真茂佳半导体 MOS产品(非车规)选型表

发布时间： 2026-04-29

类型：选型指南，选型手册、器件选型指南、产品选择指南

品牌：

真茂佳（ZMJ）

型号：

ZM046N02D; ZM065N02D; ZM100N02U; ZM100N02L; ZM100N02D; ZM180P02L; ZM200P02T; ZM350P02T; ZM280P02T; ZM500P02S; ZMC88212L; ZMSO06N03NC; ZMSO06N03R; ZM012N03NC; ZM012N03N; ZM015N03D; ZMSO16N03NC; ZM019N03N; ZM019N03P; ZM019N03B; ZMSO20N03NC; ZMSO23N03N; ZMSO26N03N; ZM027N03N; ZM027N03D; ZM027N03P; ZM027N03B; ZM027N03F; ZM027N03M; ZMSO36N03NC; ZM037N03S; ZMSO28N03M; ZM045N03N; ZM048N03D; ZM045N03M; ZM050N03S; ZMSO43N03NC; ZMSO43N03N; ZMSO51N03N; ZMSO53N03M; ZM062N03N; ZM075N03D; ZM062N03M; ZM085N03K; ZM085N03S; ZM085N03L; ZM094N03D; ZM090N03N; ZM094N03M; ZM095N03U; ZM095N03S; ZM15ONOT3; ZM13ONOT3L; ZM22ONOT3HT; ZM24ONOT3T; ZMD68301N; ZMD68302N; ZMD68306N; ZMD68310M; ZMD68310N; ZMD68311M; ZMD68303S; ZMD68305S; ZMD68305M; ZMD68308S; ZMD68308N; ZMD68310S; ZMD68309M; ZM029P03N; ZM029P03D; ZM035P03N; ZM035P03D; ZM038P03S; ZM071P03N; ZM071P03D; ZM075P03M; ZM078P03S; ZM130P03M; ZM130P03N; ZM130P03S; ZM160P03M; ZM160P03D; ZM160P03S; ZM160P03N; ZM240P03M; ZM240P03D; ZM240P03S; ZM270P03T; ZM270P03U; ZM270P03L; ZM3401; ZM3407; ZMP68301S; ZMP68302S; ZMC88302S; ZMC88303N; ZMC88303S; ZMC88303D; ZMC88305S; ZMC88305N; ZMC88305M; ZMC88305D; ZMSO503D; ZMC88307D; ZMSO04N04HG; ZMSO05N04HR; ZMSO05N04HB; ZMSO05N04HB6; ZMSO06N04HR; ZMSO07N04NC; ZMSO08N04NC; ZMSO08N04R; ZMSO08N04HNC; ZMSO11N04HP; ZMSO11N04HB; ZMSO12N04HNC; ZMSO16N04HNC; ZM016N04N; ZM016N04HN; ZMSO18N04NC; ZMSO18N04HNC; ZMSO18N04P; ZMSO19N04HMC; ZMSO20N04N; ZM020N04HP; ZM020N04HB; ZMSO20N04HB; ZM025N04HI; ZMSO25N04HN; ZM023N04N; ZM031N04D; ZM031N04P; ZM035N04S; ZMSO19N04MC; ZMSO32N04N; ZMSO32N04M; ZMSO40N04HC; ZM042N04N; ZM042N04M; ZM042N04D; ZM042N04P; ZM042N04S; ZMSO55N04HM; ZMSO55N04HN; ZM074N04D; ZM074N04M; ZM074N04N; ZM074N04S; ZM100N04N; ZM100N04S; ZM160N04M; ZMD68401N; ZMD68403N; ZMD68403M; ZMD68403S; ZMD68405S; ZMD68404N; ZMD68406N; ZMD68407N

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真茂佳官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司

世强先进（深圳）科技股份有限公司是真茂佳的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。

世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供真茂佳的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。

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车规中低压MOSFET国产供应商——真茂佳（ZMJSEMI）

