1200V N-Channel SiC MOSFET HC032N120G4T

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2026-04-28 海明微半导体 数据手册 中文
高效率与低损耗性能,优化的开关性能与高频率支持,最小化的散热需求,高功率密度,增强的驱动稳定性(开尔文源极),系统简化与成本降低,符合RoHS标准
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