DO214AA (SMB) SCHOTTKY Rectifier
发布时间：
2025-10-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
丽正国际（RECTRON）
型号：
DO214AA
本数据手册详细介绍了DO214AA（SMB）封装肖特基整流器的材料成分、含量及环保合规信息。资料核心内容涵盖了该器件的详细物料清单，具体列出了各组成部分的材料名称、对应的CAS编号、物质质量（以毫克为单位）、重量百分比以及总重量数据。这些精确的材料信息对于满足环保法规要求、进行产品合规性审查及供应链风险评估具有重要意义。基于该资料所涉器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足库存以覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，平台提供专职FAE团队支持，协助用户进行选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
资料下载
丽正国际官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是丽正国际的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供丽正国际的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
丽正国际 授权代理店 >>
全球知名整流器厂商——丽正国际（Rectron）
丽正国际(Rectron)成立于1975年，台湾上市公司，是一家拥有超过40年的整流器制造经验的分立半导体优质制造商，产品涉及整流器，TVS/ESD二极管，碳化硅肖特基，晶体管，MOSFET，齐纳稳压管等器件，为Apple，ZTE，LG，Honeywell等全球知名品牌供货商。
访问丽正国际 品牌主页 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合丽正国际原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
立即获取 丽正国际 技术支持 >>
企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供丽正国际快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
立即获取 丽正国际 企业采购服务 >>
资料平台
| 技术文档 - 英文 |
DO214AB（SMC）肖特基整流器
2025/10/02
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
DO214AC（SMA）肖特基整流器
2025/10/02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SR12100CK肖特基整流器
REV:C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SR12100CK肖特基整流器
REV:B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SCHOTTKY RECTIFIER VOLTAGE 40 Volts CURRENT 500 mAmpers B0540W
2007-1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM1N6092 N沟道MOSFET 600V，1A，10Ω
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R10000H快速恢复高压二极管
REV:C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R10000H快速恢复高压二极管
REV:B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM250N150TL N沟道增强型MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RL801CS至RL807CS玻璃钝化硅整流器
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BC807V BC808V小信号晶体管（PNP）
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RL801K至RL807K玻璃钝化硅整流器
REV:C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SR1645S至SR1660S肖特基势垒整流器
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SR7080C至SR70200C肖特基势垒整流器
REV:C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SR20200A肖特基势垒整流器
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SR6080C至SR60200C肖特基势垒整流器
REV:B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SR7020C至SR7060C肖特基势垒整流器
REV:C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MBRB20100CT D²PAK表面贴装电源组件
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HER1606C高效整流器
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
FM520V至FM5200V表面贴装肖特基势垒整流器
REV: F
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MD1SJ至MD7SJ单相玻璃钝化硅桥式整流器
REV:D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MD1F至MD10F单相玻璃钝化硅桥式整流器
REV:E
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMB1F至HMB10F单相玻璃钝化硅桥式整流器
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SRL5100P肖特基势垒整流器
REV: D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RSM36N120T7 N沟道SiC功率MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM180N30DF N沟道增强型MOSFET\n
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM5P60Y P沟道增强型功率MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM33N100T2 N沟道增强型功率MOSFET
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
开关二极管BAS21V BAS21AV BAS21CV BAS21SV
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BAS21/A/C/S开关二极管
REV:B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2SSL20V至2SSL40V低VF肖特基势垒整流器
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BAT54ADW/BRW/CDW/SDW/TW/DW/JW肖特基势垒二极管阵列
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
R431AS2三端可调并联稳压器
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM130N30D3 N沟道增强型功率MOSFET
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM3400A N沟道增强型功率MOSFET
REV:B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM3010S6 N沟道增强型功率MOSFET
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
TEP3B5CM低电容双向TVS/ESD保护二极管
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM300N85TLV N沟道增强型功率MOSFET\n
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BR805至BR810单相硅桥式整流器
REV:D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BR1005至BR1010单相硅桥式整流器
REV:B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BR605至BR610单相玻璃钝化硅桥式整流器
REV:F
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MUR550超快整流器
REV:B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM300N85TL N沟道增强型功率MOSFET\n
REV:O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
SF61至SF67玻璃钝化超快速整流器
REV:A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
RM180N60DF N沟道超级沟槽功率MOSFET
REV:O
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
【产品】40V/200mA的NPN三极管MMBT3904W，采用SOT-323封装
丽正国际推出的MMBT3904W是NPN三极管，最大集电极-发射极电压为40V，最大集电极电流200mA，最大集电极功耗200mW，采用SOT-323封装。
阅读原文 >>
【产品】P沟道增强型功率MOSFET RMD0A8P20ES9，具备出色的导通电阻和栅极电荷性能
丽正国际推出的RMD0A8P20ES9是一款P沟道增强型MOSFET，使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷性能，互补MOSFET可用于形成电平转换的高边开关，并可用于许多其他应用。在环境温度为25°C时，RMD0A8P20ES9漏源电压最大额定值为20V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为0.8A，工作时结温和储存温度范围为-55~150℃。
阅读原文 >>
【产品】200V/40A N沟道增强型功率MOSFET RM40N200TI
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。 RM40N200TI是丽正国际推出的一款采用TO-220F封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。
阅读原文 >>
【产品】30V/150A N沟道增强型功率MOSFET RM150N30LT2，导通电阻可低至3.0mΩ
丽正国际推出的RM150N30LT2是一款N沟道增强型MOSFET，使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）以及极低的栅极电荷，可以用于多种应用。在TC=25°C时，RM150N30LT2漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为150A，工作时结温和储存温度范围为-55~175℃。
阅读原文 >>
【产品】采用DO-35封装的信号开关二极管1N4454，反向恢复时间不超过4ns
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。DO-35封装的信号开关二极管1N4454，反向恢复时间不超过4ns，其存储温度范围为-65℃~175℃，适用于恶劣温度环境，在恶劣环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于信号处理、高速开关等。
阅读原文 >>
