DP065NE8PGN, DP065NE8BGN DPMOS N-MOSFET
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
德普微电子（DEVELOPER MICROELECTRONICS）
型号：
DP065NE8PGN; DP065NE8BGN
德普微电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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LED显示驱动技术的领航者：专注于电源管理、电机驱动及LED照明芯片的设计与制造企业——德普微电子（DP）
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| 订货型号 | DP065NE8PGN |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP065NE8PGN |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):85V;VGS(V):±20V;ID(A):105A;Vth(V):3V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| VDS(V) | 85V |
| VGS(V) | ±20V |
| ID(A) | 105A |
| Vth(V) | 3V |
| VGS10V(TYP) | 5.3V |
| VGS10V(MAX) | 6.5V |
| ESD | N |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.4580
库存：
0
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| 订货型号 | DP065NE8BGN |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP065NE8BGN |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):85V;VGS(V):±20V;ID(A):105A;Vth(V):3V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| VDS(V) | 85V |
| VGS(V) | ±20V |
| ID(A) | 105A |
| Vth(V) | 3V |
| VGS10V(TYP) | 5.1V |
| VGS10V(MAX) | 6.3V |
| ESD | N |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.4950
库存：
0
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| 订货型号 | DP023N10TGNT |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP023N10TGNT |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | DPMOS N-MOSFET 100V, 1.3mΩ, 334A |
| 封装/外壳/尺寸 | TOLL |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | 100V |
| RDS(on).typ | 1.3mΩ |
| ID | 334A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | DPDW01-S |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DPDW01-S |
| 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 性比价单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:2.4,过放解除电压TYP（V）:3 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 |
| 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 2.4 |
| 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 充电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 |
| 休眠功能 | NO |
| 正常功耗TYP(µA) | 1.5 |
| 休眠功耗MAX(µA) | 1 |
| 过充延时TYP(mS) | 100 |
| 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 400 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0730
库存：
0
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| 订货型号 | DPDW01 |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DPDW01 |
| 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:2.4,过放解除电压TYP（V）:3 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 |
| 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 2.4 |
| 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 充电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 |
| 休眠功能 | NO |
| 正常功耗TYP(µA) | 1.5 |
| 休眠功耗MAX(µA) | 1 |
| 过充延时TYP(mS) | 100 |
| 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 400 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1010
库存：
0
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| 订货型号 | DP30100 |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP30100 |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):30V;VGS(V):±20V;ID(A):100A;Vth(V):1.6V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| VDS(V) | 30V |
| VGS(V) | ±20V |
| ID(A) | 100A |
| Vth(V) | 1.6V |
| VGS10V(TYP) | 3V |
| VGS10V(MAX) | 4V |
| VGS4.5V(TYP) | 4.2V |
| VGS4.5V(MAX) | 5.7V |
| ESD | N |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3850
库存：
0
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| 订货型号 | DP8261-G3J |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP8261-G3J |
| 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:3,过放解除电压TYP（V）:3 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 |
| 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 3 |
| 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.08 |
| 充电过流检测TYP（V） | 0.2 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 |
| 休眠功能 | YES |
| 正常功耗TYP(µA) | 1 |
| 休眠功耗MAX(µA) | 0.5 |
| 过充延时TYP(mS) | 1000 |
| 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 充电过流延时TYP(mS) | 20 |
| 短路延时TYP(µS) | 300 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0750
库存：
0
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| 订货型号 | DP3153S/QSOP24 |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP3153S |
| 品类 | LED显示驱动芯片 |
| 描述/说明 | 共阳LED显示驱动芯片,工作电压范围（V）:3.3~5,目标应用场景:户外高端 |
| 封装/外壳/尺寸 | QSOP24 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 工作模式 | 共阳 |
| 目标应用场景 | 户外高端 |
| 扫描数 | 1~32 |
| 工作电压范围（V） | 3.3~5 |
| 输出电流范围(mA) | 0.5~25 |
| 低拐点电压 | Y |
| 通道差异 | ±2.5% |
| 芯片间差异 | ±2% |
| 电流增益 | Y |
| PWM芯片 | Y |
| 刷新率（典型） | 3840Hz |
| 可配置无Rext | - |
| 双沿传数 | Y |
| 内部倍频GLCK | Y |
| 内部倍频GLCK频率 | 40M |
| 典型规格(供参考)8扫 | 15bit/3840Hz |
| 典型规格(供参考)16扫 | 15bit/3840Hz |
| 典型规格(供参考)32扫 | 15bit/3840Hz |
| 支持低灰高刷 | Y |
| 黑屏节能 | Y |
| 最高灰度 | 15bit |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供DP3153S/QSOP24在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | DPDW01G |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DPDW01G |
| 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:2.4,过放解除电压TYP（V）:3 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 |
| 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 2.4 |
| 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 充电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 |
| 休眠功能 | NO |
| 正常功耗TYP(µA) | 1.5 |
| 休眠功耗MAX(µA) | 1 |
| 过充延时TYP(mS) | 100 |
| 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 400 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1180
库存：
0
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DPDW01G 样品申请 >>
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| 订货型号 | DP8205 |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP8205 |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Dual;VDS(V):20V;VGS(V):±12V;ID(A):5A;Vth(V):0.7V |
