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6HP30N120A9C
发布时间: 2026-04-27
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
海明微半导体(HAIMINGWAY)
型号:
6HP30N120A9C
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海明微半导体官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是海明微半导体的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供海明微半导体的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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专注于功率半导体设计、制造与销售的高科技企业——海明微半导体(HAIMINGWAY)
安徽海明微半导体有限公司(HAIMINGWAY)是一家专注于功率半导体设计、制造与销售的高科技企业,总部及生产基地坐落于安徽池州国家级经济技术开发区,工厂占地面积6000平方米,致力于打造具有国际竞争力的功率半导体民族品牌。公司作为功率半导体生产型企业,聚焦于先进功率器件的研发与制造,主要产品包括:TSC263顶部散热IGBT单管、RD整流管,碳化硅MOS,碳化硅二极管,碳化硅IPM。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合海明微半导体原厂及授权代理商FAE资源,提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持,响应快、专业强,助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供海明微半导体快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制分流器电阻范围20uΩ~100uΩ,可自由设计铜排形状尺寸,电镀:镀锡/镀镍。支持RoHS指令 、AEC-Q200。认证资格:IATF16949;ISO9001;检测精度:0.1%。
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NLM(日轻)以铝挤+CNC+真空钎焊一体化工艺,为新能源电驱及工业逆变场景定制轻量化功率模块冷却器,热阻≤0.03 K/W。
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HE10R065H6DEHW High performance field stop IGBT power transistor DATA SHEET(HE10R065H6DEHW 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HE10R065H6DHW High performance field stop IGBT power transistor DATA SHEET(HE10R065H6DHW 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HE40R065H6CFS High Performance Field Stop IGBT Power Transistor DATA SHEET(HE40R065H6CFS 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HE15R120H6DHU High Performance Field Stop IGBT Power Transistor DATA SHEET(HE15R120H6DHU 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HE15R065H6DHW High Performance Field Stop IGBT Power Transistor DATA SHEET(HE15R065H6DHW 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HC190N070S1E 700V N沟道SiC MOSFET
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HE40R065H6DHW 高性能场终止IGBT功率晶体管
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HC044N065R4R 650V N沟道SiC MOSFET
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HC190N070P1E 700V N沟道碳化硅MOSFET
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650V N沟道SiC MOSFET
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650V N沟道SiC MOSFET
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1200V N沟道SiC MOSFET HC032N120G4T
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1200V N沟道碳化硅MOSFET
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HC032N120C4T 1200V N沟道碳化硅MOSFET
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HC026N065R4R
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HD080N140A4R 1400V-80A 碳化硅肖特基二极管
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HR20065H6W 650V-20A 超快恢复二极管
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1400V-40A碳化硅肖特基二极管
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700V N沟道SiC MOSFET HC260N070E
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HC260N070A5E 700V N沟道碳化硅MOSFET
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HC024N120R4R 1200V N沟道SiC MOSFET
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HC190N070A5E 700V N沟道碳化硅MOSFET
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HC120N120H6Z 1200V N沟道SiC MOSFET
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高性能场终止IGBT功率晶体管
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HC120N120B4R 1200V N沟道SiC MOSFET
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650V N沟道SiC MOSFET HC120N065H6P
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
海明微半导体产品介绍(Introduction to Himingway Semiconductor Products)
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海明微半导体产品介绍
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电网公司对逆变器接入配电网的技术要求
本文规定了逆变器型分布式电源接入10千伏及以下配电网的技术要求,包括并网点设备配置、电压保护、重合闸设置、功率因数调节等内容,并明确接入220/380伏配电网的特殊要求。
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基于逆变器应用方案的光鼎IGBT Moudle推荐
逆变器也称逆变流器、逆换流器、反流器 。本文介绍逆变器设计方案并推荐使用光鼎IGBT Discrete和IGBT Moudle选型产品表。
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电动汽车牵引逆变器
恩智浦电动汽车牵引逆变器是关键部件,负责将电池直流电转换为交流电驱动电机。该系统具备多核锁步MCU、安全SBC、CAN、以太网PHY和高压栅极驱动器,提供高效可靠的电源转换。系统支持大功率开关控制、监测和保护,实现电机速度和扭矩的精确控制,符合ISO26262标准的ASIL D要求。恩智浦提供易于使用的控制参考平台和系统使能软件,包括原理图、BoM、布局文件和安全文档。
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