Winbond QspiNAND Flash Memory Selection Guide
发布时间：
2026-04-29
类型：
选型指南，选型手册、器件选型指南、产品选择指南
品牌：
华邦电子（Winbond Electronics）
型号：
W25N512GVFIG1; W25N512GVPIG1; W25N512GVIEG; W25N512GVBIG1; W25N512GVFIT1; W25N512GVPIT1; W25N512GVVEIT; W25N512GVBIT1; W25N512GVFIR1; W25N512GVPIR1; W25N512GVVEIR1; W25N512GVBIR1; W25N512GVPIW1; W25N512GVWEI1; W25N512GWBIT1; W25N512GWYIT; W25N512GWFIR; W25N512GWPIR1; W25N512GWWEIR; W25N512GWBIR1; W25N512GWYIR; W25N512GVSFIG; W25N512GVZIEG; W25N512GVTBIG1; W25N512GTCIG1; W25N512GVSIT; W25N512GVZEIT; W25N512GVTBIT; W25N512GTCIT1; W25N512GVSIT1; W25N512GVZEIR; W25N512GVTBIR1; W25N512GTCIR1; W25N512GWSIG1; W25N512GWTBIG1; W25N512GTSIG1; W25N512GYSIT1; W25N512GWEIZEIR; W25N512GWTBIT1; W25N512KVZPIR; W25N512KVZIER; W25N512KVZPIU1; W25N512KVZEIU1; W25N512KVZPIE1; W25N512KVZIE1; W25N512KWZPIG1; W25N512KWZEIF1; W25N512KWZIT1; W25N512KWZIE1; W25N02JWZEIF; W25N02JWTBIF; W25N02JWSFIC1; W25N02JWZEIC1; W25N02JWTBIC1; W25N02KWZEIR; W25N02KWTBIR1; W25N02KWZEIU1; W25N02KWTBIU1; W25N04KVZEIR; W25N04KVTBIR; W25N04KVZEIU; W25N04KVTBIU1; W25N04KWZEIR; W25N04KWTBIR1; W25N04KWZEIU1; W25N04KWTBIU1; W25N512GVFJG1; W25N512GVPJG1; W25N512GVGEJG1; W25N512GVBJG1; W25N512GVFTJ1; W25N512GVPTJ1; W25N512GVJEJ1; W25N512GVBJT1; W25N512GVFRJ1; W25N512GVPRJ1; W25N512GVGEJ1; W25N512GVBJR1; W25N512GFJT1; W25N512GFWTJ1; W25N512GFWEJ1; W25N512GFWBJ1; W25N512GFWYJ1; W25N512GFWJR1; W25N512GWPJR1; W25N512GWEJR1; W25N512GWBJR1; W25N512GWWJR1; W25N01GVSJG1; W25N01GVZEGJ; W25N01GVTBJG1; W25N01GTCJG1; W25N01GVSFTJ1; W25N01GVZEJ1; W25N01GTCJT1; W25N01GTSJG1; W25N01GTCJR1; W25N01GYSJG1; W25N01GWZEJG1; W25N01GWTBJG1; W25N01GWTBJT1; W25N01GTSJT1; W25N; W25N01JW; W25N01KW
加工定制
提供语音芯片、MP3芯片、录音芯片、音频蓝牙芯片等IC定制，语音时长：40秒~3小时（外挂flash），可以外挂TF卡或U盘扩容。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
W25N512GVxIG/IT 3V 512M位串行SLC NAND闪存，具有双通道/四通道缓冲读取和连续读取功能
Revision C
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| 数据手册 - 英文 |
W25N512GVxIG/IT 3V 512M位串行SLC NAND闪存，具有双通道/四通道缓冲读取和连续读取功能
Revision C
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| 测试报告 - 英文 |
W25N512GVBIG RoHS和无卤合规报告
2018/09/17
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| 测试报告 - 英文 |
W25N512GVCIT RoHS和无卤合规报告
2019/08/19
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| 数据手册 - 英文 |
W25N512GVxxG/T/R E3V 512M位串行SLC NAND闪存，具有双/四SPI缓冲器读取和连续读取功能
Revision E
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| 测试报告 - 英文 |
W25N512GVCID RoHS和无卤合规报告
2018/09/17
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| 数据手册 - 英文 |