深圳真茂佳（ZMJSEMI）半导体有限公司是一家拥有自主知识产权且掌握先进功率器件设计和封测特色工艺的高新技术企业。公司顺应新能源汽车电子电气化架构和车规级功率半导体技术的发展，在真茂佳车规九大中低压电压平台衍生的不同封装形式和诸多应用领域成功案例的加持下，将持续打造值得客户信任的高可靠性“ZMJ”中低压车规MOSFET产品系列解决方案。

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现货平台 / 真茂佳授权代理店

订货型号	ZMDA68403M
品牌	真茂佳
型号系列	ZMD68403
品类	power MOSFET
描述/说明	40V N-channel power MOSFET,package:DFN3*3 Dual
封装/外壳/尺寸	DFN3*3 Dual
最小包装量	5,000
包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS Min(V)	40V
VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	19A
PD(W) Tc=25℃	15W
Ciss(pF)	1190pF
Coss(pF)	52pF
Crss(pF)	29pF
Rg(Ω)	2Ω
Qg(nC)	20nC
Qgs(nC)	3.3nC
Qgd(nC)	3.6nC
Operating Temperature(℃)	150℃

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证

价格：

￥1.7648

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订货型号	ZM100N04N
品牌	真茂佳
型号系列	ZM100N04N
品类	power MOSFET
描述/说明	40V N-channel power MOSFET,package:DNF5*6
封装/外壳/尺寸	DFN5*6
最小包装量	3,000
包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS Min(V)	40V
VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	40A
Rᴅs（mΩ）	10mΩ
Operating Temperature(℃)	-55~175℃

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

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价格：

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订货型号	ZM100N04S
品牌	真茂佳
型号系列	ZM100N04S
品类	power MOSFET
描述/说明	40V N-channel power MOSFET,package:SOP-8
封装/外壳/尺寸	SOP-8
最小包装量	4,000
包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS Min(V)	40V
VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	13A
Rᴅs（mΩ）	12mΩ
Operating Temperature(℃)	-55~150℃

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订货型号	ZM042N04M
品牌	真茂佳
型号系列	ZM042N04M
品类	power MOSFET
描述/说明	40V N-channel power MOSFET,package:DFN3*3
封装/外壳/尺寸	DFN3*3
最小包装量	5,000
包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS Min(V)	40V
VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	45A
Rᴅs（mΩ）	5.5mΩ
Operating Temperature(℃)	-55~150℃

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订货型号	ZM042N04D
品牌	真茂佳
型号系列	ZM042N04D
品类	power MOSFET
描述/说明	40V N-channel power MOSFET,package:TO-252
封装/外壳/尺寸	TO-252
最小包装量	2,500
包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS Min(V)	40V
VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	80A
Rᴅs（mΩ）	5.5mΩ
Operating Temperature(℃)	-55~150℃

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订货型号	ZM074N04N
品牌	真茂佳
型号系列	ZM074N04N
品类	power MOSFET
描述/说明	40V N-channel power MOSFET,package:DNF5*6
封装/外壳/尺寸	DNF5*6
最小包装量	3,000
包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS Min(V)	40V
VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	60A
Rᴅs（mΩ）	8.0mΩ
Operating Temperature(℃)	-55~150℃

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订货型号	ZM074N04D
品牌	真茂佳
型号系列	ZM074N04D
品类	power MOSFET
描述/说明	40V N-channel power MOSFET,package:TO-252
封装/外壳/尺寸	TO-252
最小包装量	2,500
包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS Min(V)	40V
VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	40A
Rᴅs（mΩ）	8.0mΩ
Operating Temperature(℃)	-55~150℃

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订货型号	ZM042N04S
品牌	真茂佳
型号系列	ZM042N04S
品类	power MOSFET
描述/说明	40V N-channel power MOSFET,package:SOP8
封装/外壳/尺寸	SOP8
最小包装量	4,000
包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS Min(V)	40V
VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	15A
Rᴅs（mΩ）	5.5mΩ
Operating Temperature(℃)	-55~150℃

