FHC1208 Dual N-channel Trench MOSFET
发布时间：
2026-04-30
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
鑫飞宏（XIN FEI HONG）
型号：
FHC1208
鑫飞宏官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是鑫飞宏的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
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专注于锂电保护的综合服务商——鑫飞宏(XIN FEI HONG)
深圳市鑫飞宏电子有限公司(XIN FEI HONG)作为国家级高新技术企业，专注于锂电保护IC、电源管理IC及MOSFET功率器件的研发、设计与销售。公司成功开发出高精度、低功耗锂电池保护IC、可重构充放电管理芯片，以及高效率、高密度、低阻值Trench MOSFET（沟槽型）与SGT MOSFET（屏蔽栅沟槽）等系列核心产品。
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现货平台 / 鑫飞宏 授权代理店
| 订货型号 | FHC1208 |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FHC1208 |
| 品类 | MOS |
| 描述/说明 | MOS,VDS(TYP)V:12V;ID25℃(A):8(Is);Vgs (±V):8 |
| 封装/外壳/尺寸 | WLCSP6-2.14x1.67x0.1 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS(TYP)V | 12V |
| ID25℃(A) | 8(Is) |
| Vgs (±V) | 8 |
| Vth(V) | 0.4~1.4 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | FH8253-GT |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH8253 |
| 品类 | 锂电保护芯片 |
| 描述/说明 | 三串锂电保护芯片,过充检测电压VOC:3.650V±25mV;过充恢复电压VOCR:3.560V;温度保护:是 |
| 封装/外壳/尺寸 | TSSOP-16 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压VOC | 3.650V±25mV |
| 过充恢复电压VOCR | 3.560V |
| 过放检测电压VOD | 2.320V |
| 过放恢复电压VODR | 2.580V |
| 放电过流检测电压VDIP | 100mV |
| 短路检测电压VSHORT | 500mV |
| 充电过流电压VCIP | -100mV |
| 是否向 0V充电 | 是 |
| 休眠功能 | 否 |
| 过放自恢复 | 是 |
| 温度保护 | 是 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | FH8253-FC |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH8253 |
| 品类 | 锂电保护芯片 |
| 描述/说明 | 三串锂电保护芯片,过充检测电压VOC:4.200V±25mV;过充恢复电压VOCR:4.100V;温度保护:是 |
| 封装/外壳/尺寸 | CPC-16 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压VOC | 4.200V±25mV |
| 过充恢复电压VOCR | 4.100V |
| 过放检测电压VOD | 2.700V |
| 过放恢复电压VODR | 3.000V |
| 放电过流检测电压VDIP | 100mV |
| 短路检测电压VSHORT | 500mV |
| 充电过流电压VCIP | -100mV |
| 是否向 0V充电 | 是 |
| 休眠功能 | 否 |
| 过放自恢复 | 是 |
| 温度保护 | 是 |
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| 订货型号 | FH8253-KT |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH8253 |
| 品类 | 锂电保护芯片 |
| 描述/说明 | 三串锂电保护芯片,过充检测电压VOC:4.250V±25mV;过充恢复电压VOCR:4.150V;温度保护:是 |
| 封装/外壳/尺寸 | TSSOP-16 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压VOC | 4.250V±25mV |
| 过充恢复电压VOCR | 4.150V |
| 过放检测电压VOD | 2.700V |
| 过放恢复电压VODR | 3.000V |
| 放电过流检测电压VDIP | 100mV |
| 短路检测电压VSHORT | 500mV |
| 充电过流电压VCIP | -100mV |
| 是否向 0V充电 | 是 |
| 休眠功能 | 否 |
| 过放自恢复 | 是 |
| 温度保护 | 是 |
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世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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| 订货型号 | FH8253-KS |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH8253 |
| 品类 | 锂电保护芯片 |
| 描述/说明 | 三串锂电保护芯片,过充检测电压VOC:4.250V±25mV;过充恢复电压VOCR:4.150V;温度保护:是 |
| 封装/外壳/尺寸 | SO-16 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压VOC | 4.250V±25mV |
| 过充恢复电压VOCR | 4.150V |
| 过放检测电压VOD | 2.700V |
| 过放恢复电压VODR | 3.000V |
| 放电过流检测电压VDIP | 100mV |
| 短路检测电压VSHORT | 500mV |
| 充电过流电压VCIP | -100mV |
| 是否向 0V充电 | 是 |
| 休眠功能 | 否 |
| 过放自恢复 | 是 |
| 温度保护 | 是 |
授权代理商：
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| 订货型号 | FH8253-GS |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH8253 |
| 品类 | 锂电保护芯片 |
| 描述/说明 | 三串锂电保护芯片,过充检测电压VOC:3.650V±25mV;过充恢复电压VOCR:3.560V;温度保护:是 |
| 封装/外壳/尺寸 | SO-16 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压VOC | 3.650V±25mV |
| 过充恢复电压VOCR | 3.560V |
| 过放检测电压VOD | 2.320V |
| 过放恢复电压VODR | 2.580V |
| 放电过流检测电压VDIP | 100mV |
| 短路检测电压VSHORT | 500mV |
| 充电过流电压VCIP | -100mV |
| 是否向 0V充电 | 是 |
| 休眠功能 | 否 |
| 过放自恢复 | 是 |
| 温度保护 | 是 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