W25N512GVxxG/T/R 3V 512M位串行SLC NAND闪存，具有双/四SPI缓冲器读取和连续读取功能
Revision F
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| 测试报告 - 英文 |
W25N512GVBIN RoHS和无卤合规报告
2018/09/17
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| 数据手册 - 英文 |
高性能QSPIN和闪存
Mar.2023
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技术论坛
我的朋友公司一个项目，需要使用华邦winbond的W25N01GVZEIT，想问问咱们这边有驱动程序或坏块管理程序吗？（想加快进度）或者设计思路文件也行。谢谢！
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10G光模块项目需要华邦的1Gb的spi nand flash，型号为W25N01GWXXXG，请问你们有吗？如果没有，也可以推荐替代料我看看！
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目前项目使用了华邦的Nand Flash，型号W25N01GVZEIGTR，求帮忙推荐可替代的型号，谢谢！
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
高性能QSPINAND闪存：为复杂的汽车显示应用提供更高密度的存储选择
Winbond推出新型W25N SLC NAND Flash IC，采用46nm工艺制造，具有高可靠性。该产品数据传输速率比并行NAND和现有串行NAND快四倍，支持高达166MB/s的数据传输速率，适用于高级驾驶辅助系统、仪表盘应用、信息显示屏等汽车显示应用。产品提供不同密度和I/O选项，支持硬件复位引脚，方便汽车应用设计。
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汽车用闪存
Winbond公司作为串行闪存市场的领导者，其TS16949认证的AEC-Q100合格内存支持汽车应用。汽车电子设备日益复杂，Winbond的SpiFlash®内存通过高速处理器和实时2D/3D图像渲染技术，支持数字仪表盘、ADAS、舒适、娱乐和导航系统。产品包括W25Q Quad SpiFlash® Multi-I/O Memories、W25N QspiNAND和W29N ONFi NAND，提供多种密度和电压选项，适用于不同温度范围和汽车应用。
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具有SPL、双SPL、四SPI和QPL的SPIFlash存储器
Winbond的W25X和W25Q SpiFlash®多I/O存储器采用流行的串行外设接口(SPI)，密度从512K位到512M位，具有更小的可擦除扇区，并拥有行业最高的性能。W25X系列支持双SPI，有效加倍标准SPI时钟速率。W25Q系列是25X系列的“超集”，具有双I/O和四I/O SPI，以实现更高的性能。时钟速率高达104MHz，使用四SPI时相当于416MHz（50MB/s传输速率），甚至超过了异步并行闪存，同时使用更少的引脚和更少的空间。更快的传输速率意味着控制器可以直接从SPI接口执行代码（XIP），或在将代码阴影到RAM时进一步缩短启动时间。一些SpiFlash®设备提供新的四外围接口(QPI)，支持真正的四命令，以改善XIP性能并简化控制器电路。此外，新的超小型封装非常适合空间受限的移动和手持式应用。Winbond还提供W29N系列行业标准的SLC NAND产品，密度从1Gb到8Gb，以及QspiNAND，密度从512Mb到4Gb。
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八通道NAND闪存：快速、低成本替代八通道NOR闪存，密度为1Gbit或更高
Winbond推出全球首款x8接口的OctalNAND Flash，提供1Gbit及更高密度存储，作为Octal NOR Flash的低成本替代品。该产品采用46nm SLC NAND制造工艺，具有高速读写、高数据完整性和长期数据保留等特点，适用于汽车和工业应用。产品包括1Gbit W35N01JW、2Gb W35N02JW和4Gb W35N04JW，支持1.8V电压，采用BGA24封装。
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当存储被赋予计算使命：芯天下以ReRAM突破端侧AI瓶颈
《电子工程专辑》网站及公众号发表了专题文章——《当AI下沉端侧，存算一体如何开启“算力无感扩容”》，从行业趋势、技术布局到企业基因，深入探讨了芯天下如何以长期主义应对周期波动，并在AI时代重塑存储芯片的价值边界。欢迎阅读全文，共同探索技术细节与产业思考。
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探讨TBW的概念、写入放大系数以及降低写入放大影响的方法
TBW（Total Bytes Written）是评估闪存存储器寿命和耐用性的核心指标。然而，由于写入放大的影响，实际TBW值可能与理论值有所偏差。本文将探讨TBW的概念、写入放大系数以及降低写入放大影响的方法。
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和阳泰克公司简介
