DP080N10FGL DPMOS N-MOSFET Datasheet
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
德普微电子（DEVELOPER MICROELECTRONICS）
型号：
DP080N10FGL; DPO80N10FGL
德普微电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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LED显示驱动技术的领航者：专注于电源管理、电机驱动及LED照明芯片的设计与制造企业——德普微电子（DP）
深圳市德普微电子（DP）有限公司成立于2006年4月，坐落于深圳市南山区高新园，主业为集成电路、功率器件设计和销售，可为消费电子等领域多类应用场景提供解决方案。经过多年稳健发展，公司目前已在深圳、成都、厦门、遂宁建立了研发基地和封测工厂，在中山、苏州设立了分公司，拥有合作伙伴1000余家，产品涵盖DDIC、PMIC、处理器和功率器件，年出货量约50亿颗，申请知识产权250余项。
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| 订货型号 | DP080N10FGL |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP080N10FGL |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):100V;VGS(V):±20V;ID(A):70A;Vth(V):1.8V |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFN5X6 |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| VDS(V) | 100V |
| VGS(V) | ±20V |
| ID(A) | 70A |
| Vth(V) | 1.8V |
| VGS10V(TYP) | 6.1V |
| VGS10V(MAX) | 7.6V |
| VGS4.5V(TYP) | 8.2V |
| VGS4.5V(MAX) | 11.1V |
| ESD | N |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | DP023N10TGNT |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP023N10TGNT |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | DPMOS N-MOSFET 100V, 1.3mΩ, 334A |
| 封装/外壳/尺寸 | TOLL |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | 编带/卷装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | 100V |
| RDS(on).typ | 1.3mΩ |
| ID | 334A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | DPDW01-S |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DPDW01-S |
| 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 性比价单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:2.4,过放解除电压TYP（V）:3 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 |
| 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 2.4 |
| 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 充电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 |
| 休眠功能 | NO |
| 正常功耗TYP(µA) | 1.5 |
| 休眠功耗MAX(µA) | 1 |
| 过充延时TYP(mS) | 100 |
| 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 400 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0730
库存：
0
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| 订货型号 | DPDW01 |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DPDW01 |
| 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:2.4,过放解除电压TYP（V）:3 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 |
| 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 2.4 |
| 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 充电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 |
| 休眠功能 | NO |
| 正常功耗TYP(µA) | 1.5 |
| 休眠功耗MAX(µA) | 1 |
| 过充延时TYP(mS) | 100 |
| 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 400 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1010
库存：
0
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| 订货型号 | DP30100 |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP30100 |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):30V;VGS(V):±20V;ID(A):100A;Vth(V):1.6V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| VDS(V) | 30V |
| VGS(V) | ±20V |
| ID(A) | 100A |
| Vth(V) | 1.6V |
| VGS10V(TYP) | 3V |
| VGS10V(MAX) | 4V |
| VGS4.5V(TYP) | 4.2V |
| VGS4.5V(MAX) | 5.7V |
| ESD | N |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3850
库存：
0
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| 订货型号 | DP8261-G3J |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP8261-G3J |
| 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:3,过放解除电压TYP（V）:3 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 |
| 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 3 |
| 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.08 |
| 充电过流检测TYP（V） | 0.2 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 |
| 休眠功能 | YES |
| 正常功耗TYP(µA) | 1 |
| 休眠功耗MAX(µA) | 0.5 |
| 过充延时TYP(mS) | 1000 |
| 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 充电过流延时TYP(mS) | 20 |
| 短路延时TYP(µS) | 300 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.0750
库存：
0
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| 订货型号 | DP3153S/QSOP24 |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP3153S |
| 品类 | LED显示驱动芯片 |
| 描述/说明 | 共阳LED显示驱动芯片,工作电压范围（V）:3.3~5,目标应用场景:户外高端 |
