A5G35S008N Airfast RF Power GaN Transistor

知识图谱

发布时间： 2025-07-14 品牌： NXP 资料类型：数据手册语言：英文

这是一款27 dBm射频功率GaN晶体管，专为覆盖3300至3800 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。它具有高终端阻抗，适用于低复杂度线性化系统，是通用宽带驱动器，并针对5G基站的大规模MIMO有源天线系统进行了优化。

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A5G35S008N AirFast射频功率氮化镓晶体管

July 2021 - 数据手册

NXP - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,AIRFAST射频功率氮化镓晶体管,A5G35S008NT6,A5G35S008N,CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS,蜂窝基站应用

资料表 32T/64T DMS 产品 - 用于5G电信基础设施的氮化镓离散mMIMO解决方案

未提供 - 商品及供应商介绍 NXP推出了一系列GaN离散mMIMO解决方案，适用于5G电信基础设施中的64T64R和32T32R无线电单元配置。这些解决方案包括峰值功率达47.4 dBm（55 W）和50.4 dBm（110 W）的GaN器件，采用NXP在亚利桑那州钱德勒的GaN工厂开发的专有RF GaN技术。产品特点包括高效率、低内存RF GaN技术以及跨功率和频率带的引脚兼容性。

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面向5G电信基础设施的GAN分立MMIMO解决方案

2022/3/25 - 商品及供应商介绍 NXP推出了一系列GaN离散MIMO解决方案，适用于5G电信基础设施中的64T64R和32T32R无线电单元配置。这些产品包括不同频率下的功率放大器，具有高效率、低功耗和线性化性能。NXP的GaN技术采用 proprietary工艺，制造于亚利桑那州钱德勒的工厂。产品特点包括峰值功率、GaN器件的高效率、以及跨功率和频率带的引脚兼容性。

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A3G26H350W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据

01/2021 - 数据手册

NXP - RF POWER GAN TRANSISTOR,射频功率氮化镓晶体管,SYMMETRICAL DOHERTY RF POWER GAN TRANSISTOR,对称DOHERTY射频功率氮化镓晶体管,A3G26H350W17SR3,A3G26H350W17S,CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS,蜂窝基站应用

MRF24G300HS MRF24G300H射频功率氮化镓晶体管技术数据

09/2019 - 封装信息/封装结构图

NXP - RF POWER GAN TRANSISTORS,射频功率氮化镓晶体管,MRF24G300HR5,600F1R2BT250XT,GRM32EC72A106KE05L,CRCW120610R0JNEA,GCM21BR71H105KA03L,MRF24G300HS,600F200JT250XT,MRF24G300HSR5,MRF24G300H,D121225,600F270JT250XT,800R100JT500XT,CRCW08055R10JNEA,600F0R1BT250XT,MICROWAVE ABLATION,焊接和热封,医学,INDUSTRIAL HEATING,DIATHERMY,照明,WELDING AND HEAT SEALING,工业供暖,SCIENTIFIC INSTRUMENTATION,等离子体产生,透热疗法,科学仪器,LIGHTING,PLASMA GENERATION,MEDICAL,微波消融

A2G22S160-01S蜂窝用AIRBASTRF功率氮化镓

May 2015 - 技术文档 Freescale推出首款用于蜂窝基站应用的氮化镓（GaN）射频功率晶体管A2G22S160-01S。该产品具有高功率密度、高频率操作和成本效益等优势，旨在应对网络运营商在数据驱动市场空间面临的挑战，如网络密集化、快速部署、标准演变（从4G到5G）和优化。Freescale的GaN产品优化于蜂窝应用，具备高功率匹配专长和Doherty架构设计领导地位，同时支持大规模生产。A2G22S160-01S提供32W紧凑型单端设备，适用于1800至2200MHz的蜂窝操作。

NXP - A2G22S160-01S

A3G26H502W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据

01/2021 - 数据手册

NXP - RF POWER GAN TRANSISTOR,射频功率氮化镓晶体管,SYMMETRICAL DOHERTY RF POWER GAN TRANSISTOR,对称DOHERTY射频功率氮化镓晶体管,A3G26H502W17S,A3G26H502W17SR3,CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS,蜂窝基站应用