南京扬贺扬微电子科技有限公司（HeYangTek Co., Ltd.）成立于2016年，专注于存储芯片的设计研发。公司拥有自主知识产权的设计能力，涵盖SLC NAND wafer、SPI、EMMC和P-NOR控制器设计。公司产品包括NAND Flash、DRAM等，应用于通信、安全监控、工业和消费领域。公司合作伙伴包括中兴微、瑞昱、联发科等。
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华邦机密QSPINAND闪存坏块管理
本资料介绍了Winbond QspiNAND和OctalNAND闪存的坏块管理（BBM）功能，包括支持的命令集、不同型号的密度和电压支持情况。资料详细说明了BBM命令的使用方法，包括设置坏块与好块之间的链接、读取BBM查找表等。此外，还提供了坏块管理的操作流程和注意事项，以及与复制回操作的结合使用方法。
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New 5GB and 10GB 3D pSLC eMMC Solutions
Alliance Memory introduces new industrial-grade 3D pSLC embedded multi-media card (eMMC) solutions for solid-state storage in consumer, industrial, and networking applications. Offering 30,000 program/erase cycles, the 5GB and 10GB devices integrate high-reliability 3D pSLC NAND flash memory with an eMMC controller and flash transition layer (FTL) management software in a single 11.5 mm by 13 mm by 1 mm 153-ball FBGA package.
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一键识别NAND闪存分类
NAND存储器约在四十年前被发明，如今已成为大宗商品，被广泛应用于消费性电子设备，例如智能手机、平板电脑和游戏机等。NAND闪存不需要电源也能保存数据，因此非常适合随身携带、设备内嵌或外接使用。本文中SMART将为大家介绍NAND闪存的不同分类，帮助大家更好地识别内存产品。
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复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品，可靠性达业界领先水平，适用于工规和车载等领域
上海复旦微电子集团股份有限公司近日举办线上发布会，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。
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C-350系列工业CompactFlash™卡产品说明书
该资料介绍了C-350系列工业级CompactFlash卡的产品特性。产品具备多种容量选择，符合CompactFlash规范3.0，支持高速读写性能。卡具备商业和工业温度等级，具有高可靠性、数据保留时间长等特点。此外，产品采用SLC NAND闪存，支持多种接口和节能模式，适用于工业、网络通信和汽车等领域。
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IW-NAND主机控制器
iW NAND Flash Host Controller IP是一款用于访问NAND闪存内存设备的接口，它作为NAND闪存与用户（处理器）之间的桥梁，支持存储、读取和擦除NAND闪存中的数据。该控制器提供两种接口：AXI兼容接口和自定义接口，适用于处理器和非处理器环境。主要特点包括符合ONFI规范、支持SLC NAND闪存、支持多种NAND命令、具有ECC逻辑和8K字节缓冲区。
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希捷 Pulsar® XT. 2极致企业级 SSD 性能—来自企业存储的领导者 产品资料
希捷Pulsar®XT.2企业级SSD硬盘提供卓越的性能和可靠性，适用于复杂的企业环境。采用SLC NAND闪存，支持6Gb/s SAS接口，具备高速读写性能和热插拔功能。具备高级介质管理技术，确保数据完整性和耐用性，适用于数据中心和服务器应用。
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CS006-0615-01通信单元nications:替换EOLCompactFlash与Virtium TuffDrive CF案例研究
Virtium为一家无线基站供应商提供解决方案，以替代其已停产的CompactFlash产品。由于原供应商退出市场，Virtium的工程师通过现场调试和软件调整，解决了兼容性问题，确保了客户现有基站设计能够继续使用。Virtium的TuffDrive CF产品采用最新控制器和SLC NAND闪存，满足客户对高容量和小型化存储解决方案的需求，并支持至少五年的产品部署。
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SM2246EN SATA 6Gb/s SSD控制器产品简介
