ESNU04R03 N-channel MOSFET

发布时间： 2026-05-03

类型：技术文档，技术说明、产品技术资料

品牌：

静芯（ElecSuper）

型号：

ESNU04R03

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静芯官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司

世强先进（深圳）科技股份有限公司是静芯的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。

世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供静芯的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。

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高性能防护芯片与创新型集成电路设计企业——静芯（ElecSuper）

湖南静芯（ElecSuper）是一家拥有多项核心专利与荣誉的高性能防护芯片与创新型集成电路设计企业。专业提供全芯片高性能ESD/TVS集成设计服务和光电数模混合IC、TDS、OVP、ESD、MOS、TVS、TSS等产品的集成电路设计公司。静芯的研发和FAE团队经验丰富,提供各接口防护方案和系统级解决方案,同时为客户提供技术支持和电路整改建议。

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现货平台 / 静芯授权代理店

订货型号	ESN7534	品牌	静芯
型号系列	ESN7534	品类	MOS
描述/说明	SuperMOS – PDFN3X3-8L 30V BVDSS, 4mΩ RDS(on), N-channel MOSFET	封装/外壳/尺寸	PDFN3X3-8L
最小包装量	5,000	包装形式	卷带
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
BVDSS	30V	VGS	±20V
IDM	180A	TJ	150°C

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证

价格：

￥0.5500

库存：

3,850

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订货型号	ESD138KBZ	品牌	静芯
型号系列	ESD138KBZ	品类	MOSFET
描述/说明	SuperMOS –SOT-363 60V BVDSS, 1.8Ω RDS(ON), N-channel MOSFET	封装/外壳/尺寸	SOT-363
最小包装量	3,000	包装形式	磁带和卷轴
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
BVDSS	60V	VGS	±20V
PD	0.35W	IDM	1.2A

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证

价格：

￥0.1100

库存：

275

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订货型号	ES138KBQ	品牌	静芯
型号系列	ES138KBQ	品类	N-channel MOSFET
描述/说明	The ES138KBQ is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor.	封装/外壳/尺寸	SOT-323
最小包装量	3,000	包装形式	磁带和卷轴
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
BVDSS,	60V	RDS(ON)	1.8Ω
PD	0.35W	IDM	1.2A
TJ	150°C

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证

价格：

￥0.0825

库存：

275

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订货型号	SI3134KE-TP-ES	品牌	静芯
型号系列	SI3134KE-TP-ES	品类	MOS
描述/说明	SuperMOS – SOT-523 20V BVDSS, 150mΩ RDS(ON), N-channel MOSFET	封装/外壳/尺寸	SOT-523
最小包装量	3,000	包装形式	卷带
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
BVDSS	20V	VGS	±10V
PD	0.23W	IDM	4.8A
TJ	150°C

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

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价格：

库存：

0

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技术文档 - 英文	ESNU10R44 N沟道MOSFET Rev-1.1	下载
技术文档 - 英文	ESNU06R075 N沟道MOSFET Rev-1.1	下载
技术文档 - 英文	ESNU06R10 N沟道MOSFET Rev-1.4	下载
数据手册 - 英文	ESNJ06R16 N沟道MOSFET规格 Rev-1.2	下载
技术文档 - 英文	ESDNH03R085 N沟道MOSFET Rev-1.4	下载
数据手册 - 英文	ESNQ03R040 N沟道MOSFET规格 Rev-1.3	下载
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数据手册 - 英文	SuperMOS – SOT-23 20V BVDSS，45mΩ RDS(on)，N沟道MOSFET Rev-1.2	下载
技术文档 - 英文	ESNH06R09 N沟道MOSFET Rev-1.1	下载
数据手册 - 英文	SuperMOS – SOT-23 60V BVDSS，1.85Ω RDS(on)，N沟道MOSFET Rev-1.6	下载
数据手册 - 英文	SuperMOS – SOT-23 60V BVDSS，1.85Ω RDS(on)，N沟道MOSFET Rev-1.6	下载
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数据手册 - 英文	ESNH04R075 N沟道MOSFET数据手册 Rev-1.6	下载
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数据手册 - 英文	ESNH06R35 N沟道MOSFET数据手册 Rev-1.2	下载
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技术文档 - 英文	ESNJ10R48 N沟道MOSFET Rev-1.4	下载
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数据手册 - 英文	SuperMOS – SOT-23-3 30V BVDSS，21mΩ RDS(ON)，N沟道MOSFET Rev-1.3	下载
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数据手册 - 英文	ES138KCR N沟道MOSFET数据手册 Rev-1.1	下载
技术文档 - 英文	ESGNJ12R085 N沟道MOSFET Rev-1.1	下载

世强AI

世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

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应用/方案

有效防护静电冲击，湖南静芯15V低容静电保护器件SELC2F15V1U/SELC2F15V1B，为高速数据传输线路提供可靠保护

湖南静芯推出全新低容静电保护器件SELC2F15V1U/SELC2F15V1B，采用DFN1006-2L小型封装，专为15V信号线而设计，可应用于多种音视频设备、便携设备和通信系统。该款产品支持pin-to-pin替代ESD63091CN、SGM15UB1E2等器件，能有效防护静电冲击，为高速数据传输线路提供可靠保护。

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【新品发布】湖南静芯推出ESD增强型MOSFET ESP10N10K，耐压(Vds)为100V

湖南静芯推出ESD增强型MOSFET ESP10N10K，耐压100V，集成ESD器件，适用于PoE系统，具备IEC ±10kV/HBM ±15kV静电防护能力及高效低损耗特性。

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TDS平缓浪涌抑制器ESTVS2700DRVR：高侧数字输出驱动器TPS27S100浪涌防护方案

本文主要是针对高侧数字输出驱动器TPS27S100的浪涌防护方案，采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件ESTVS2700DRVR对芯片进行浪涌防护，保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害，确保设备的安全性。

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ESTVS1400DRVR静芯TDS平缓浪涌抑制器：单通道数模转换器DAC8771浪涌防护方案

本文主要是针对单通道数模转换器DAC8771的浪涌防护方案，采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件对芯片进行浪涌防护，保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害，确保设备的安全性。

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电流环路变送器XTR11x浪涌防护方案：ESTVS3300DRVR湖南静芯TDS平缓浪涌抑制器

本文主要是针对电流环路变送器XTR11x的浪涌防护方案，采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件ESTVS3300DRVR对芯片进行浪涌防护，保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害，确保设备的安全性。

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平缓钳位浪涌保护技术应用于高效系统保护

湖南静芯半导体突破浪涌控制技术，推出瞬态浪涌分流抑制器产品系列，以防止系统中引入的瞬态浪涌事件。这种采用IC技术提供了一种稳健的浪涌解决方案，不再基于传统TVS二极管中PN结进行击穿和电流泄放，而是通过内置的浪涌额定场效应晶体管将浪涌电流转移至地，其相比于TVS管中的PN结具备更低的导通电阻。本文简要概述了浪涌保护标准，解释了瞬态浪涌转移技术，并通过示例说明该技术如何优化系统设计。

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