FH30120D

知识图谱

发布时间： 2026-02-15 品牌：鑫飞宏资料类型：数据手册语言：英文

代理服务

技术支持

采购服务

FH30120D是一款N-Channel Trench Power MOSFET，具有以下特性：30V电压，120A电流，RDS(ON)=2.9mΩ (Typ.) @ VGS =10V，RDS(ON)=4.3mΩ (Typ.) @ VGS =4.5V，采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于负载开关、PWM应用和电源管理。

授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

资料部分预览(2页)

- 预览已结束，资料共 5页，预览全部，请登录/注册 -

立即下载完整资料资料将发送到工作邮箱，自动同步至所有设备，方便管理

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文内容由鑫飞宏品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。

【产品】鑫飞宏 FH3016系列 Lithium battery protection chip 锂电保护芯片

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

产品特性：1.高精度电压检测 2.过充检测电压：4.400 V，精度25 mV 3.过充释放电压：4.200 V，精度50 mV 4.过放检测电压：2.800 V，精度50 mV 5.过放释放电压：3.000 V，精度100 mV 6.放电过流检测电压：0.150 V，精度10 mV 7.短路检测电压：0.500 V，精度100 mV 8.充电过流检测电压：-0.150 V，精度15 mV 9.充电器和负载检测功能 10.0V电池充电功能 11.低功耗 12.无铅、无卤素 13.封装类型：SOT23-6;应用领域：1.锂离子/锂聚合物充电电池

系列型号： FH3016FDY; FH3016AAL; FH3016FDZ; FH3016ACF; FH3016FDT; FH3016FDN; FH3016DAQ; FH3016FDO; FH3016FDM; FH3016FDA; FH3016FHB; FH3016FDL; FH3016DCH

代理服务

技术支持采购服务

FH30120D N沟槽功率MOSFET

1970/01/01 - 数据手册

鑫飞宏 - N沟道沟槽功率MOSFET,N-CHANNEL TRENCH POWER MOSFET,FH30120D,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关

代理服务

技术支持采购服务

深圳市鑫飞宏电子有限公司

1970/01/01 - 技术文档深圳市鑫飞宏电子有限公司专注于锂电保护IC、电源管理IC及MOSFET功率器件的研发、设计与销售。公司拥有自主晶圆设计能力，产品包括锂电池保护IC、充放电管理芯片、Trench MOSFET和SGT MOSFET等。公司产品广泛应用于消费电子领域，提供高性能、高可靠性的电源与电池管理解决方案。公司拥有多项专利和荣誉称号，致力于提供安全、稳定、可靠的产品与服务。

鑫飞宏 - 锂电保护IC,电源管理IC,MOSFET功率器件,FH30120D,FH092N15HPSS,FH3504TL4,FH8802G,FH1806B2,FH1904GS3,FH8355-AAGT,FH3008GS,FH30120GS,FH3090D/3090G,FH1904G,FH3080K/3080G,FH8455-OT,FH3404TL4,FH4704GS,FH8463-DD,FH8454-DT,FH30110GS,FH1804D,FH3306B,FH4003TL4,FH4504TL,FH8463-PB,FH024N06MPS,FH8355-AAAT,FH4604D,FH028N03MGTS,FH1806D2,FH30150D,FH8453-BT,FH1804GS,FH531 OTL,FH8153-DS,FH3506GS,FH012N03MGBS,FH4608,FH071N12HPSS,FH1906TL4,FH3406GS,FH1606G56,FH011N08HT15,FH3210GS,FH8355-AALT,FH1604G,FH3704B,FH3704D,FH8355-AAHT,FH1604D,FH1806G,FH024N06MBS,FH1806D,FH1306G6,FH501OTL,FH3075GS,FH8454-OT,FH3703TL4,FH8455-PT,FH1906GS,FH8455-DT,FH4804TL,FH4008GS,FH4606G6D,FH037N10TL4,FH1606GS6,手机,笔记本电脑,电动工具,电池管理系统,移动电源

代理服务

技术支持采购服务

1970/01/01 - 数据手册

鑫飞宏 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,FH3055GS,DC-DC CONVERTERS,HIGH SPEED SWITCH,LITHIUM-ION BATTERY,高速开关,锂离子电池,DC-DC转换器

代理服务

技术支持采购服务

FH3016FDS+ 1节高压锂电池保护 IC

1970/01/01 - 技术文档该资料详细介绍了FH3016FDS+高压锂电池保护IC的功能、特性、电气参数和应用电路。该IC具备高精度电压检测、过充、过放、过流保护等功能，适用于单节锂离子/锂聚合物电池。资料中包含了产品功能表、电气特性、应用电路和时序图等内容，为用户提供了全面的技术信息。

鑫飞宏 - 锂电池保护IC,FH3016FDS+,单节锂离子/锂聚合物可充电电池

查看更多版本

代理服务

技术支持采购服务

FH3050GS6

2022/06/30 - 数据手册本资料详细介绍了FH3050GS6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的电气特性和典型特性，包括绝对最大额定值、静态特性、二极管特性、动态特性以及封装信息。

鑫飞宏 - POWER MOSFET,功率 MOSFET,FH3050GS6,电机控制等,电源管理

查看更多版本

代理服务

技术支持采购服务

FH3016FDR+ 1节高压锂电池保护 IC

1970/01/01 - 技术文档该资料详细介绍了FH3016FDR+高压锂电池保护IC的功能、特性、电气参数和应用电路。该IC具备高精度电压检测、过充、过放、过流保护等功能，适用于单节锂离子/锂聚合物电池。资料中包含了产品功能表、电气特性、功能说明、应用电路和时序图等内容，为用户提供了全面的技术信息。

鑫飞宏 - 锂电池保护IC,FH3016FDR+,单节锂离子/锂聚合物可充电电池

查看更多版本

代理服务

技术支持采购服务

面向2串45W多接口移动电源器件：鑫飞宏推出DS6036B+FH3075GS6+FH3030BG6成套选型方案（K-C03）

2026-08-14 - 应用方案本文面向10000mAh 2串锂电45W多口移动电源硬件开发，提供鑫飞宏成套器件DS6036B+FH3075GS6+FH3030BG6选型参考。方案支持CCLA多通道输入输出，覆盖C口、L线、USB-A多路快充电压档位；具备长时间45W持续输出能力、低温升特性，内置电量计量支持数码管电量显示，静态功耗优异、充放电效率高，并搭载完整锂电保护链路，适合多功能快充充电宝硬件方案落地。

代理服务

技术支持采购服务

鑫飞宏MOS管选型表

选型表 - 鑫飞宏鑫飞宏提供MOSFET功率器件选型，涵盖N沟道、P沟道、N+P双沟道及半桥驱动等细分品类，电压覆盖±12V至500V，电流范围0.7A-330A，Rds(on)低至0.8mΩ。产品支持2.5V/4.5V/10V多栅极驱动电压，部分型号集成ESD保护。封装形式多样，包括SOT-23/523、DFN2x2/3x3、PDFN3.3x3.3/5x6、TO-252/263、TOLL及WLCSP等，适用于消费电子、电机驱动、电源管理及工业控制领域。