FDN361BN HXY MOSFET

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发布时间： 2025-07-22 品牌：华轩阳电子资料类型：数据手册语言：英文

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FDN361BN是一款采用先进沟槽技术的MOSFET，具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和2.5V低栅极电压下的操作能力。该器件适用于电池保护或其他开关应用，如负载开关和不间断电源。

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FDN361BN N沟道增强型MOSFET

2024/3/18 - 数据手册 FDN361BN是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型MOSFET。该器件具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压下的操作能力。适用于电池保护或开关应用。

华轩阳电子 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,FDN361BN,BATTERY PROTECTION,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

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选型表 - 华轩阳电子华轩阳电子提供全面的MOSFET场效应晶体管选型，覆盖N沟道、P沟道、N+N双N沟道、P+P双P沟道、N+P复合沟道以及碳化硅场效应管等全品类。耐压范围涵盖20V至1700V，电流从0.1A至400A，导通电阻（RDS）最低至0.6mΩ，提供SOT-23、SOP-8、TO-252、DFN等多种封装。产品线既包含通用的消费级应用，也覆盖高性能、低内阻的工业级和汽车级（SiC）解决方案，可广泛满足电源管理、电机驱动、负载开关、逆变器等多样化电路设计需求。

产品型号	品类	VGS电压（V）	VDSS耐压(V)	应用等级	ID电流(A)	类型	封装
FDN361BN	场效应管	20V	30V	消费级	4A	N沟道	SOT-23

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华轩阳电子400W峰值脉冲功率MOSFET

数据手册本资料主要介绍了一种高功率脉冲器件，具有400W峰值脉冲功率能力，适用于高速信号传输和电源供应等应用。资料详细描述了产品的特性、电气参数、机械数据、应用领域以及注意事项。

华轩阳电子 - MOSFET,400W PEAK PULSE POWER MOSFET,I/O接口,低频信号传输线（如RS232、RS485等）,AC/DC电源

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10N65 MOSFET

数据手册该资料详细介绍了10N65型N沟道MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、电气特性、动态特性、开关特性、源极-漏极二极管特性等。此外，还提供了该产品的封装信息、注意事项以及特性曲线等。

华轩阳电子 - MOSFET,10N65,适配器和充电器的电源开关电路,POWER SWITCH CIRCUIT OF ADAPTOR AND CHARGER

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HXY MOSFET BCW89,215

数据手册本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司的一款MOSFET产品，包括其最大额定值、电气特性、典型特性、封装尺寸和注意事项。资料中未提及具体的产品特性，但提供了产品的电气参数和应用建议。

华轩阳电子 - MOSFET,BCW89,215,适用于各种电子电路中的开关、放大等应用

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2N5962 PBFREE HXY MOSFET

数据手册本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司的一款2N5962 PBFREE高压MOSFET。资料包含了该产品的最大额定值、电气特性、典型特性、封装尺寸以及注意事项等内容。

华轩阳电子 - MOSFET,2N5962 PBFREE,通用电子设备

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4N65F MOSFET

数据手册该资料详细介绍了4N65F N-Channel MOSFET的特性，包括其电气特性、动态特性、开关特性、二极管特性、封装信息等。该产品适用于适配器和充电器的电源开关电路，具有650V的VDS和4A的ID，适用于系统小型化和高效能。

华轩阳电子 - MOSFET,4N65F,适配器和充电器的电源开关电路,POWER SWITCH CIRCUIT OF ADAPTOR AND CHARGER

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数据手册本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的TO-3PF封装的HXY系列MOSFET。资料涵盖了该产品的电气特性、热特性、开关特性、封装尺寸以及注意事项等内容，适用于辅助电源和开关电源等应用领域。

华轩阳电子 - MOSFET,IXTJ4N150,开关电源,辅助电源

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Factors to Consider When Choosing a MOSFET

2023-08-29 - 设计经验 When selecting a MOSFET with high-cost performance, long life, strong reliability, high stability, and high fit, the above factors and parameters need to be considered, and it is necessary to ensure that the on-resistance RDS(on) meets the requirements.

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