DP034N06FGL DPMOS N-MOSFET 60V, 3mΩ, 90A

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发布时间： 2025-09-04 品牌：德普微电子资料类型：数据手册语言：中文

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该文档介绍了DP034N06FGL型号的DPMOS N-MOSFET，这是一种60V电压、3mΩ导通电阻和90A电流能力的MOSFET。它采用了先进的MOSFET-DPMOS2技术，具有极低的导通电阻和高速开关特性。该产品适用于电机控制、驱动、高频开关和同步整流等应用。文档还提供了该产品的电气特性、热阻、封装信息和订购信息。

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DP034N06PGL，DP034N06BGL

2023年 - 数据手册本资料介绍了DP034N06PGL和DP034N06BGL两款60V、2.7mΩ、180A的DPMOS N-MOSFET产品。产品采用先进的MOSFET-DPMOS2技术，具有极低的RDS(on)和高速开关特性，适用于电机控制、电源管理开关、高频开关和同步整流等领域。

德普微电子 - DPMOS N-MOSFET,DP034N06BGL,DP034N06PGL,同步整流,电机控制,高频开关,电源管理开关

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DP038N04PGL，DP038N04BGL

未提供 - 数据手册该资料详细介绍了DP038N04PGL和DP038N04BGL两款40V、3.5mΩ、80A的DPMOS N-MOSFET。产品采用先进的MOSFET-DPMOS2技术，具有极低的导通电阻和优异的FOM（品质因数）。资料涵盖了产品特性、应用领域、封装信息、绝对最大额定值、热阻、电气特性、动态特性、体二极管特性、典型性能特性、测试电路和波形、封装轮廓等详细信息。

德普微电子 - DPMOS N-MOSFET,DP038N04BGL,DP038N04PGL,电机控制,驱动,电池管理,不间断电源（UPS）

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DP030N10BGN，DP030N10PGN DPMOS N-MOSFET 100V，2MΩ，220A

2024/8/7 - 数据手册本资料介绍了DP030N10BGN和DP030N10PGN两款DPMOS N-MOSFET产品，包括其产品特性、应用领域、电气特性、热阻、封装信息等。

德普微电子 - DPMOS N-MOSFET,DP030N10PGN,DP030N10BGN,MOTOR DRIVE,电机控制,不间断电源,UPS,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,电动机驱动,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理

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DP030N06PGL，DP030N06BGL

未提供 - 数据手册本资料介绍了DP030N06PGL和DP030N06BGL两款60V、2.3mΩ、161A的DPMOS N-MOSFET产品。产品采用先进的沟槽MOSFET-DPMOS技术，具有极低的RDS(on)和高速开关特性，适用于电机控制、电源管理开关和高频开关及同步整流等领域。

德普微电子 - DPMOS N-MOSFET,DP030N06BGL,DP030N06PGL,同步整流,电机控制,高频开关,电源管理开关

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DP036N02DTL TRMOS N-MOSFET 20V，2.7mΩ，100A TO-252

2023年 - 数据手册本资料介绍了DP036N02DTL型号的TRMOS N-MOSFET，这是一种20V、2.7mΩ、100A的MOSFET。该产品采用先进的深沟槽MOSFET技术，具有低导通电阻和低传导损耗，适用于电池管理和电源管理开关等应用。

德普微电子 - TRMOS N-MOSFET,DP036N02DTL,电源管理开关,电池管理

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DPMOS N沟道MOSFET 85V，3.2mΩ，100A

数据手册本资料详细介绍了DP038NE8FGN型号的DPMOS N-MOSFET，包括其产品特性、电气特性、热阻、应用领域、封装信息等。该器件采用先进的Trench MOSFET-DPMOS技术，具有极低的RDS(on)和高速开关特性，适用于电机控制、电池管理和高频开关同步整流等领域。

德普微电子 - DPMOS N-MOSFET,DP038NE8FGN,同步整流,电机控制,高频开关,电池管理

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DP036N02DTL

2023 - 数据手册本资料介绍了DP036N02DTL型号的TRMOS N-MOSFET，这是一种20V、2.7mΩ、100A的MOSFET。资料详细描述了该产品的特性、应用领域、电气特性、热阻、封装信息等。

德普微电子 - TRMOS N-MOSFET,DP036N02DTL,电源管理开关,电池管理

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DP034N06DGL DPMOS N-MOSFET 60V, 3.2mΩ, 100A