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| 订货型号 | FH8253-FT |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH8253 |
| 品类 | 锂电保护芯片 |
| 描述/说明 | 三串锂电保护芯片,过充检测电压VOC:4.200V±25mV;过充恢复电压VOCR:4.100V;温度保护:是 |
| 封装/外壳/尺寸 | TSSOP-16 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压VOC | 4.200V±25mV |
| 过充恢复电压VOCR | 4.100V |
| 过放检测电压VOD | 2.700V |
| 过放恢复电压VODR | 3.000V |
| 放电过流检测电压VDIP | 100mV |
| 短路检测电压VSHORT | 500mV |
| 充电过流电压VCIP | -100mV |
| 是否向 0V充电 | 是 |
| 休眠功能 | 否 |
| 过放自恢复 | 是 |
| 温度保护 | 是 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | FH8253-KC |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH8253 |
| 品类 | 锂电保护芯片 |
| 描述/说明 | 三串锂电保护芯片,过充检测电压VOC:4.250V±25mV;过充恢复电压VOCR:4.150V;温度保护:是 |
| 封装/外壳/尺寸 | CPC-16 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压VOC | 4.250V±25mV |
| 过充恢复电压VOCR | 4.150V |
| 过放检测电压VOD | 2.700V |
| 过放恢复电压VODR | 3.000V |
| 放电过流检测电压VDIP | 100mV |
| 短路检测电压VSHORT | 500mV |
| 充电过流电压VCIP | -100mV |
| 是否向 0V充电 | 是 |
| 休眠功能 | 否 |
| 过放自恢复 | 是 |
| 温度保护 | 是 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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FH8253-KC 批量询价 >>
世强硬创平台提供FH8253-KC交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
FH8253-KC 交期查询 >>
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| 订货型号 | FH8253-GC |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH8253 |
| 品类 | 锂电保护芯片 |
| 描述/说明 | 三串锂电保护芯片,过充检测电压VOC:3.650V±25mV;过充恢复电压VOCR:3.560V;温度保护:是 |
| 封装/外壳/尺寸 | CPC-16 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压VOC | 3.650V±25mV |
| 过充恢复电压VOCR | 3.560V |
| 过放检测电压VOD | 2.320V |
| 过放恢复电压VODR | 2.580V |
| 放电过流检测电压VDIP | 100mV |
| 短路检测电压VSHORT | 500mV |
| 充电过流电压VCIP | -100mV |
| 是否向 0V充电 | 是 |
| 休眠功能 | 否 |
| 过放自恢复 | 是 |
| 温度保护 | 是 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | FH8253-FS |
| 品牌 | 鑫飞宏 |
| 型号系列 | FH8253 |
| 品类 | 锂电保护芯片 |
| 描述/说明 | 三串锂电保护芯片,过充检测电压VOC:4.200V±25mV;过充恢复电压VOCR:4.100V;温度保护:是 |
| 封装/外壳/尺寸 | SO-16 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 过充检测电压VOC | 4.200V±25mV |
| 过充恢复电压VOCR | 4.100V |
| 过放检测电压VOD | 2.700V |
| 过放恢复电压VODR | 3.000V |
| 放电过流检测电压VDIP | 100mV |
| 短路检测电压VSHORT | 500mV |
| 充电过流电压VCIP | -100mV |
| 是否向 0V充电 | 是 |
| 休眠功能 | 否 |
| 过放自恢复 | 是 |
| 温度保护 | 是 |
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商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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资料平台
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FH9261-G3J 锂离子/锂聚合物电池保护IC
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FH3400A N沟道增强型MOSFET
Ver 2.0
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FH6006H4 单节锂离子电池充电芯片
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FH12P10D -100V P沟道MOSFET
2022/06/30
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FH0106 N沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH6880A N沟槽功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1806D N沟道沟槽功率MOSFET
2022/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
FH1806D2
2022/06/30
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FH3704B N沟道沟槽型功率MOSFET
2022/06/30
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FH1904G N沟道沟槽功率MOSFET
2022/06/30
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FH1304G6 N沟道增强型功率MOSFET
2022/06/30
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FH1404G6 N沟道增强型功率MOSFET
2022/06/30
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FH1604B N沟道沟槽型功率MOSFET
2022/06/30
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FH3204G - N沟道增强型功率MOSFET
2022/06/30
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FH3304GS
2022/06/30
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FH4606B 增强型 N+P沟道MOS管
2022/06/30