MMRF5014H 125瓦连续波，50伏氮化镓对SiCRF功率晶体管飞思卡尔介绍

November 2014 - 技术文档 Freescale推出MMRF5014H 125W CW, 50V GaN on SiC射频功率晶体管，适用于宽频带操作，最高可达2690MHz。该晶体管具有高增益、坚固耐用和宽频带性能，适用于大信号、共源放大器应用。产品特点包括高功率密度、适用于 octave 和 decade 带宽的宽频带放大器、输入匹配以扩展宽频带性能、高鲁棒性、低热阻等。适用于宽带或窄带放大器、多倍频程通信应用、专业和军事无线电、雷达、干扰器和电子战等领域。

NXP - MMRF5014H

A3G23H500W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据

05/2021 - 数据手册

NXP - RF POWER GAN TRANSISTOR,射频功率氮化镓晶体管,SYMMETRICAL DOHERTY RF POWER GAN TRANSISTOR,对称DOHERTY射频功率氮化镓晶体管,A3G23H500W17SR3,A3G23H500W17S,CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS,蜂窝基站应用

A3G26H501W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据

01/2020 - 数据手册

NXP - RF POWER GAN TRANSISTOR,射频功率氮化镓晶体管,SYMMETRICAL DOHERTY RF POWER GAN TRANSISTOR,对称DOHERTY射频功率氮化镓晶体管,A3G26H501W17S,A3G26H501W17SR3,CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS,蜂窝基站应用

A3G18D510-04S射频功率氮化镓晶体管数据表

August 2020 - 数据手册

NXP - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,RF POWER GAN TRANSISTOR,射频功率氮化镓晶体管,AIRFAST射频功率氮化镓晶体管,C5750X7S2A106M230KB,A3G18D510-04S,600F0R8BT250XT,C10A50Z4,600F150JT250XT,600F1R2BT250XT,X3C19P1-03S,600F1R6BT250XT,600F1R5BT250XT,600F1R0BT250XT,CRCW12063R90FKEA,600F2R0BT250XT,CRCW12069R10FKEA,600F110JT250XT,D135295,CRCW12064R30FKEA,A3G18D510--04SR3,600F0R4BT250XT,MCGPR100V227M16X26,600F0R2BT250XT,CRCW12067R50FKEA,CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS,蜂窝基站应用

A3G18H500-04SR3射频功率氮化镓晶体管技术数据

08/2020 - 数据手册

NXP - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,RF POWER GAN TRANSISTOR,射频功率氮化镓晶体管,AIRFAST射频功率氮化镓晶体管,ATC100B3R0BT500XT,A3G18H500--04SR3,MCGPR63V477M13X26--RH,GQM2195C2E100JB12,D96809,C5750X7S2A106M,GQM2195C2ER60BB12,GQM2195C2ER90BB12,X3C20F1--02S,GQM2195C2E150JB12,C3225X7S1H106K,ATC100B100GT500XT,CRCW08053R30FKEA,C8A50Z4A,GQM2195C2E1R3BB12,GQM2195C2ER80BB12,CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS,蜂窝基站应用

A3G26H200W17S射频功率氮化镓晶体管技术数据

03/2020 - 数据手册

NXP - RF POWER GAN TRANSISTOR,射频功率氮化镓晶体管,SYMMETRICAL DOHERTY RF POWER GAN TRANSISTOR,对称DOHERTY射频功率氮化镓晶体管,A3G26H200W17S,A3G26H200W17SR3,CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS,蜂窝基站应用

A5G21H605W19N Airfast 射频功率氮化镓晶体管

2 May 2025 - 数据手册本资料介绍了NXP Semiconductors公司生产的A5G21H605W19N型号Airfast射频功率GaN晶体管。该晶体管是一款85W非对称Doherty射频功率GaN晶体管，专为需要非常宽瞬时带宽能力的蜂窝基站应用设计，频率范围为2110 MHz至2200 MHz。资料中详细介绍了该产品的特性、典型性能、引脚信息、订购信息、产品标记、限制值、推荐工作条件、热特性、ESD保护特性、湿度敏感度等级、电气特性、组件布局和元件清单、封装信息、产品文档、软件和工具、修订历史以及法律信息。

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东微半导体 IGBT选型表

选型表 - 东微半导体东微半导体提供600V-1400V电压等级IGBT选型，电流覆盖10A-200A（TC=100°C），阈值电压Vge(th)典型值1.45V-6.2V，栅极电荷Qg范围43nC-4809nC，Qgc范围10nC-237nC。产品适用于电机驱动、光伏逆变器、UPS电源及高频功率转换等应用场景，提供不同电流规格和开关性能组合，便于根据系统功率和驱动要求灵活选型。