QM3202S-VB Datasheet Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
发布时间：
2025-10-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
QM3202S-VB
本资料详细介绍了QM3202S-VB双N通道30V（D-S）MOSFET的产品特性、应用领域和电气参数。该产品是一款 trench 功率MOSFET，具有高可靠性、低导通电阻和符合RoHS指令的特点，适用于笔记本电脑系统电源和低电流DC/DC转换器等应用。
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VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | QM3202S-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | QM3202S-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | SI7911DN-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | SI7911DN-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装DFN8(3X3),沟道Dual-P+P,Vds(V):-30V | 封装/外壳/尺寸 | DFN8(3X3) |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-P+P | Vds(V) | -30V |
| Vth(V) | -1.7V | Ida(A) | -6.4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.2440
库存：
14
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| 订货型号 | FDS6986S-NL-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | FDS6986S-NL-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Half-Bridge-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Half-Bridge-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 6.8/10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.5000
库存：
0
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| 订货型号 | ZXMN3A04KTC-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3A04KTC-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO252,沟道Single-N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | TO252 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 70A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥1.0560
库存：
0
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| 订货型号 | UPA2755GR-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | UPA2755GR-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥1.0560
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| 订货型号 | ZXMN3A04DN8TA-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3A04DN8TA-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
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￥1.0560
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| 订货型号 | ZXMN3F31DN8TC-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | ZXMN3F31DN8TC-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
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商品标签：
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价格：
￥1.0560
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| 订货型号 | STS9D8NH3LL-VB | 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | STS9D8NH3LL-VB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装SOP8,沟道Dual-N+N,Vds(V):30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 10 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道 | Dual-N+N | Vds(V) | 30V |
| Vth(V) | 1.7V | Ida(A) | 8.5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0560
库存：
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合VBsemi原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供VBsemi快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
QM3202S-VB 数据手册 双N沟道30V（漏源）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
58STS8205E-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
9924GO-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
APM9986COC-TRL-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
AO8814-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
AO8814-VB 数据手册
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| 数据手册 - 英文 |
NCE8205B-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
39IM2611G-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
AO8810-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
AO8810-VB 数据手册
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| 数据手册 - 英文 |
NCE8205C-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
AP9922EO-HF-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
44MIS8207-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
UPA1870BGR-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
UPA1870BGR-VB 数据手册
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| 数据手册 - 英文 |
3STS8235-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
55STS8201-VB 规格书
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
IRF7341UTRPBF-VB 数据手册 双N沟道60V（D-S）175°C MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
STS8215-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
IRF5852TRPBF-VB 数据手册 双N沟道20V（D-S）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
WSP8810-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
34HM8205-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
29DTS8205-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
25CEH2288-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
24AO6808-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
21AO6804-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
9WNMD2157-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
57STS8205A-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
51SSF2418E-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
45MT8205-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
41ME6876-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
37HM8810S-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
STG8210-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
SSM9922EO-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
AO8846-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
AO8842-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
NCE8804-VB 规格书
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
STT3922N-VB 数据手册 双N沟道20V（漏源）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SM9988CO-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
TSM6970DCA RV-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
AO8808A-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
AO8808A-VB 数据手册
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| 数据手册 - 英文 |
AO8806-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
968A-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
HM8810B-VB 数据手册
2025/10/31
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| 数据手册 - 英文 |
42MEM8205-VB 规格书
2025/10/31
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
【应用】国产双N通道MOSFET YJG100N04A助力无人机电调设计，导通电阻低至2.8mΩ
扬杰科技双N通道MOSFET YJG100N04A助力无人机电调设计，具有以下优势；1、最高耐压为40V，满足3S锂电池12.6V供电系统，耐压余量空间大，防止MOS管关断时产生的电压尖峰而损坏；2、静态漏源导通电阻低至2.8mΩ（VGS=10V，ID=20A），可降低MOS的整体损耗，减少发热量，降低锂电池耗电量；
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【产品】SOT-363 塑封的双N通道MOSFET 2N7002KS6，ESD额定值为2200V HBM
丽正国际（Rectron）生产的型号为2N7002KS6的采用SOT-363 塑封的双N通道MOSFET为灵敏的栅极触发电流和低保持电流ESD保护二极管，它的ESD额定值为2200V HBM可以应用于通用开关和相位控制应用。
阅读原文 >>
VBsemi releases third-generation SiC MOSFET: 21mΩ ultra-low impedance redefines
As a leading company focusing on high-performance MOSFET design, VBsemi has launched a number of MOSFET products based on third-generation SiC technology for key areas such as DC fast charging of electric vehicles, energy storage systems (ESS) and bidirectional charging (V2G). With ultra-low on-resistance, high switching efficiency and excellent heat dissipation performance, these devices can perfectly replace traditional silicon-based solutions and help customers build more compact and efficient power systems.
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半桥LLC空载电压尖峰的电路设计改善方案
本文分析半桥LLC在空载时下管电压尖峰问题，指出因下管导通时谐振电感电流无法反向及体二极管反向恢复导致瞬时直通，引发电压尖峰。通过选用小漏源电容、恢复特性好的功率管，并缩短死区时间（如从190nS减至120nS），可显著降低电压尖峰，改善非ZVS状态下的电压应力。
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