VRRM 1200 V, IF(TC=165°C) 2 A, Low Leakage Current MOSFET
发布时间：
2026-04-27
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
基本半导体（BASiC semiconductor）
型号：
B2D02120E1
基本半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是基本半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供基本半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）
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现货平台 / 基本半导体 授权代理店
| 订货型号 | B2D02120E1 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B2D02120E1 |
| 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | 碳化硅肖特基二极管，Vʀʀᴍ：1200V，Iғ：2A，Iғsᴍ：22A，Vғ：1.35V，Pᴛᴏᴛ：77W，Qᴄ：13nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Vʀʀᴍ（V） | 1200V |
| Iғ(A) | 2A |
| Iғsᴍ(A) | 22A |
| Vғ(V) | 1.35V |
| Pᴛᴏᴛ(W) | 77W |
| Qᴄ(nC) | 13nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | B1M080120HC |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B1M808120HC |
| 品类 | 碳化硅场效应晶体管 |
| 描述/说明 | SiC MOSFET; VRRM = 1200V; IF(Tc=25°C) =42A; RDS(on) =80 mΩ, 封装 TO-247-3L |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3L |
| 最小包装量 | 30 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | 1200 V |
| ID(Tc=25°C) | 42 A |
| RDS(on) | 80 mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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授权代理,
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原厂认证
价格：
￥240.0000
库存：
15
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| 订货型号 | B3M025065Z |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | B3M025065Z |
| 品类 | SiC MOSFET |
| 描述/说明 | SiC MOSFET,Vᴅs:650V，Iᴅ：111A，Rᴅs：18V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247-4 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Vᴅs | 650V |
| Iᴅ | 111A |
| Rᴅs | 18V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BMCS002MR12L3CG5 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMCS002MR12L3CG5 |
| 品类 | SIC MOSFET Module |
| 描述/说明 | Common-Source Bidirectional Switch 1200V SIC MOSFET Module |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Vᴅss | 1200V |
| Iᴅ | 760A |
| Pᴅ | 597W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BMF360R12KA3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF360R12KA3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 32℃：3.5mΩ，Idnom：360A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：2.7V，VSD：4.7V，QG：880nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | 62mm |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 3.5mΩ |
| IDnom(A) | 360A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 2.7V |
| VSD(V) | 4.7V |
| QG(nC) | 880nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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库存：
0
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| 订货型号 | BMF180R12KA3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF180R12KA3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 31℃：7mΩ，Idnom：180A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：2.7V，VSD：4.7V，QG：440nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | 62mm |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 7mΩ |
| IDnom(A) | 180A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 2.7V |
| VSD(V) | 4.7V |
| QG(nC) | 440nC |
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价格：
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0
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| 订货型号 | BMF160R12RA3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF160R12RA3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 30℃：7.5mΩ，Idnom：160A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：2.7V，VSD：4.71V，QG：440nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | 34mm |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 7.5mΩ |
| IDnom(A) | 160A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 2.7V |
| VSD(V) | 4.71V |
| QG(nC) | 440nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BMF240R12E2G3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF240R12E2G3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 28℃：5.5mΩ，Idnom：240A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：4V，VSD：1.9V，QG：492nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | Pcore™2 E2B |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 5.5mΩ |
| IDnom(A) | 240A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 4V |
| VSD(V) | 1.9V |
| QG(nC) | 492nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BMF008MR12E2G3 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMF008MR12E2G3 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 27℃：8.1mΩ，Idnom：160A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：4V，VSD：1.8V，QG：401nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | Pcore™2 E2B |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 8.1mΩ |
| IDnom(A) | 160A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 4V |
| VSD(V) | 1.8V |
| QG(nC) | 401nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供BMF008MR12E2G3在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | BMS065MR12EP2CA2 |
| 品牌 | 基本半导体 |
| 型号系列 | BMS065MR12EP2CA2 |
| 品类 | SiC MOSFET Module |
| 描述/说明 | SiC MOSFET Module，Industrial grade，VDSS：1200V，RDS(on) @ 34℃：65mΩ，Idnom：25A，VGS(op)：+18/-4V，VGS(th)：2.7V，VSD：4.7V，QG：60nC。 |
| 封装/外壳/尺寸 | PcoreTM12 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 纸箱包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDSS(V) | 1200V |
| RDS(on) (mΩ) @ 25℃ | 65mΩ |
| IDnom(A) | 25A |
| VGS(op)(V) | +18/-4V |
| VGS(th)(V) | 2.7V |
| VSD(V) | 4.7V |
| QG(nC) | 60nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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B2D02120E1碳化硅肖特基二极管
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SiC MOSFET B3M010C075Z
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| 数据手册 - 英文 |
SiC MOSFET B3M025065L
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SiC Mosfet模块
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| 数据手册 - 英文 |
AB3M025065C SiC MOSFET
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B2M035120YP SiC MOSFET
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B2M065120H SiC MOSFET
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SiC MOSFET B3M025065B
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应用在太阳能逆变器中，请问有没有替代CREE C2M0160120D的国产SiC MOSFET推荐？
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你好，国产的碳化硅MOSFET,现在有40毫欧的吗？我目前有个电驱项目想试试。
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应用/方案
碳化硅MOSFET在TO-247-3和TO-247-4封装中开关过程 ∣ 视频
相较于硅基IGBT，碳化硅MOSFET有着更快的开关速度，因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将以TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例，为大家讲解不同封装的碳化硅MOSFET在开关过程中的性能表现。
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【技术】SiC科普小课堂 | 碳化硅MOSFET的RDS(on)构成情况 ∣ 视频
今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将继续围绕碳化硅MOSFET的话题，为大家介绍其RDS(on)的构成情况，以及降低该电阻、提高器件性能需要攻克的主要方向。
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【技术】基本半导体SiC科普小课堂 | 什么是MOSFET的漂移区及体二极管？｜视频
漂移区电阻是MOSFET导通电阻RDS(on)的主要组成部分。那么什么是漂移区？这其中涉及到的另一个重要概念——体二极管，二者有何关系？在MOSFET截止时，谁是承担电压的主要角色？
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SiC科普小课堂 | MOSFET的RDS(on)的主要贡献者是什么？ ｜ 视频
那么，MOSFET的RDS(on)电阻的主要贡献者是什么呢？今天，魏老师将着重为大家介绍这一话题，请大家赶紧搬好小板凳，开课咯！
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