SM2246EN是一款高性能SATA 6Gb/s SSD控制器，适用于客户端SSD和用于PC、Ultrabook、平板电脑等嵌入式应用的低成本高性能混合存储解决方案。该控制器支持最新一代MLC/TLC/SLC NAND，具有高容量和可靠性。SM2246EN具备超低功耗，支持AES 128/256位加密和TCG Opal全盘加密，提供高级安全功能。其性能特点包括高顺序读写速度、低功耗、增强安全性、支持多种NAND闪存接口和多种温度等级。
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SLC NAND／BENAND TM ／串行接口NAND解决方案 高可靠性SLC NAND 闪存解决方案
东芝存储器提供多种SLC NAND闪存解决方案，包括BENANDTM和串行接口NAND，以满足高可靠性存储需求。产品特点包括高写入周期耐用性、快速访问速度、内置ECC功能，并支持多种封装和接口。产品线覆盖不同容量和电压，满足不同应用需求，并具备长期量产支持和技术服务。
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机顶盒NAND安全解决方案
本资料主要介绍了用于机顶盒（STB）的NAND闪存安全解决方案。随着STB对处理器和内存的需求增加，保护STB免受未经授权访问或修改变得至关重要。资料详细阐述了NAND闪存的安全特性，包括写保护、块锁定、锁定紧固和永久块锁定，以及内置ECC和SLC NAND解决方案的优势。此外，还讨论了NAND设备在多服务媒体网关中的应用和重要性。
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MCU的最佳存储方案CS创世SD NAND
随着物联网的兴起，MCU的应用越来越广泛了，逐渐的MCU会涉及到大容量的存储需求，用来存储音频，图片（GUI）、视频缓存、协议栈等等。传统的E2PROM和NOR Flash就不够用了。这个时候MCU可能就需要用到NAND Flash了。那么针对MCU需要使用大容量的存储需求便推出了SD NAND FLASH。
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一文探讨TBW的概念、写入放大系数以及降低写入放大影响的方法
TBW（Total Bytes Written）是评估闪存存储器寿命和耐用性的核心指标。然而，由于写入放大的影响，实际TBW值可能与理论值有所偏差。本文将探讨TBW的概念、写入放大系数以及降低写入放大影响的方法。
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【产品】VCC 3.3/1.8V的Alliance SPI NAND Flash，为单层式储存单元（SLC）NAND闪存
Alliance SPI NAND Flash为单层式储存单元（SLC）NAND闪存，VCC 支持 3.3/1.8V，时钟频率最高120MHz/100MHz，标准，双路和四路SPI，采用8引脚LGA-8封装，120uA最大待机电流。
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【产品】读取速度高达30MB/s的DuraFlash XL CF卡，具有高可靠性的SLC NAND闪存技术
SMART的DuraFlash XL CF卡在行业标准的CompactFlash(CF)外形中提供可靠的高性能。工业级XL CF卡产品专门支持网络、电信和数据通信、嵌入式计算、医疗和工业应用的OEM市场。SMART使用单层存储单元(SLC)闪存技术设计CF卡。
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X-66系列工业级2.5英寸SATA SSD产品说明书
该资料介绍了Swissbit公司生产的everbit™ 2.5英寸SATA SSD X-66系列产品的详细规格和特性。产品支持SATA Gen3接口，具有多种容量选项，适用于商业和工业温度范围。产品特点包括高性能的pSLC NAND闪存、高可靠性、多种数据保护和管理功能，以及企业级监控技术。资料还提供了产品的性能参数、电气特性、耐用性和数据保留信息。
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【产品】兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash GD5F4GM5系列
2020.10.16，兆易创新正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化，并已成功量产，标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代。
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SLC NAND/BENAND™/Serial Interface NAND解决方案 高可靠性SLC NAND闪存存储器解决方案
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SD NAND SLC 的TBW
本文介绍了SD NAND SLC的TBW（总写入量）影响因素及计算方式，涉及FLASH类型、写入单位、擦写次数及写入放大系数的概念，并提出优化写入放大系数的方法。
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U-400系列工业USB闪存盘模块产品说明书