| 封装/外壳/尺寸 | QSOP24 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 工作模式 | 共阳 |
| 目标应用场景 | 户外高端 |
| 扫描数 | 1~32 |
| 工作电压范围（V） | 3.3~5 |
| 输出电流范围(mA) | 0.5~25 |
| 低拐点电压 | Y |
| 通道差异 | ±2.5% |
| 芯片间差异 | ±2% |
| 电流增益 | Y |
| PWM芯片 | Y |
| 刷新率（典型） | 3840Hz |
| 可配置无Rext | - |
| 双沿传数 | Y |
| 内部倍频GLCK | Y |
| 内部倍频GLCK频率 | 40M |
| 典型规格(供参考)8扫 | 15bit/3840Hz |
| 典型规格(供参考)16扫 | 15bit/3840Hz |
| 典型规格(供参考)32扫 | 15bit/3840Hz |
| 支持低灰高刷 | Y |
| 黑屏节能 | Y |
| 最高灰度 | 15bit |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供DP3153S/QSOP24在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | DPDW01G |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DPDW01G |
| 品类 | 单节锂电池保护IC |
| 描述/说明 | 单节锂电池保护IC,过充检测电压TYP（V）:4.28,过充解除电压TYP（V）:4.08,过放检测电压TYP（V）:2.4,过放解除电压TYP（V）:3 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT23-6 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压TYP（V） | 4.28 |
| 过充解除电压TYP（V） | 4.08 |
| 过放检测电压TYP（V） | 2.4 |
| 过放解除电压TYP（V） | 3 |
| 放电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 充电过流检测TYP（V） | 0.15 |
| 短路检测TYP（V） | 0.9 |
| 休眠功能 | NO |
| 正常功耗TYP(µA) | 1.5 |
| 休眠功耗MAX(µA) | 1 |
| 过充延时TYP(mS) | 100 |
| 过放延时TYP(mS) | 100 |
| 放电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 充电过流延时TYP(mS) | 10 |
| 短路延时TYP(µS) | 400 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1180
库存：
0
世强硬创平台提供DPDW01G在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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DPDW01G 样品申请 >>
世强硬创平台提供DPDW01G批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
DPDW01G 批量询价 >>
世强硬创平台提供DPDW01G交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
DPDW01G 交期查询 >>
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| 订货型号 | DP8205 |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP8205 |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Dual;VDS(V):20V;VGS(V):±12V;ID(A):5A;Vth(V):0.7V |
| 封装/外壳/尺寸 | TSSOP-8 |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.1290
库存：
0
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| 订货型号 | DP060N03FGL |
| 品牌 | 德普微电子 |
| 型号系列 | DP060N03FGL |
| 品类 | N-MOSFET |
| 描述/说明 | Configuration:Single ;VDS(V):30V;VGS(V):±20V;ID(A):65A;Vth(V):1.8V |
| 封装/外壳/尺寸 | PDFN5X6 |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Configuration | Single |
| VDS(V) | 30V |
| VGS(V) | ±20V |
| ID(A) | 65A |
| Vth(V) | 1.8V |
| VGS10V(TYP) | 5.2V |
| VGS10V(MAX) | 6.5V |
| VGS4.5V(TYP) | 7.2V |
| VGS4.5V(MAX) | 9V |
| ESD | N |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5120
库存：
0
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DPMOS N-MOSFET 30V，1.8mΩ，120A
1.0
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DP065NE8PGN, DP065NE8BGN DPMOS N沟道MOSFET
Rev0.5
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DPMOS N-MOSFET 100V，1.75mΩ，300A
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DP015N04PGN, DP015N04BGN DPMOS N沟道MOSFET
Rev1.2
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DP016N04TGL *DPMOS N-MOSFET 40V, 1mΩ, 240A*
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| 技术文档 - 英文 |
DP060N15BGN, DP060N15PGN DPMOS N沟道MOSFET
Rev1.0
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DP028N04FGN DPMOS N-MOSFET 40V，2mΩ，120A
Rev1.0
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DP036N06DGN *DPMOS N-MOSFET 60V, 3.4mΩ, 100A*
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DP034N06DGL *DPMOS N-MOSFET 60V, 3.2mΩ, 100A*
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DP025N04DGL *DPMOS N-MOSFET 40V, 2.6mΩ, 120A*
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DP036N06FGN *DPMOS N-MOSFET 60V, 3.0mΩ, 100A*
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DP050N15TGN2 *DPMOS N-MOSFET 150V, 4.2mΩ, 171A*
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DP013N04TGL DPMOS N-MOSFET 40V，1.1mΩ，200A
Rev1.0
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DP013N04FGL DPMOS N-MOSFET 40V，1.1mΩ，120A
Rev1.0
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| 数据手册 - 中文 |
DP160N06PTL，DP160N06BTL - DPMOS N-MOSFET 60V，11.3mΩ，48A
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DP010N04FGL DPMOS N-MOSFET 40V，0.9mΩ，200A
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DP008N04FGNA DPMOS N-MOSFET 40V，0.7mΩ，334A
Rev1.0
