IPZ60R037P7XKSA1 SiC Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
特性
• 宽禁带SiC MOSFET技术
• 低导通电阻且高阻断电压
• 低电容且高速开关
• 低反向恢复电荷(Qrr)
• 无卤素，符合RoHs标准
优势
• 降低开关损耗
• 提高系统开关频率
• 提高功率密度
• 降低散热器要求
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产品型号
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品类
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类型
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集射极击穿电压
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集电极电流
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封装
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DTA143ECA
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数字晶体管
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PNP
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50V
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100mA
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SOT-23
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产品型号
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品类
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ID
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VDSS
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RDON
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VGS
|
TYPE
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封装
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HCG65140DAA
|
氮化镓晶体管
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17A
|
650V
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100mR
|
-1.4~+7V
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N沟道
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DFN8X8
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产品型号
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品类
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输入电压类型
|
输出类型
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正向电压
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输出电流
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反向电压
|
总功耗
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上升时间
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下降时间
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工作温度
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封装
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PC817C-SMD-4P
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晶体管输出光耦
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DC
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光电三极管
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1.2V
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50mA
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6V
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200mW
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18us
|
18us
|
-55℃~+110℃
|
SMD-4P
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