TK35A65W5,S5X SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
发布时间:
2026-01-04
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRONIC)
型号:
TK35A65W5; S5X
本数据手册详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的TK35A65W5,S5X型号SiC功率MOSFET N沟道增强型器件。该器件基于先进的宽带隙SiC MOSFET技术,具备低导通电阻和高阻断电压的优异性能,同时拥有低电容和高速开关特性,能有效降低反向恢复电荷。在环保合规方面,产品采用无卤素设计并符合RoHS标准。手册内容全面涵盖了产品的最大额定值、热特性、静态及交流特性、门极电荷特性、反向二极管特性、开关特性、典型性能曲线、封装尺寸及使用注意事项。该器件主要应用于交换模式电源、可再生能源系统、车载充电器以及高压DC/DC转换器等领域。HUA XUAN YANG ELECTRONICS在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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华轩阳电子官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRON)
华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRON)是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理,电源管理,电机控制,数码产品以及家电。其中,MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案,最多的时候,帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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现货平台 / 华轩阳电子 授权代理店
| 订货型号 | TK35A65W5,S5X | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | TK35A65W5,S5X | 品类 | 碳化硅场效应管 |
| 描述/说明 | ID:24A,VDSS:650V,RDON:95mR,VGS:-8/+20V,TYPE:N沟道 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ID | 24A | VDSS | 650V |
| RDON | 95mR | VGS | -8/+20V |
| TYPE | N沟道 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥18.8236
库存:
0
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| 订货型号 | TK28A65W,S5X | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | TK28A65W,S5X | 品类 | 碳化硅场效应管 |
| 描述/说明 | ID:18A,VDSS:650V,RDON:94mR,VGS:-10/+25V,TYPE:N沟道 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ID | 18A | VDSS | 650V |
| RDON | 94mR | VGS | -10/+25V |
| TYPE | N沟道 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥16.0000
库存:
0
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| 订货型号 | LL4148 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | LL4148 | 品类 | 开关二极管 |
| 描述/说明 | 功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns | 封装/外壳/尺寸 | LL-34 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 直流反向耐压VR(V) | 75V | 平均整流电流IO(mA/A) | 200mA |
| 正向压降VF(V) | 1V | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.0223
库存:
0
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| 订货型号 | HESD5341N | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HESD5341N | 品类 | 保护二极管 |
| 描述/说明 | IPP:4A,VRWM:5V,CJ:0.6pF,LINE:1通道,TYPE:Uni单向 | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-2L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IPP | 4A | VRWM | 5V |
| CJ | 0.6pF | LINE | 1通道 |
| TYPE | Uni单向 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.0591
库存:
0
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| 订货型号 | SD103AW | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | SD103AW | 品类 | 肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VR直流反向耐压(V) | 40V | 平均整流电流IO(A/mA) | 350mA |
| 正向压降VF(V) | 0.6V | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.0236
库存:
100
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| 订货型号 | 1N5819W | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | 1N5819W | 品类 | 肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VR直流反向耐压(V) | 40V | 平均整流电流IO(A/mA) | 350mA |
| 正向压降VF(V) | 0.6V | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.0236
库存:
100
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| 订货型号 | ESD5451N | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | ESD5451N | 品类 | Bi-directional ESD Protection Diode |
| 描述/说明 | VRWM:5V,IPP:9A,VC:10V,C:15pF,1通道的双向二极管 | 封装/外壳/尺寸 | DFN1006-2L |
| 最小包装量 | 10,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRWM(V) | 5V | VC(V) | 10V |
| CJ(pF) | 15pF | IPP(A) | 9A |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.0207
库存:
50
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| 订货型号 | MBRX160 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | MBRX160 | 品类 | 肖特基二极管 |
| 描述/说明 | IF:1A,VR:60V,VF:0.72V,IR:300uA,IFSM:20A | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IF | 1A | VR | 60V |
| VF | 0.72V | IR | 300uA |
| IFSM | 20A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.0875
库存:
0
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| 订货型号 | MBR0530T1G | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | MBR0530T1G | 品类 | 肖特基二极管 |
| 描述/说明 | IF:0.5A,VR:30V,VF:0.55V,IR:80uA,IFSM:5.5A | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IF | 0.5A | VR | 30V |
| VF | 0.55V | IR | 80uA |
| IFSM | 5.5A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.0649
库存:
0
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| 订货型号 | BZT52C10 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | BZT52C10 | 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | IF:0.01A,VR:10V,VF:0.85V,IR:0.08uA,PD:0.5W | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| IF | 0.01A | VR | 10V |
| VF | 0.85V | IR | 0.08uA |
| PD | 0.5W | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.0313
库存:
0
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
NLM(日轻)以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺,为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器,热阻≤0.03 K/W。
立即提交 车规级高功率密度功率模块冷却器定制 >>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。
立即提交 笔电热管/高功率热管/平头热管定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
TK35A65W,S5X 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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| 技术文档 - 英文 |
TK12A50W,S5X N沟道功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