数据手册 DP034N06DGL是一款60V、3.2mΩ、100A的DPMOS N-MOSFET，采用先进的MOSFET-DPMOS2技术，具有极低的RDS(on)和高速度的功率开关特性。产品符合JEDEC标准，适用于电机控制、电源管理开关、高频开关和同步整流等领域。

德普微电子 - DPMOS N-MOSFET,DP034N06DGL,同步整流,电机控制,驱动,高频开关,电源管理开关

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DP036N06DGN DPMOS N-MOSFET 60V, 3.4mΩ, 100A

数据手册 DP036N06DGN是一款60V、3.4mΩ、100A的DPMOS N-MOSFET，采用先进的MOSFET-DPMOS2技术，具有极低的RDS(on)和高速开关特性，适用于电机控制、电源管理开关、高频开关和同步整流等领域。

德普微电子 - DPMOS N-MOSFET,DP036N06DGN,同步整流,电机控制,驱动,高频开关,电源管理开关

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DP038N04FGL DPMOS N-MOSFET 40V，3.3mΩ，93A

2024/10/12 - 数据手册本资料详细介绍了DP038N04FGL型DPMOS N-MOSFET器件，包括其产品特性、应用领域、电气特性、热阻、封装信息等。该器件采用先进的MOSFET-DPMOS2技术，具有极低的导通电阻和优秀的QgxRDS(on)产品特性，适用于多种电子设备。

德普微电子 - DPMOS N-MOSFET,DP038N04FGL,MOTOR DRIVE,电机控制,不间断电源,UPS,UNINTERRUPIBLE POWER SUPPLIES,电动机驱动,MOTOR CONTROL,BATTERY MANAGEMENT,电池管理

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DP036N02FTL 高密度 trench MOSFET 产品概述

未提及 - 数据手册 DP036N02FTL是一款20V、2.3mΩ、100A的TRMOS N-MOSFET，采用先进的深沟槽MOSFET技术，具有低导通电阻、低传导损耗和优异的QgxRDS(on)产品特性。适用于电池管理和电源管理开关等领域。

德普微电子 - MOSFET,DP036N02FTL,电源管理开关,电池管理

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DP030N03DTL TRMOS N-MOSFET 30V，2.6mΩ，142A TO-252

数据手册本资料详细介绍了DP030N03DTL型号的30V、2.6mΩ、142A的TRMOS N-MOSFET。该器件采用先进的沟槽MOSFET技术，具有低导通电阻、低传导损耗和优异的FOM（品质因数）。适用于电池管理和电源管理开关等应用。

德普微电子 - TRMOS N-MOSFET,DP030N03DTL,电源管理开关,电池管理

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德普微电子MOSFET选型表

选型表 - 德普微电子德普微电子提供以下参数的P沟道增强模式MOSFET和N沟道增强模式MOSFET及N+P-MOSFET选型，Vᴅss：-100V~800V，ID(A)：-56A~414A,

产品型号	品类	VGS4.5V.MAX(V)	ID(A)	VGS10V.TYP(V)	Vth(V)	VDS(V)	Configuration	VGS(V)	VGS10V.MAX(V)	VGS4.5V.TYP(V)	封装/外壳/尺寸
DP034N06FGL	N-MOSFET	4.9V	90A	3V	1.6V	60V	Single	±20V	3.8V	3.6V	PDFN5X6

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德普微电子DP中压TOLL系列MOS采用封装凹槽设计具有375W耗散功率，最大300A电流承载能力

2024-07-25 - 产品德普微电子推出的DP中压TOLL系列MOS采用封装凹槽设计，管脚尺寸9.9*11.7mm，375W耗散功率，最大300A电流承载能力，主要应用于电机驱动、电池保护板及不间断电源等高功率、大电流需求场景。

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百隆电子场效应管N-MOSFET 选型表

选型表 - 百隆电子百隆电子场效应管N-MOSFET，最大漏极电压30-650V，最大漏极电流4-100A，支持多种常规封装

产品型号	品类	VDSS（V）	VGSS（V）	ID（A）	VGS(th)max（V）	RDS(ON）max（Ω/mΩ）	工作结温（℃）
ICF BLF4N65F-1AT	N-MOSFET	650V	±30V	4A	4V	2.5Ω	-55℃ ~ +150℃