ESNU04R03 N-channel MOSFET

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发布时间： 2026-05-03 品牌：静芯资料类型：技术文档语言：英文

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ESNU04R03是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于直流-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESNU04R03是无铅的。

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ESNU07R086 N沟道MOSFET

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ESNU10R44 N沟道MOSFET

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ESNU06R075 N沟道MOSFET

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ESNU06R10 N沟道MOSFET

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ESNJ06R16 N沟道MOSFET规格

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ESNJ06R06 N沟道MOSFET

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SuperMOS – SOT-23 60V BVDSS，1.85Ω RDS(on)，N沟道MOSFET

未提供 - 数据手册该资料详细介绍了2N7002型N沟道增强型MOS场效应晶体管。该晶体管采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路。产品特性包括60V耐压、1.85Ω导通电阻、高密度单元格设计、ESD保护、无卤素材料、可靠耐用、雪崩额定和低漏电流。应用领域包括PWM应用、负载开关、便携式/台式PC的电源管理以及DC/DC转换。

静芯 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,2N7002,PWM应用,DC/DC转换,负载开关,便携式/台式PC的电源管理

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SuperMOS – SOT-23 60V BVDSS，1.85Ω RDS(on)，N沟道MOSFET

数据手册该资料详细介绍了T2N7002AK-ES型N沟道增强型MOS场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路。产品特性包括60V耐压、1.85Ω导通电阻、沟槽MOSFET技术、高密度单元格设计、ESD保护、无卤素材料、可靠耐用、雪崩额定和低漏电流。应用领域包括PWM应用、负载开关、便携式/台式PC电源管理以及DC/DC转换。

数据手册

静芯 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,ES4484,脉宽调制应用,DC/DC转换,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT IN PORTABLE/DESKTOP PCS,便携式/台式电脑中的电源管理,DC/DC CONVERSION,LOAD SWITCH,负载开关

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勒森图贴片圆柱金属膜电阻的产品选型表

选型表 - 勒森图勒森图提供如下贴片圆柱金属膜电阻的产品选型,覆盖产品均适配≤200V 电压量程,核心选型维度包含型号,品类,电压量程,最大功率,源精度,电阻温度系数,(T.C.R.)及测量精度七大项,产品按额定功率分为 0.25W和0.4W两大系列,可匹配不同精度与功率场景的选型需求

产品型号	品类	电压量程	最大功率	源精度	T.C.R. PPM/℃	测量精度
SMM02040D2672BB300-LST	贴片圆柱金属膜电阻	≤200V	0.25W	0.1%	25PPM	0.001

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鑫飞宏MOS管选型表

选型表 - 鑫飞宏鑫飞宏提供MOSFET功率器件选型，涵盖N沟道、P沟道、N+P双沟道及半桥驱动等细分品类，电压覆盖±12V至500V，电流范围0.7A-330A，Rds(on)低至0.8mΩ。产品支持2.5V/4.5V/10V多栅极驱动电压，部分型号集成ESD保护。封装形式多样，包括SOT-23/523、DFN2x2/3x3、PDFN3.3x3.3/5x6、TO-252/263、TOLL及WLCSP等，适用于消费电子、电机驱动、电源管理及工业控制领域。

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鲁光电子(LGE)MOSFET选型表

选型表 - 鲁光电子鲁光提供多种MOSFET选型，覆盖N沟道/P沟道、高压600V-1700V、大电流0.1A-152A全谱；封装含TO-220/247/263、SOT-23/323/523、DFN、PDFN5×6-8L等，Rdson低至0.0024Ω，Qg<5nC超低栅荷，Coss<50pF高速，TJ 150-175℃，适配电源、电机、光伏、车载等需求。