A5G35S008N Airfast RF Power GaN Transistor
发布时间：
2025-07-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
NXP（恩智浦）
型号：
A5G35S008N
本资料介绍了NXP Semiconductors公司生产的A5G35S008N Airfast射频功率GaN晶体管。该晶体管适用于覆盖3300至3800 MHz频率范围的蜂窝基站应用，具有高终端阻抗、低复杂度线性化系统设计、通用宽带驱动器等特点，适用于大规模MIMO有源天线系统。
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加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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A5G35S008N AirFast射频功率氮化镓晶体管
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A3G26H350W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据
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MRF24G300HS MRF24G300H射频功率氮化镓晶体管技术数据
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A2G22S160-01S蜂窝用AIRBASTRF功率氮化镓
May 2015
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A3G18D510-04S射频功率氮化镓晶体管数据表
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MMRF5014H 125瓦连续波，50伏氮化镓对SiCRF功率晶体管飞思卡尔介绍
November 2014
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A3G26H501W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据
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A3G23H500W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据
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A3G26H502W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据
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A3G26H200W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据
03/2020
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A5G38H055N Airfast 射频功率氮化镓晶体管
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A5G21H605W19N Airfast 射频功率氮化镓晶体管
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A3G18H500-04SR3射频功率氮化镓晶体管技术数据
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MMRF5014H射频功率氮化镓晶体管技术数据
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A3G20S350--01S射频功率氮化镓晶体管技术数据
08/2020
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A5G26H606W19N Airfast 射频功率氮化镓晶体管
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A5G19H605W19N Airfast 射频功率氮化镓晶体管
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A6G35S006N Airfast 射频功率氮化镓晶体管
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A5G08H800W19N Airfast 射频功率氮化镓晶体管
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A2G22S160-01SR3射频功率氮化镓晶体管技术数据
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A5G26S008N AirFast射频功率氮化镓晶体管
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A5G26S008N AirFast射频功率氮化镓晶体管
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射频功率氮化镓晶体管
2025/06/27
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射频功率氮化镓晶体管
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射频功率氮化镓晶体管
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射频功率氮化镓晶体管
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射频功率氮化镓晶体管
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射频功率氮化镓晶体管
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射频功率氮化镓晶体管
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A5G26S004N AirFast射频功率氮化镓晶体管产品数据表
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A5G26H110nAirFast射频功率氮化镓晶体管
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A5G37H110N AirFast射频功率氮化镓晶体管
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A2G22S190--01SR3射频功率氮化镓晶体管技术数据
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应用/方案
资料表 32T/64T DMS 产品 - 用于5G电信基础设施的氮化镓离散mMIMO解决方案
NXP推出了一系列GaN离散mMIMO解决方案，适用于5G电信基础设施中的64T64R和32T32R无线电单元配置。这些解决方案包括峰值功率达47.4 dBm（55 W）和50.4 dBm（110 W）的GaN器件，采用NXP在亚利桑那州钱德勒的GaN工厂开发的专有RF GaN技术。产品特点包括高效率、低内存RF GaN技术以及跨功率和频率带的引脚兼容性。
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面向5G电信基础设施的GAN分立MMIMO解决方案
NXP推出了一系列GaN离散MIMO解决方案，适用于5G电信基础设施中的64T64R和32T32R无线电单元配置。这些产品包括不同频率下的功率放大器，具有高效率、低功耗和线性化性能。NXP的GaN技术采用 proprietary工艺，制造于亚利桑那州钱德勒的工厂。产品特点包括峰值功率、GaN器件的高效率、以及跨功率和频率带的引脚兼容性。
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氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案，涵盖中频、毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器、室内设备以及V、E、W和D波段无线回程等领域。产品包括前端模块、高功率放大器、低噪声放大器、开关、系统级封装（SiP）、多芯片集成等。资料还展示了不同频段的产品参数，如增益、饱和功率、线性度等，并提供了UMS公司的联系方式和全球分销商信息。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN® FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复方面的性能优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN® FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，包括更低的阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复。此外，氮化镓器件具有低成本、可靠性高、易于使用和全面设计支持等特点。文章还列举了eGaN® FET在不同应用中的优势，如汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、安全性以及耐辐射性方面也具有显著优势。文章还列举了eGaN® FET在多个领域的应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更高效的功率转换。与传统的硅MOSFET相比，eGaN FET具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章还讨论了eGaN FET在汽车、射频放大器、LiDAR、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。此外，还提供了eGaN FET器件的选型和设计资源。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有成本效益，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有低成本、简单易用、可靠性和耐辐射等特点，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还提到了eGaN FET的应用领域，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相较于传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化和更高的效率。其优势包括更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，该技术在成本效益、可靠性和耐辐射性方面也表现出色。文章还提供了多种基于eGaN FET的应用实例，如汽车、射频放大器、负载点转换器和无线充电等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了氮化镓器件的低阻抗、低导通损耗、快速开关特性以及低成本优势。此外，还提供了多种基于eGaN FET技术的产品和应用案例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、激光雷达、马达驱动器、医疗应用和无线充电等领域。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和应用示例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。
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增强型氮化镓功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、DC/DC转换器、马达驱动、激光雷达、医疗应用、D类音频放大器、模拟开关和无线充电等领域的应用。
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增强型氮化镓功率晶体管技术 应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、DC/DC转换器、负载点转换器、激光雷达、D类音频放大器、无线充电、射频功率放大器、马达驱动器、医疗应用和LED照明等。文章还提供了eGaN® FET器件的选型和设计支持信息。
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用于高功率战术/军用通信无线电的氮化镓供电射频前端
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