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订货型号	ZM042N04N
品牌	真茂佳
型号系列	ZM042N04N
品类	power MOSFET
描述/说明	40V N-channel power MOSFET,package:DFN5*6
封装/外壳/尺寸	DFN5*6
最小包装量	3,000
包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDSS Min(V)	40V
VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	90A
Rᴅs（mΩ）	5.5mΩ
Operating Temperature(℃)	-55~150℃

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品牌	真茂佳
型号系列	ZM074N04M
品类	power MOSFET
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封装/外壳/尺寸	DNF3*3
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VGS(V)	±20V
ID(A) Tc=25℃	35A
Rᴅs（mΩ）	8.0mΩ
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技术支持/研发服务

世强硬创平台整合真茂佳原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。

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企业采购服务

世强硬创平台授权代理商提供真茂佳快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。

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资料平台

数据手册 - 英文	ZM100N02L 20V N沟道功率MOSFET Rev. B	下载
数据手册 - 英文	ZM100N02L 20V N沟道功率MOSFET Rev. A	下载
数据手册 - 英文	ZM100N02D 20V N沟道功率MOSFET Rev. B	下载
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世强AI

世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

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应用/方案

【应用】车用MOSFET助力EPS应用，高温驱动再不怕

瑞萨MOSFET NP90N04耐压值达40V，通过了AEC-Q101认证，且具有低至2.8mΩ的导通电阻。

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【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的设计经验分享

本文分享笔者采用CWDM3011P和CWDM3011N两款MOSFET管关于三相全桥的分立器件的设计经验。

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【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计

恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。

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【经验】采用隔离驱动器+MOSFET替换传统SSR的电源优化方案

Silicon Lbs推出的SI875X加MOS FET的方案来替代传统的设计，Si875x无需使用庞大的机械继电器，这些继电器可能难以组装到PCB上并向系统添加开关噪声。可以支持全面的工业和汽车温度范围，稳定性更高，寿命更长。

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汽车燃油泵/水泵控制解决方案预驱动集成电路：TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L

TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L

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【产品】行业领先的第三代MOSFET平台扩展到1200V

简化设计，提高频率，保持效率，降低系统成本，降低电路EMI，实现99％的效率水平。

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【产品】你的AGV还缺这款紧凑型MOSFET模块

小热阻小体积的京瓷MOSFET模块，具有电感小、一致性好、使用寿命长等优点！

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【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET，能量敏感型应用理想选择

Central的CMPDM203NH是一款SOT-23F封装的N沟道增强型MOSFET，是需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。

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【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ

新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。

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【产品】用于EV驱动火车的新型SiC MOSFET

Wolfspeed推出了一款900V，10mΩ的MOSFET。

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【产品】低导通电阻的6590V级N-MOSFET

Central的CDM22010-650MOSFET管额定电压为650V，可工作于高电压环境。

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【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W

新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。

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【产品】栅极电荷总量仅15nC的3A大电流MOSFET管,工作电压可达100V

Central的CZDM1003NMOSFET管额定电压为栅极电荷总量为15nC，可有低的开关损耗,是继电器和电机控制电路首选。

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【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选

新电元的P20B12SN是一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ,器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。

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【产品】ESD保护高达1800V的低功耗N沟道MOSFET，为电源设计保驾护航

Central带有ESD保护功能的2N7002型的N沟道增强型MOSFET——CEDM7002AE，具有导通电阻小、低功耗、低栅极电荷等优点。

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【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA

新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。

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【产品】电源转换器设计就选这款40V/6A大功率MOSFET

CXDM4060x具有超低导通阻抗、低阈值电压以及超低总栅极电荷的特性。

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【产品】高耐压低噪声的600V/0.5A的MOSFET

新电元的P0R5B60HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，总门极电荷Qg典型值仅为4.3nC，有着较好的开关性能。可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。