| 封装/外壳/尺寸 | TSSOP-8 |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1290
库存：
0
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DP065NE8FGN
0.9
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DP060N06DTN TRMOS N-MOSFET 60V，4.1mΩ，100A TO-252
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DPMOS N沟道MOSFET 85V，5.6mΩ，100A
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DP060N03STL DPMOS N沟道MOSFET 30V，5.5mΩ，18A
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产品数据表
0.5
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DP060N03MGL DPMOS N-MOSFET 30V，5.6mΩ，49A
1.15
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DPMOS N-MOSFET 100V，1.75mΩ，300A
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DP080N10FGL DPMOS N沟道MOSFET 数据手册
Rev1.0
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DPMOS N-MOSFET 30V，1.8mΩ，120A
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DP015N04PGN, DP015N04BGN DPMOS N沟道MOSFET
Rev1.2
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DP016N04TGL *DPMOS N-MOSFET 40V, 1mΩ, 240A*
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DP028N04FGN DPMOS N-MOSFET 40V，2mΩ，120A
Rev1.0
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DP036N06DGN *DPMOS N-MOSFET 60V, 3.4mΩ, 100A*
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DP036N06FGN *DPMOS N-MOSFET 60V, 3.0mΩ, 100A*
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DP025N04DGL *DPMOS N-MOSFET 40V, 2.6mΩ, 120A*
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DP034N06DGL *DPMOS N-MOSFET 60V, 3.2mΩ, 100A*
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DP013N04TGL DPMOS N-MOSFET 40V，1.1mΩ，200A
Rev1.0
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DP050N15TGN2 *DPMOS N-MOSFET 150V, 4.2mΩ, 171A*
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DP038N04FGL DPMOS N-MOSFET 40V，3.3mΩ，93A
Rev1.0
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DP013N04FGL DPMOS N-MOSFET 40V，1.1mΩ，120A
Rev1.0
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DP160N06PTL，DP160N06BTL - DPMOS N-MOSFET 60V，11.3mΩ，48A
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DP008N04FGNA DPMOS N-MOSFET 40V，0.7mΩ，334A
Rev1.0
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DP010N04FGL DPMOS N-MOSFET 40V，0.9mΩ，200A
Rev1.0
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DP013N04PGL、DP013N04BGL DPMOS N-MOSFET 40V，1.1mΩ，195A
2023 Rev1.2
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DP028N12TGN DPMOS N-MOSFET 120V，2.2mΩ，225A
Rev1.0
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DP020N06TGL DPMOS N-MOSFET 60V，1.4mΩ，276A
Rev1.0
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DP050N15KGN2 DPMOS N-MOSFET 150V，4.2mΩ，180A
Rev1.0
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DP040N04FGN DPMOS N-MOSFET 40V，3.4mΩ，90A
Rev1.0
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DP032N06FGN DPMOS N-MOSFET 60V，2.3mΩ，100A
Rev1.0
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DP100N20TGN DPMOS N-MOSFET 200V，9mΩ，113A
Rev1.0
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DP040N10FGL2 DPMOS N-MOSFET 100V，3.2mΩ，150A
Rev1.0
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DP008N04FGLA DPMOS N-MOSFET 40V，0.68mΩ，120A
Rev1.0
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DP015N04TGN DPMOS N-MOSFET 40V，0.8mΩ，414A
Rev1.0
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DP015N04FGN DPMOS N-MOSFET 40V，1.1mΩ，120A
Rev1.0
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DP053N10FGN2 DPMOS N-MOSFET 100V，4.8mΩ，80A
Rev1.1
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DP053N10FGN2 DPMOS N-MOSFET 100V，4.8mΩ，80A
1.1
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DP016N10TGN2 DPMOS N-MOSFET 100V，1.4mΩ，342A
Rev1.0
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DP050N10FGL2 DPMOS N-MOSFET 100V，4.3mΩ，131A
Rev1.0
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| 数据手册 - 中文 |
DP034N06FGL DPMOS N-MOSFET 60V，3mΩ，90A
1.05
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DP055N10BGN，DP055N10PGN DPMOS N-MOSFET 100V，4.5mΩ，132A
Rev1.0
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DP045N10FGN2 DPMOS N-MOSFET 100V，3.8mΩ，80A
Rev1.0
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DP070N03FTL DPMOS N-MOSFET 30V，5.7mΩ，50A
1.05
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| 数据手册 - 英文 |
DPMOS N沟道MOSFET 80V，5.3mΩ，54A
1.0
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DP130N10BGL, DP130N10PGL *DPMOS N-MOSFET 100V, 10.3mΩ, 61A*
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| 数据手册 - 英文 |
DP050N03STL DPMOS N-MOSFET 30V，4.3mΩ，18A
1.0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
德普微电子DP中压TOLL系列MOS采用封装凹槽设计具有375W耗散功率，最大300A电流承载能力
德普微电子推出的DP中压TOLL系列MOS采用封装凹槽设计，管脚尺寸9.9*11.7mm，375W耗散功率，最大300A电流承载能力，主要应用于电机驱动、电池保护板及不间断电源等高功率、大电流需求场景。
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Home appliance - Developer Microelectronics
With the improvement of living standards, people‘s requirements for hair dryers have gone beyond simply drying hair, they also demand functions that can protect and nourish the hair without causing damage. Developer Microelectronics has launched a high-speed hair dryer motor control solution, equipped with functions such as stall protection, over-current protection, over-voltage protection, and over-temperature protection.
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DEVELOPER MICROELECTRONICS Design Solution For Washing machine
Under the broad social context advocating for energy conservation and emission reduction, the application of variable frequency energy-saving solutions is becoming increasingly prevalent. In variable frequency products, motor manufacturing technology and motor drive control are key elements. Developer Microelectronics has launched a design solution specifically tailored for variable frequency washing machines, encompassing both hardware and software.
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