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2H15120H6A 1200V-15A RD Half Bridge Module
发布时间: 2026-04-27
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
海明微半导体(HAIMINGWAY)
型号:
2H15120H6A
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海明微半导体官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是海明微半导体的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供海明微半导体的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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专注于功率半导体设计、制造与销售的高科技企业——海明微半导体(HAIMINGWAY)
安徽海明微半导体有限公司(HAIMINGWAY)是一家专注于功率半导体设计、制造与销售的高科技企业,总部及生产基地坐落于安徽池州国家级经济技术开发区,工厂占地面积6000平方米,致力于打造具有国际竞争力的功率半导体民族品牌。公司作为功率半导体生产型企业,聚焦于先进功率器件的研发与制造,主要产品包括:TSC263顶部散热IGBT单管、RD整流管,碳化硅MOS,碳化硅二极管,碳化硅IPM。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合海明微半导体原厂及授权代理商FAE资源,提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持,响应快、专业强,助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供海明微半导体快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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NLM(日轻)以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺,为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器,热阻≤0.03 K/W。
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资料平台
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2H30120H6A 1200V-30A RD半桥模块
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2H30160H6A 1600V-30A RD半桥模块
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2H20120H6A 1200V-20A RD半桥模块
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2H20100A6A 1000V-20A RD半桥模块
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2H25160H6A 1600V-25A RD半桥模块
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2H10120H6A 1200V-10A RD半桥模块
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2H15160H6A 1600V-15A RD半桥模块
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HE40R065H6CFS High Performance Field Stop IGBT Power Transistor DATA SHEET(HE40R065H6CFS 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HE15R120H6DHU High Performance Field Stop IGBT Power Transistor DATA SHEET(HE15R120H6DHU 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HE40R065H6DHU High Performance Field Stop IGBT Power Transistor DATA SHEET(HE40R065H6DHU 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HE15R065H6DHW High Performance Field Stop IGBT Power Transistor DATA SHEET(HE15R065H6DHW 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HC190N070S1E 700V N沟道SiC MOSFET
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HE40R065H6DHW 高性能场终止IGBT功率晶体管
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HC044N065R4R 650V N沟道SiC MOSFET
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HC190N070P1E 700V N沟道碳化硅MOSFET
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1200V N沟道SiC MOSFET HC032N120G4T
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650V N沟道SiC MOSFET
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1200V N沟道碳化硅MOSFET
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HC032N120C4T 1200V N沟道碳化硅MOSFET
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HC026N065R4R
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HE20R065H6DHW
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HD080N140A4R 1400V-80A 碳化硅肖特基二极管
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HR20065H6W 650V-20A 超快恢复二极管
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700V N沟道SiC MOSFET HC260N070E
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1400V-40A碳化硅肖特基二极管
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HC260N070A5E 700V N沟道碳化硅MOSFET
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HC024N120R4R 1200V N沟道SiC MOSFET
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HC120N120H6Z 1200V N沟道SiC MOSFET
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高性能场终止IGBT功率晶体管
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高性能场终止IGBT功率晶体管
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
海明微半导体产品介绍(Introduction to Himingway Semiconductor Products)
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海明微TSC263-4L:顶部散热封装革新与自动化生产新范式
海明微推出TSC263-4L顶部散热封装系列,支持贴片自动化生产,温升降低10℃以上。涵盖IGBT、整流管、SiC MOS、SBD四大品类,内置ESD防护,支持多电路共用散热器,适用于白色家电、工业控制及新能源领域。
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长晶科技卓越FST 3.0 IGBT平台模块赋能光伏储能领域
长晶科技推出基于FST 3.0工艺平台的IGBT半桥模块,具备高功率密度、低损耗及高可靠性,适用于光伏逆变器、PCS等场景,提供定制驱动板与调试支持服务。
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瞻芯电子1200V SiC半桥1B封装模块,助力高频高效应用
瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景,提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。模块采用瞻芯电子第二代平面栅1200V SiC MOSFET芯片,兼有良好性能和可靠性表现。
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基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块——革新您的电源体验
基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块不仅在材料选择上具有领先优势,其内置的高性能器件也确保了其在高效能电源转换领域的领先地位。无论是对于设计者还是终端用户而言,PcoreTM2 E2B模块都是提升系统性能、可靠性和经济性的优选方案。
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美林电子推出MN封装IGBT 1200V/1700V半桥模块,采用铜线键合工艺,10μs短路耐量能力
美林电子MN封装IGBT模块采用行业标准外形设计,搭配1200V 200A、1700V 150A、200A大电流IGBT芯片,内部杂散电感小,电流密度高,600A以上电流端子侧采用铜线键合,适用光伏发电、新能源汽车等领域。
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