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【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的选型经验分享

本文结合central的MOSFET管CWDM3011N和CWDM3011P应用，分享了一些自己在选型上积累的经验。

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【产品】50V抗雪崩N沟道MOSFET，单脉冲雪崩能量达245mJ

新电元的P70F5EN是一款采用FTO-220AG三引脚绝缘封装的N沟道MOSFET，其主要优势在于拥有低静态漏源导通电阻以及极高的单脉冲雪崩能量，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。

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【产品】导通电阻仅0.29Ω的N沟道高耐压MOSFET，大功率电源及充电器设计首选

新电元的P20FH50HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，适合大功率电源以及充电器设计等应用。器件功耗最大值为175W，可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。

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【产品】400V，9A的高压N沟道功率MOSFET，大功率电路设计首选

新电元的P9B40HP2是一款SMD封装的N沟道功率MOSFET，兼具小尺寸、低噪音等优点，其结壳热阻θjc最大值仅为3.12℃/W，可用于开关电路、驱动器、逆变器等电子电路中。

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【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET

新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P86F6SN，采用绝缘封装，使用10V栅极驱动，具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ，可满足大功率驱动应用需求。

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【产品】高di/dt耐久性的600V/7A功率 MOSFET

新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P7FH60HP2，采用表面贴装（SMD），具有高电压、低电容、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。单脉冲雪崩能量为40mJ，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs，可满足一般功率驱动应用需求。

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【产品】600V/15A功率 MOSFET，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs

新电元推出的低电容功率 MOSFET P15FH60HP2，全功率损耗为175W，单脉冲雪崩能量为65mJ，可满足一般电源系统的设计要求，适用于电源故障检测器、电池备用电路等应用。

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【产品】120V/100A功率 MOSFET，全功率损耗为238W

新电元的功率MOSFET P100FP12SNK，单脉冲雪崩能量达373mJ，采用10V栅极驱动，可满足大功率驱动应用需求。

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【产品】SMD封装的100V超薄N沟道功率MOSFET

新电元的P13LA10EL是一款13A的N沟道功率MOSFET，总损耗功率PT最大值仅1.7W，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、功率因数校正（PFC）和电机驱动等应用。

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【产品】导通电阻典型值仅29.5mΩ功率MOSFET，助力中小型功率应用

新电元的P25B6EB是一款由FB封装的60V，25A的功率MOSFET，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。

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【产品】100V/30A功率 MOSFET，全功率损耗为44W

SHINDENGEN的功率MOSFET P30B10EL，输入电容2000pF，表面贴装器件，4.5V栅极驱动，满足大功率驱动应用需求。

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【产品】60V/34A功率 MOSFET，4.5V栅极驱动

Shindengen（新电元）公司推出的功率 MOSFET P34F6EL，全功率损耗为35W，绝缘耐压值为2kV，可满足大功率驱动应用需求。

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【产品】75V/168A功率 MOSFET，10V栅极驱动

P168FP7R5SNK是Shindengen（新电元）公司推出的一款表面贴装（SMD）功率MOSFET器件，全功率损耗为238W，单脉冲雪崩能量高达495mJ，峰值连续漏极电流为672A，大电流特性使其可满足大功率电路设计需求。

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【产品】低电容功率 MOSFET，峰值连续漏极电流达320A

Shindengen（新电元）公司推出的P80FG6EAL/P80FG7R5EN，全功率损耗为128W，直流连续漏极电流为80A ，可满足一般大功率电路设计需求。

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【产品】40V/100A功率 MOSFET，单脉冲雪崩能量达594mJ

SHINDENGEN的P100FH4ENK，全功率损耗为175W，采用10V栅极驱动，其开启延迟典型值为12ns、上升时间典型值为61ns、关断延迟典型值为48ns，下降时间典型值为35ns，具有较高的开关速度，可以满足一般高频开关电路设计需求

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