N-Channel MOSFET
发布时间：
2025-07-23
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRONIC）
型号：
30N06
该数据手册详细介绍了30N06型N沟道MOSFET的技术规格与应用指南。作为一款采用先进沟槽技术的高性能器件，30N06具备低导通电阻（RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=10V）、低栅极电荷（Qg = 12.6nC）及低栅极电压（VGS = 4.5V）等显著特性。同时，该器件支持30A的高电流承载能力与60V的高电压耐受能力，在电气性能与热特性上表现优异，能够满足严苛的电路设计需求。基于这些技术优势，30N06被广泛应用于电池保护、开关应用以及不间断电源等关键领域，为系统提供高效可靠的功率控制解决方案。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，平台提供专职FAE团队支持，协助用户进行选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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华轩阳电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制，数码产品以及家电。其中，MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案，最多的时候，帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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现货平台 / 华轩阳电子 授权代理店
| 订货型号 | 30N06 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | 30N06 | 品类 | 场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,VDSS耐压60V,ID电流30A,RDON导通电阻26mR@VGS10V(MAX),VGS(th)开启电压1.2-2.5V, | 封装/外壳/尺寸 | TO252-2L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 类型 | N沟道 | VDSS | 60V |
| ID | 30A | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4118
库存：
0
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| 订货型号 | HC2M0080120K | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HC2M0080120K | 品类 | N沟道MOSFET |
| 描述/说明 | 碳化硅场效应管;耐压:1200V;电流:16A;碳化硅场效应管;阈值电压(Vgs(th)):2.0-4.0V;漏源电压(Vdss):1200V;连续漏极电流(Id):36A;功率(Nd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.8Ω@10V,5A | 封装/外壳/尺寸 | TO247-4L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V | ID(A) | 36A |
| RDon/mR（Max） | 20V | 沟道 | N沟道 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HC3M0075120K | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HC3M0075120K | 品类 | N沟道MOSFET |
| 描述/说明 | 碳化硅场效应管;耐压:1200V;电流:32A;碳化硅场效应管;阈值电压(Vgs(th)):1.8-3.6V;漏源电压(Vdss):1200V;连续漏极电流(Id):32A;功率(Nd):136W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@15V,20A | 封装/外壳/尺寸 | TO247-4L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V | ID(A) | 32A |
| RDon/mR（Max） | 15V | 沟道 | N沟道 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HC2M0160120K | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HC2M0160120K | 品类 | N沟道MOSFET |
| 描述/说明 | 碳化硅场效应管;耐压:1200V;电流:19A;碳化硅场效应管;阈值电压(Vgs(th)):2.0-4.0V;漏源电压(Vdss):1200V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Nd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.8Ω@10V,5A | 封装/外壳/尺寸 | TO247-4L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V | ID(A) | 19A |
| RDon/mR（Max） | 20V | 沟道 | N沟道 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HC3M0015065D | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HC3M0015065D | 品类 | N沟道MOSFET |
| 描述/说明 | 碳化硅场效应管;耐压:650V;电流:120A;碳化硅场效应管;阈值电压(Vgs(th)):2.0-4.0V;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Nd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.8Ω@10V,5A | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS(V) | 650V | ID(A) | 120A |
| RDon/mR（Max） | 15V | 沟道 | N沟道 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HC2M0080120D | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HC2M0080120D | 品类 | N沟道MOSFET |
| 描述/说明 | 碳化硅场效应管;耐压:1200V;电流:36A;碳化硅场效应管;阈值电压(Vgs(th)):2.0-4.0V;漏源电压(Vdss):1200V;连续漏极电流(Id):36A;功率(Nd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):98mΩ@20V,20A | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V | ID(A) | 36A |
| RDon/mR（Max） | 20V | 沟道 | N沟道 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HC3M0075120D | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HC3M0075120D | 品类 | N沟道MOSFET |
| 描述/说明 | 碳化硅场效应管;耐压:1200V;电流:32A;碳化硅场效应管;阈值电压(Vgs(th)):1.8-3.6V;漏源电压(Vdss):1200V;连续漏极电流(Id):32A;功率(Nd):136W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@15V,20A | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V | ID(A) | 32A |
| RDon/mR（Max） | 15V | 沟道 | N沟道 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HC2M0160120D | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HC2M0160120D | 品类 | N沟道MOSFET |
| 描述/说明 | 碳化硅场效应管;耐压:1200V;电流:18A;碳化硅场效应管;阈值电压(Vgs(th)):2.0-4.0V;漏源电压(Vdss):1200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Nd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):196mΩ@20V,10A | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V | ID(A) | 19A |
| RDon/mR（Max） | 20V | 沟道 | N沟道 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HC3M0032120K | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HC3M0032120K | 品类 | N沟道MOSFET |
| 描述/说明 | 碳化硅场效应管;耐压:1200V;电流:63A;碳化硅场效应管;阈值电压(Vgs(th)):1.8-3.6V;漏源电压(Vdss):1200V;连续漏极电流(Id):63A;功率(Nd):283W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@15V,40A | 封装/外壳/尺寸 | TO247-4L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V | ID(A) | 63A |
| RDon/mR（Max） | 15V | 沟道 | N沟道 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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技术支持/研发服务
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加工定制
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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资料平台
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IPD30N06S2L-23 N沟道增强型MOSFET
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2024/3/13
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