N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
发布时间：
2025-12-03
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
扬杰科技（YANGJIE TECHNOLOGY）
型号：
YJD5K3N25AJ
本资料详细介绍了N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（N沟道增强型场效应晶体管）YJD5K3N25AJ的产品特性、电气特性、应用领域、封装信息等。资料中提供了该产品的关键参数、电气特性曲线、测试电路和波形图，以及封装尺寸和标记信息。
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中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）
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| 订货型号 | YJL02N10A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJL02N10A | 品类 | MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,VDSS=100V,ID=2A | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 结构 | Single | 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS=(V) | 100 | 工作电流Id (A) | 2 |
| 耗散功率Pd（W） | 1.3 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.1330
库存：
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| 订货型号 | YJL2312A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJL2312A | 品类 | MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,VDSS=20V,ID=6.8A | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 结构 | Single | 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS=(V) | 20 | 工作电流Id (A) | 6.8 |
| 耗散功率Pd（W） | 1.25 | ||
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世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.1290
库存：
0
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| 订货型号 | YJA3134KB | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJA3134KB | 品类 | Mosfet |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-3L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 结构 | Single | 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS (V) | 20 | 工作电流ID(A) | 0.7 |
| 耗散功率Pd(W) | 0.9 | ||
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价格：
￥0.0930
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57,850
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| 订货型号 | YJG90G10A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJG90G10A | 品类 | MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, VDS=100V, ID=90A, RDS(ON)( at VGS=10V)<5.0mohm, RDS(ON)( at VGS=4.5V)<7.1mohm | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5060 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 结构 | Single | 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS=(V) | 100 | 工作电流Id (A) | 90 |
| 耗散功率Pd（W） | 120 | ||
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￥2.4930
库存：
6,998
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| 订货型号 | YJG60G04HHQ | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJG60G04HHQ | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5060-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vᴅss(V) | 40 | Iᴅ(A) | 60 |
| Pᴅ(W) | 73 | Vɢs(V) | ±20 |
| Tj(℃） | 175 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥1.7330
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5,000
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| 订货型号 | YJQ53G06A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJQ53G06A | 品类 | MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,VDS=60V,ID=53A,RDS(ON)( at VGS=10V)<8.2mΩ,RDS(ON)( at VGS=4.5V) <12mΩ | 封装/外壳/尺寸 | DFN3333 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 结构 | Single | 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS=(V) | 60 | 工作电流Id (A) | 53 |
| 耗散功率Pd（W） | 45 | ||
授权代理商：
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￥1.0670
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4,980
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| 订货型号 | YJL2300A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJL2300A | 品类 | MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,VDSS=20V,ID=4.5A | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 结构 | Single | 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS=(V) | 20 | 工作电流Id (A) | 4.5 |
| 耗散功率Pd（W） | 1 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.1000
库存：
4,470
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| 订货型号 | YJG53G06A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJG53G06A | 品类 | MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,VDSS=60V,ID=53A | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5060 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 结构 | Single | 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS=(V) | 60 | 工作电流Id (A) | 53 |
| 耗散功率Pd（W） | 43 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.9830
库存：
4,430
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| 订货型号 | YJS12G06A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJS12G06A | 品类 | MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,VDSS=60V,ID=12A | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 结构 | Single | 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS=(V) | 60 | 工作电流Id (A) | 12 |
| 耗散功率Pd（W） | 3.1 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥0.9090
库存：
4,250
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| 订货型号 | YJG80G06A | 品牌 | 扬杰科技 |
| 型号系列 | YJG80G06A | 品类 | MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor,VDSS=60V,ID=80A | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5060 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 结构 | Single | 产品极性N/P | N |
| 漏源电压VDSS=(V) | 60 | 工作电流Id (A) | 80 |
| 耗散功率Pd（W） | 95 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥1.8480
库存：
4,109
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