High Performance Field Stop IGBT Power Transistor
发布时间:
2026-04-27
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
海明微半导体(HAIMINGWAY)
型号:
HE20R065H6DFS
海明微半导体官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是海明微半导体的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供海明微半导体的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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专注于功率半导体设计、制造与销售的高科技企业——海明微半导体(HAIMINGWAY)
安徽海明微半导体有限公司(HAIMINGWAY)是一家专注于功率半导体设计、制造与销售的高科技企业,总部及生产基地坐落于安徽池州国家级经济技术开发区,工厂占地面积6000平方米,致力于打造具有国际竞争力的功率半导体民族品牌。公司作为功率半导体生产型企业,聚焦于先进功率器件的研发与制造,主要产品包括:TSC263顶部散热IGBT单管、RD整流管,碳化硅MOS,碳化硅二极管,碳化硅IPM。
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高性能场终止IGBT功率晶体管
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高性能场终止IGBT功率晶体管
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高性能场截止 IGBT 功率晶体管
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HE40R065H6DHW 高性能场终止IGBT功率晶体管
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HE15R065H6DHW High Performance Field Stop IGBT Power Transistor DATA SHEET(HE15R065H6DHW 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HE15R120H6DHU High Performance Field Stop IGBT Power Transistor DATA SHEET(HE15R120H6DHU 高性能场截止IGBT功率晶体管 数据手册)
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HC190N070S1E 700V N沟道SiC MOSFET
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HC044N065R4R 650V N沟道SiC MOSFET
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HC190N070P1E 700V N沟道碳化硅MOSFET
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650V N沟道SiC MOSFET
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650V N沟道SiC MOSFET
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1200V N沟道SiC MOSFET HC032N120G4T
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1200V N沟道碳化硅MOSFET
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HC032N120C4T 1200V N沟道碳化硅MOSFET
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HC026N065R4R
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HE20R065H6DHW
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HD080N140A4R 1400V-80A 碳化硅肖特基二极管
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HR20065H6W 650V-20A 超快恢复二极管
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1400V-40A碳化硅肖特基二极管
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700V N沟道SiC MOSFET HC260N070E
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HC260N070A5E 700V N沟道碳化硅MOSFET
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HC024N120R4R 1200V N沟道SiC MOSFET
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HC190N070A5E 700V N沟道碳化硅MOSFET
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700V N沟道SiC MOSFET
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HC120N120H6Z 1200V N沟道SiC MOSFET
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HC120N120B4R 1200V N沟道SiC MOSFET
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650V N沟道SiC MOSFET HC120N065H6P
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HC034N065B4R 650V N沟道SiC MOSFET
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HC260N070S1E 700V N沟道SiC MOSFET
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HC260N070P1E 700V N沟道碳化硅MOSFET
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HC120N120R4R 1200V N沟道碳化硅MOSFET
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HC032N120B8T 1200V N沟道SiC MOSFET
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