IGN0912CW10 L-Band Radar Transistor Preliminary Specification
发布时间：
2026-04-29
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Integra Technologies
型号：
IGN0912CW10; IGN0912L45
加工定制
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
立即提交 位移传感器量程定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IGN0912L45|射频功率晶体管IGN0912L45S
Pending
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0912L250M|射频功率晶体管IGN0912L250MS
IGN0912L250M-REV-NC-DS-REV-B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0912LM500|射频功率晶体管IGN0912LM500A
IGN0912LM500-REV-NC-DS-REV-B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN1011S1250|射频功率晶体管
IGN1011S1250-REV-NC-DS-REV-NC
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN1011M600|射频功率晶体管IGN1011M600S
IGN1011M600-REV-NC-DS-REV-B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0912L500|射频功率晶体管
IGN0912L500-REV-NC-DS-REV-C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0450M850|射频功率晶体管-IGN0450M850S
IGN0450M850-REV-PR1-DS-B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN1011L20-Pb|射频功率晶体管
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0912CW150|射频功率晶体管
IGN0912CW150-REV-PR1-DS-REV-A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0450L1250|射频功率晶体管
IGN0450L1250-REV-PR1-DS-REV-A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN1011L1000R2|射频功率晶体管-IGN1011L1000R2S
IGN1011L1000R2-REV-NC-DS-REV-A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0912L250A|射频功率晶体管-IGN0912L250AS
IGN0912L250A-REV-PR1-DS-REV-C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN1011L120|射频功率晶体管IGN1011L120S
IGN1011L120-REV-NC-DS-REV-E
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0450M250|射频功率晶体管IGN0450M250S
Preliminary - REV A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0912L125A|射频功率晶体管IGN0912L125AS
IGN0912L125A-REV-PR1-DS-REV-B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0912CW300|射频功率晶体管
IGN0912CW300-REV-NC-DS-REV-A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN1011L1200|射频功率晶体管IGN1011L1200S-L波段，氮化镓/SiC，射频功率晶体管
IGN1011L1200-REV-NC-DS-REV-G
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0450M1500|射频功率晶体管IGN0450M1500S
IGN0450M1500-REV-PR1-DS-REV-B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
IGN0160UM12|射频功率晶体管
iGN0160UM12-REV-PR1-DS-REV-A
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
【产品】180W氮化镓高电子迁移率晶体管CHZ180AaSEB，具有输入匹配和输出预匹配特性
UMS推出的CHZ180AaSEB是一款180W氮化镓高电子迁移率晶体管，为L波段的各种射频功率应用提供宽频带解决方案，非常适合脉冲雷达应用。CHZ180AaSEB基于Quasi-MMIC技术，采用了0.5µm栅极长度的GaN HEMT工艺，并采用密封的法兰陶瓷金属封装，具有低寄生和低热阻。
阅读原文 >>
【产品】350W高功率射频晶体管PTVA123501EC，L波段功率放大器首选
英飞凌半导体公司推出的一款适用于1200-1400MHz频段的大功率LDMOS —PTVA123501EC。该器件输出功率可达350W，功率增益高达17dB，适用于L波段的高功率放大器应用，尤其是L波段雷达功率放大器。
阅读原文 >>
【产品】1.2-1.4GHz氮化镓高电子迁移率晶体管CHZ015AaQEG，非常适合脉冲雷达应用
UMS的CHZ015AaQEG是一种输入匹配的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。它可以为L波段的各种射频功率应用提供宽带解决方案。该电路非常适合脉冲雷达应用，提出了一种0.5μm栅长氮化镓高电子迁移率晶体管工艺。它基于准微波单片集成电路技术，采用符合RoHS标准的SMD封装。
阅读原文 >>
【产品】可用于L波段的GaN高电子迁移率晶体管CHZ180A-SEB，专为脉冲雷达应用而设计
UMS的CHZ180A-SEB带宽在1.2到1.4GHz之间，PAEmax的典型值为52% 。
阅读原文 >>