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DP038N04FGL DPMOS N-MOSFET 40V，3.3mΩ，93A
Rev1.0
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DP020N06TGL DPMOS N-MOSFET 60V，1.4mΩ，276A
Rev1.0
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DP050N15KGN2 DPMOS N-MOSFET 150V，4.2mΩ，180A
Rev1.0
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DP040N04FGN DPMOS N-MOSFET 40V，3.4mΩ，90A
Rev1.0
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| 数据手册 - 中文 |
DP013N04PGL、DP013N04BGL DPMOS N-MOSFET 40V，1.1mΩ，195A
2023 Rev1.2
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DP032N06FGN DPMOS N-MOSFET 60V，2.3mΩ，100A
Rev1.0
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DP028N12TGN DPMOS N-MOSFET 120V，2.2mΩ，225A
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DP100N20TGN DPMOS N-MOSFET 200V，9mΩ，113A
Rev1.0
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DP008N04FGLA DPMOS N-MOSFET 40V，0.68mΩ，120A
Rev1.0
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DP015N04FGN DPMOS N-MOSFET 40V，1.1mΩ，120A
Rev1.0
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| 数据手册 - 英文 |
DP040N10FGL2 DPMOS N-MOSFET 100V，3.2mΩ，150A
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DP015N04TGN DPMOS N-MOSFET 40V，0.8mΩ，414A
Rev1.0
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| 数据手册 - 英文 |
DP053N10FGN2 DPMOS N-MOSFET 100V，4.8mΩ，80A
Rev1.1
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| 数据手册 - 中文 |
DP053N10FGN2 DPMOS N-MOSFET 100V，4.8mΩ，80A
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DP050N10FGL2 DPMOS N-MOSFET 100V，4.3mΩ，131A
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DP016N10TGN2 DPMOS N-MOSFET 100V，1.4mΩ，342A
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DP045N10FGN2 DPMOS N-MOSFET 100V，3.8mΩ，80A
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| 数据手册 - 中文 |
DP070N03FTL DPMOS N-MOSFET 30V，5.7mΩ，50A
1.05
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| 数据手册 - 中文 |
DP034N06FGL DPMOS N-MOSFET 60V，3mΩ，90A
1.05
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DP055N10BGN，DP055N10PGN DPMOS N-MOSFET 100V，4.5mΩ，132A
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| 数据手册 - 英文 |
DPMOS N沟道MOSFET 80V，5.3mΩ，54A
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
DPMOS N沟道MOSFET 85V，5.6mΩ，100A
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| 数据手册 - 英文 |
DPMOS N沟道MOSFET 135V，3.5mΩ，188A
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DP050N03STL DPMOS N-MOSFET 30V，4.3mΩ，18A
1.0
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| 数据手册 - 中文 |
DP060N03MGL DPMOS N-MOSFET 30V，5.6mΩ，49A
1.15
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| 数据手册 - 中文 |
DPMOS N沟道MOSFET 150V，4.5mΩ，162A
1.5
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| 数据手册 - 英文 |
DPMOS N沟道MOSFET 60V，2.2mΩ，110A
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DPMOS N沟道MOSFET 40V，6mΩ，13A
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DPMOS N沟道MOSFET 100V，10.8mΩ，11A
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DP130N10BGL, DP130N10PGL *DPMOS N-MOSFET 100V, 10.3mΩ, 61A*
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
High-Efficiency DCDC Conversion for Reliable Set-Top Box Solutions
Developer Microelectronics provides a wide range of reliable and highly cost-effective set-top box solutions, covering key components such as DCDC/LDO/ACDC conversion ICs with high efficiency, low noise, and comprehensive protection functions.
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德普微电子 ISLE 技术分享实录：行业首创 64 扫混合控制驱动芯片DP7365刷新率破15360Hz，激活虚拟制作与车载显示新可能
德普微电子在ISLE展会上深度解析驱动IC如何赋能多元化场景，重点推介行业首创64扫混合控制驱动芯片DP7365，涵盖虚拟制作、车载显示等六大应用方案。
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DEVELOPER MICROELECTRONICS Design Solution For Washing machine
Under the broad social context advocating for energy conservation and emission reduction, the application of variable frequency energy-saving solutions is becoming increasingly prevalent. In variable frequency products, motor manufacturing technology and motor drive control are key elements. Developer Microelectronics has launched a design solution specifically tailored for variable frequency washing machines, encompassing both hardware and software.
阅读原文 >>
