N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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2025-07-04 扬杰科技 数据手册 英文
本资料文档介绍了一种N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)。该晶体管采用分割栅槽MOSFET技术,具有60V的漏源电压、95A的漏极电流和小于2.9毫欧姆的导通电阻。它适用于DC-DC转换器、电源管理功能和同步整流应用。文档还提供了该产品的绝对最大额定值、订购信息、电气特性、典型性能特性、测试电路和波形以及PDFN5060-8L-B-1.1MM封装信息。
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