SiC功率MOSFET N沟道增强型TK28A65W,S5X
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| 数据手册 - 中文 |
TK9A65W,S5X 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
TK17A65W, S5X TO-220F HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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| 数据手册 - 中文 |
TK6A65W,S5X HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
TK17A65W5,S5X TO-220F HXY 金属氧化物半导体场效应晶体管
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| 数据手册 - 英文 |
高速开关与低电容
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| 数据手册 - 英文 |
TK14A65W5,S5X 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
IMZA65R033M2HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 中文 |
IMZA65R033M2HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
NVHL027N65S3F 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
IMW65R083M1HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
SIHW22N65E-GE3 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
SICW1000N170Y SiC功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
IXFN170N65X2 SiC 功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
IXFY8N65X2 SiC功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
IMBG65R026M2H SiC功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
STW50N65DM2AG SiC功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
STD13N65M2 SiC功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型 HT5N1700ADZ
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| 数据手册 - 英文 |
IPW65R099CFD7AXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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| 数据手册 - 英文 |
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型 WNSC2M1K0170JQ
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| 数据手册 - 英文 |
IPWS65R022CFD7AXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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NTH4L032N065M3S 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IPW65R095C7XKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IXFH80N65X2 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IMZA65R020M2HXKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IPW65R090CFD7XKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IPZ60R037P7XKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IPZ60R037P7XKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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NVH4L075N065SC1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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TW123V65C,LQ 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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STW65N023M9-4 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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碳化硅功率MOSFET N沟道增强型 RSM1701K0W
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SCTWA35N65G2V-4 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IPW65R080CFDFKSA2 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IXFH26N65X2 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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SIHG28N65E-GE3 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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TW048Z65C,S1F 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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SIHG22N65E-GE3 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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STW78N65M5 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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R6504END3TL1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IXFX100N65X2 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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IPP65R099CFD7AAKSA1 碳化硅功率MOSFET N沟道增强型
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
华轩阳电子ESD/TVS静电浪涌保护元器件 —— 您值得信赖的选择
在当今高速发展的电子设备市场中,静电放电和瞬态电压尖峰已成为影响产品可靠性和使用寿命的重要因素。为了应对这些挑战,华轩阳电子作为一家半导体元器件供应商,致力于提供高质量、高性能的ESD/TVS保护解决方案。
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解锁高速吹风筒的科技魅力:华轩阳电子功率器件优化解决方案,实现快速、安全、低能耗的吹发体验
高速吹风筒,作为日常护理不可或缺的小家电,其性能的优劣直接影响着我们的使用体验。本文,华轩阳电子将深入探索高速吹风筒背后的秘密——高效功率器件解决方案,揭秘如何通过精选的MOS管、快恢复二极管、肖特基二极管及整流桥,共同协作,实现快速、安全、低能耗的吹发体验。
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赋能车载无线充电,华轩阳电子提供MOS管、三极管与LDO功率器件解决方案
本文将深入了解华轩阳为车载无线手机充电器(内置三个线圈)量身打造的功率器件解决方案,包括MOS管、三极管与LDO。该车载无线手机充电器功率器件解决方案,集MOS管的高效驱动、三极管的精密调控与LDO的纯净供电于一体,全方位优化充电性能,为车主带来安全、快捷、无忧的无线充电体验。
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华轩阳为5G电池电源应用提供MOSFET和肖特基二极管等产品,简化的栅极驱动要求,达到更高的工作频率
随着人们对数据的需求不断增长,对于下一代边缘云计算、物联网设备、智能运输系统,当然还有高清AR / VR视频直播而言,5G基础设施至关重要。借助5G基础设施,我们可以从现有的经典网络结构过渡到软件定义网络,只需体形小巧、高效的宏电池电源(10 KW至20 KW)和微电池电源(500 W至2 KW),便可确保我们全天候保持连接。
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Huaxuan Yang Electronics Recommendation of 17 Silicon Carbide MOSFET Products for Industrial and New Energy Vehicle Fields
Silicon carbide (SiC) power devices have shown strong competitive advantages in the global industrial and new energy vehicle fields. This article will analyze and recommend 17 high-performance silicon carbide MOSFET product lines developed and produced by Huaxuan Yang Electronics. These products, with their excellent VDSS, RDON, and ID parameter ranges, as well as the TO247 packaging form, provide the best solutions for different application needs.
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