲评估板功率氮化镓FET
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