该资料介绍了U-400系列工业级USB闪存模块，具备USB2.0高速传输，支持1至16GByte存储容量。产品符合USB 2.0/3.0规范，向后兼容USB 1.1系统。模块尺寸为26.65 x 36.8mm，提供多种连接器和固定/可移除选项。具有LED指示灯、写保护开关、FAT32格式化、诊断功能和固件更新能力。性能方面，提供高达40 IOPS写和1700 IOPS读速度，以及34MBytes/s的顺序读写速度。产品采用SLC NAND闪存，具有高可靠性，适用于工业和通信市场。
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【产品】1Gb SPI-NAND闪存 GD5F1GQ5xExxG，页面大小 2048+128-Byte
兆易创新GD5F1GQ5xExxG系列是1Gb SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存核心，为嵌入式系统提供了超高性价比和高容量非易失性存储解决方案。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的一个有吸引力的替代品。
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闪存
这份资料主要介绍了Toshiba的闪存技术和相关产品。内容包括Toshiba闪存的发明历程、技术特点、产品线以及应用领域。重点介绍了SLC NAND闪存、BENAND™、Serial Interface NAND、e•MMC和UFS等技术和产品，以及SD卡、USB闪存等消费类存储产品。此外，还介绍了Toshiba的制造设施和销售办公室。
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FORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先进制程工艺迎接WiFi7时代
近日，在ELEXCON2024深圳国际电子展上，江波龙首次提出了PTM（存储产品技术制造）商业模式。该模式的核心在于整合公司的自研存储芯片、固件、硬件和先进封测制造技术，实现更灵活、更高效的全栈式定制化服务和一站式交付。
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U-110系列工业USB闪存盘模块产品说明书
该资料介绍了U-110系列工业级USB闪存模块，具备USB2.0高速传输，支持2.54mm和2.0mm连接器。产品特点包括符合USB 2.0和1.1规范，尺寸为26.65 x 36.8mm，提供固定或可移除设计，内置LED指示灯和写保护开关。性能方面，支持高达29MByte/sec的顺序读写速度，采用低功耗CMOS技术，提供SLC NAND Flash和高可靠性设计。此外，产品符合多种工业标准和认证，并提供定制选项。
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兆易创新Flash，6大闪存技术创新推动物联网发展：海量、高速、可靠、安全、低功耗及小型化
2019年6月20日，兆易创新资深产品市场总监陈晖先生在“TechShenzhen 物联网技术论坛”上进行了主题演讲，详细介绍了兆易创新Flash Memory如何应对物联网行业高速发展所带来的各种机遇与挑战。面对发展与需求，Flash Memory必须在六大技术层面有所创新：海量、高速、可靠、安全、低功耗及小型化。”【世强硬创沙龙2019】
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2024高通汽车技术与合作峰会：江波龙FORESEE全面展示汽车存储全矩阵解决方案
2024年5月30日至31日，2024高通汽车技术与合作峰会在无锡国际会议中心顺利举行，江波龙携其FORESEE品牌旗下的汽车存储全矩阵产品亮相，并分享了公司在汽车存储领域的产业布局和解决方案。
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UnitedContrast II工业USB闪存盘产品说明书
本资料介绍了unitedCONTRAST II系列工业级USB闪存盘。产品支持USB2.0高速传输，兼容USB 1.1系统，具有高性能、低功耗的特点。产品采用SLC NAND闪存，具备高可靠性，适用于工业和通信市场。提供多种定制选项，包括温度范围、连接器、固件等。资料还提供了产品性能参数、物理尺寸、推荐温度条件以及耐用性和环境条件等信息。
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【产品】1Gbit国产SLC NAND闪存GD5F1GQ4xFxxH，页面大小为2048字节+64字节
兆易创新推出1GB SLC NAND闪存F系列产品GD5F1GQ4xFxxH，GD5F1GQ4xFxxH是密度为1Gbit的SPI NAND Flash，速率是120MHz。
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S-200U系列工业级Micro SD存储卡产品说明书
该资料介绍了Swissbit AG生产的S-200u系列工业级Micro SD存储卡。该系列存储卡完全符合SD Memory Card规范2.0和Micro SD Memory Card规范2.0附加规范，具有高度集成的存储控制器和四个4KByte扇区缓冲区，支持快速数据传输。产品采用SLC NAND闪存技术，提供高可靠性，包括超过300万小时的MTBF和超过10,000次的插入次数。支持热插拔，具有高达25MB/s的SD突发传输速率和高达21/18 MB/s的持续读写速度。此外，产品还具有低功耗CMOS技术、专利的掉电可靠性、终身监控功能，并提供多种容量选项。
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