HXY MOSFET TK11A65W TO-220F
发布时间：
2026-01-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRONIC）
型号：
TK11A65W
本数据手册详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司推出的MOSFET产品TK11A65W，该器件采用TO-220F封装，具备高速开关与低电容特性，同时拥有高阻断电压及低导通电阻（R DS(on)）优势。资料全面阐述了其电气特性、热特性、动态特性、开关特性及反向二极管特性，并指出该产品易于并联且驱动简单，完全符合RoHS标准。凭借优异的性能表现，TK11A65W被广泛应用于功率因数校正模块、开关电源、DC-AC逆变器以及高压DC/DC转换器等关键领域。HUA XUAN YANG ELECTRONICS在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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华轩阳电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制，数码产品以及家电。其中，MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案，最多的时候，帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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| 订货型号 | TK11A65W | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | TK11A65W | 品类 | 碳化硅场效应管 |
| 描述/说明 | ID:15A,VDSS:650V,RDON:260mR,VGS:-5~+16V,TYPE:N沟道 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ID | 15A | VDSS | 650V |
| RDON | 260mR | VGS | -5~+16V |
| TYPE | N沟道 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.3530
库存：
0
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加工定制
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
TK11S10N1L，LQ N沟道MOSFET
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TK11S10N1L，LQ N沟道MOSFET
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HTK11S10N1L N沟道MOSFET
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TK11S10N1L N沟道MOSFET
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TK11S10N1L N沟道MOSFET
Not specified
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TK115U65Z5，RQ碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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TK110E65Z,S1X 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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TK110A65Z,S4X 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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TK110N65Z,S1F SiC功率MOSFET N沟道增强型
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TK115A65Z5,S4X 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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TK115N65Z5,S1F SiC 功率 MOSFET N 沟道增强型
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P通道MOSFET晶体管
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HXY20P06DF P沟道MOSFET
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3439KDW 金属氧化物半导体场效应晶体管
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3N10-HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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应用/方案
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【产品】科信漏源电压-30V的P沟道MOSFET晶体管AO4447A，连续漏极电流-17A
科信（KEXIN）推出一款P沟道MOSFET晶体管AO4447A（KO4447A）。Ta=25℃条件下，该产品漏源电压为-30V，连续漏极电流为-17A，栅源电压为±20V，ESD 额定值：2000V HBM。
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