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FH4606B 增强型 N+P 沟道 MOS 管
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FH17P03D -30V P沟道MOSFET
2022/06/30
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FH17P03D -30V P沟道MOSFET
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FH3415Y P沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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FH1607D
2022/06/30
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FH1806B2
2022/06/30
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FH1908B N沟道增强型功率MOSFET
2022/06/30
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FH1908D N沟道增强型功率MOSFET
2022/06/30
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FH1808B N沟道增强型功率MOSFET
2022/06/30
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FH15P03B -30V P沟道MOSFET
2022/06/30
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FH1607B
2022/06/30
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FH8913P -30V P沟道功率MOSFET
2022/06/30
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FH3415B P沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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FH8214 P沟道功率MOSFET
2022/06/30
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FH25P03G6 P沟道MOSFET
2022/06/30
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FH32P03G6 P沟道MOSFET
2022/06/30
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FH38P03G6 P沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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FH45P03G6 P沟道增强型MOSFET
2022/06/30
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FH30120D
2022/06/30
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FH3080K-A
2022/06/30
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FH3060G6 N沟道增强型功率MOSFET
2022/06/30
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N通道增强模式功率MOSFET
2022/06/30
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N通道增强模式功率MOSFET
2022/06/30
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N通道增强模式功率MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】采用先进的沟槽工艺技术的双N沟道增强型功率MOSFET 4502，具有优异的漏源导通电阻
诚芯微推出的型号为4502的双N沟道增强型功率MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
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【应用】采用先进沟槽技术的双N沟道增强型功率MOSFET HM9926B提升UPS系统功率，简化电路设计
采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的超低漏源导通电阻的HM9926B双N沟道增强型功率MOSFET，凭借其优异的性能，在诸如计算机之类设备的不间断电源UPS的电路中具有广泛的应用，是理想的选择。
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【产品】采用SOP8封装的双N沟道MOSFET CJQ05N10，漏源导通电阻最大140mΩ@10V
长晶科技推出一款采用SOP8封装的双N沟道MOSFET——CJQ05N10，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，属于无铅产品，广泛适用于多种应用。
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【产品】15V/20A双N沟道MOSFET QXM20N03，在雪崩和换向模式下可承受高能量脉冲
群芯微型号为QXM20N03的15V双N沟道MOSFET使用先进的沟槽DMOS技术，这种先进的技术已经过特别定制，以最小化导通电阻，可提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲，非常适合于高效率的快速开关应用。
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【产品】SOT-163封装的双N沟道高密度沟槽MOSFET KI8205T，漏源电压额定值为20V
KI8205T是科信推出的一款双N沟道高密度沟槽MOSFET，该产品的漏源电压VDS为20V，连续漏极电流ID为4.3A，产品采用SOT-163（SOT-23-6）封装，可以储存在-55至150℃的温度条件下。此外，该产品采用超高密度单元沟槽设计，可实现低静态漏源导通电阻，并且坚固可靠。
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【产品】40V/37A的双N沟道增强型MOSFET PJQ4848P，采用DFN3333B-8L封装
PANJIT(强茂)40V/37A的双N沟道增强型MOSFET PJQ4848P，采用DFN3333B-8L封装。该产品使用了先进的沟槽工艺技术，高密度电池设计，具有超低的导通电阻，无铅符合欧盟RoHS 2.0标准，绿色环保塑封符合IEC 61249标准。
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【产品】CJCD2007双N沟道MOSFET，采用DFNWB2×3-6L-C塑封，适用于单向或双向负载开关
长晶科技推出的CJCD2007是DFNWB2×3-6L-C塑封双N沟道MOSFET，使用先进的沟槽工艺技术，具有低漏源导通电阻RDS（ON）和低栅极电荷。MOSFET具有ESD保护，共漏极配置，适合用作单向或双向负载开关。
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