QM3202S-VB Datasheet Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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发布时间： 2025-10-31 品牌： VBsemi 资料类型：数据手册语言：英文

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这份文档是关于QM3202S-VB型双N通道30V（D-S）MOSFET的数据手册。它详细介绍了该MOSFET的特性和规格，包括绝对最大额定值、电气特性、典型特性和封装信息。该MOSFET适用于笔记本电脑系统电源和低电流DC/DC应用。

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QM3202S-VB 数据手册双N沟道30V（漏源）MOSFET

数据手册本资料详细介绍了QM3202S-VB双N通道30V（D-S）MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。该产品是一款 trench 功率MOSFET，具有高可靠性、低导通电阻和符合RoHS指令的特点，适用于笔记本电脑系统电源和低电流DC/DC转换器等应用。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,QM3202S-VB,低电流DC/DC,笔记本电脑系统电源

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VBsemi场效应管选型表

选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域

产品型号	品类	Vds(V)	Vth(V)	Ida(A)	沟道	封装
QM3202S-VB	MOSFET	30V	1.7V	8.5A	Dual-N+N	SOP8

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58STS8205E-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了58STS8205E-VB双N通道MOSFET的产品特性、电气规格、典型特性、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。资料涵盖了绝对最大额定值、热阻等级、静态和动态电气规格，以及典型特性曲线。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,58STS8205E-VB

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9924GO-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了9924GO-VB双N通道MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,9924GO-VB,适用于各种电子设备中的开关和放大应用

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NCE8205B-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了NCE8205B-VB双N通道MOSFET的特性、规格和典型应用。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、热阻、电气特性、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,NCE8205B-VB,电源管理应用

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APM9986COC-TRL-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了APM9986COC-TRL-VB双N通道MOSFET的特性、规格和典型特性。资料涵盖了绝对最大额定值、热阻率、静态和动态规格、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,APM9986COC-TRL-VB,适用于各种电源管理、开关电源、电机驱动等应用

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AO8814-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了AO8814-VB型双N通道MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻、规格参数、典型特性曲线等。资料中未提及具体的产品特性，但提供了详细的技术参数和应用信息。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,AO8814-VB,适用于各种电源管理应用，如开关电源、电机驱动等

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AO8810-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了AO8810-VB型双N通道MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻、规格参数、典型特性曲线等。资料中未提及具体的产品特性，但提供了详细的技术参数和应用信息。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,AO8810-VB,适用于各种应用

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NCE8205C-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了NCE8205C-VB双N通道MOSFET的特性、规格和典型应用。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、热阻、静态和动态规格、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,NCE8205C-VB,适用于各种电子电路中的开关应用，如电源管理、电机控制等

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39IM2611G-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了39IM2611G-VB双N通道MOSFET的产品特性、电气规格、典型特性、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。资料涵盖了绝对最大额定值、热阻等级、静态和动态电气规格，以及典型特性曲线。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,39IM2611G-VB,适用于各种电子电路，如电源管理、电机驱动等

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44MIS8207-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了MIS8207-VB型双N通道MOSFET的特性、规格、典型特性、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。资料涵盖了绝对最大额定值、热阻等级、电气规格、典型特性曲线以及封装图等详细信息。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,44MIS8207-VB,适用于各种电子电路，如电源管理、电机控制等

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AP9922EO-HF-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了AP9922EO-HF-VB双N通道MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸。资料中未提及具体的应用领域。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,AP9922EO-HF-VB,适用于各种电源管理应用，如开关电源、电机驱动等

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UPA1870BGR-VB 数据手册

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了UPA1870BGR-VB双N通道MOSFET的特性、规格和典型特性。资料涵盖了绝对最大额定值、热阻等级、静态和动态规格、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - 双N通道MOSFET,UPA1870BGR-VB,电源管理,电机驱动等

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【应用】国产双N通道MOSFET YJG100N04A助力无人机电调设计，导通电阻低至2.8mΩ

2021-11-12 - 应用方案扬杰科技双N通道MOSFET YJG100N04A助力无人机电调设计，具有以下优势；1、最高耐压为40V，满足3S锂电池12.6V供电系统，耐压余量空间大，防止MOS管关断时产生的电压尖峰而损坏；2、静态漏源导通电阻低至2.8mΩ（VGS=10V，ID=20A），可降低MOS的整体损耗，减少发热量，降低锂电池耗电量；

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