PMDPB70EN 30 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 — 25 April 2012 Product data sheet
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PMDPB70EN 30V,双N沟道沟道MOSFET
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PMDPB70EN型产品可靠性调查结果
2017/12/29 - 测试报告 本资料为产品类型PMDPB70EN的可靠性调查结果,时间范围为2013年第四季度至2014年第三季度。报告详细列出了各种可靠性测试,包括高温反向偏置(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)、温度循环(TC)、高湿度高温度反向偏置(H3TRB)等,以及相应的测试条件、持续时间、数量和不良品数量。此外,还计算了故障率(FIT)和平均故障间隔时间(MTBF)。
NEXPERIA - PMDPB70EN
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16 May 2012 - 数据手册 本资料介绍了NXP Semiconductors公司生产的PMDPB56XN型30V双N沟道Trench MOSFET产品。该产品采用Trench MOSFET技术,具有快速开关特性,适用于便携式设备的充电开关、DC-DC转换器和小型无刷直流电机驱动等领域。产品采用小型无引脚超薄DFN2020-6(SOT1118)表面贴装塑料封装,具有出色的热传导性能。
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13 September 2011 - 数据手册 本资料为Nexperia公司生产的PMDT290UNE型20V、800mA双N沟道 trench MOSFET的产品数据手册。该产品采用超小型扁平引脚SOT666表贴塑料封装,采用 trench MOSFET技术,具有快速开关、ESD保护高达2kV等特点,适用于继电器驱动、低边负载开关、高速线路驱动和开关电路等应用。
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20V双N沟道沟槽型MOSFET
26 September 2012 - 数据手册 本资料介绍了NXP Semiconductors公司生产的PMDPB38UNE 20 V双N通道沟槽MOSFET产品。该产品采用沟槽MOSFET技术,具有快速开关特性,适用于便携式设备的充电开关、DC-DC转换器、小型无刷直流电机驱动等领域。
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26 April 2012 - 数据手册 本资料介绍了NXP Semiconductors公司生产的PMDPB28UN型20V双N通道沟槽MOSFET。该产品采用Trench MOSFET技术,具有快速开关特性,适用于便携式设备的充电开关、DC-DC转换器和小型无刷直流电机驱动等领域。产品采用小型无引脚超薄DFN2020-6(SOT1118)表面贴装塑料封装,具有优异的热传导性能。
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查看更多版本领晨科技小信号MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Polarity
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PD(W)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(th)Min(V)
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VGS(th)Max(V)
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RDS(on)Max(mΩ)
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Package
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LT2N7002T
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小信号MOSFET
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N
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0.15
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60
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±20
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0.115
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1
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2.5
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7500
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SOT-523
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SEMTECH ST小信号MOS管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供小信号MOS管选型:采用SOT-26/SOT-363/SOT-563共3种贴片封装形式,提供N沟道和P沟道互补对管(N+P)配置,全部型号集成ESD保护功能。漏源电压VDS覆盖20V至60V(N+P互补配置;最大漏极电流ID范围为0.16A至1.5A;栅源阈值电压VGS(th)低至0.4V至2.5V;导通电阻RDSon@10V最大值为165mΩ至6000mΩ;导通电阻RDSon@4.5V最大值为127mΩ至7000mΩ。具有超低阈值电压、低导通电阻、高开关速度、内置ESD保护等特点,广泛应用于物联网设备、可穿戴设备、消费电子、传感器接口、电池供电设备、便携式仪器等对空间和功耗要求严苛的小信号处理场景。
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产品型号
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品类
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封装
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Technology
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Polarity
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ESD Protection
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VDS(V)
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ID Max (A)@Ta=25℃
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VGS(th) Min
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VGS(th) Max
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RDSon@4.5V Max(mΩ)
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SMD02C450UK
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小信号MOS管
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SOT-26
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Trench
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N+P
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ESD Protection
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20/-20
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N:1.2
P:0.8
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0.4
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1
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N:180
P:450
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