LSD65R190GMF Power MOSFET Datasheet
发布时间：
2026-08-02
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
LONTEN（龙腾）
型号：
LSD65R190GMF
LONTEN官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | LSE65R099GT | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSX65R099GT | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 650V, 40A, 0.099Ω Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-2L |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS @ Tj,max | 700V | RDS(on),max | 0.099Ω |
| IDM | 120A | Qg,typ | 66nC |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥10.4000
库存：
40
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| 订货型号 | LSGN10R080 | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGN10R080 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 100V,83A Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | DFN5×6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS(V) | 100 | ID(A)25℃ | 83 |
| RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V) | 7.1 | RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V) | 8 |
| Qg(nC)(VGS=10V) | 28.3 | VGS(V) | 20 |
| VGS(th)(V) | 3 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.7143
库存：
20
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| 订货型号 | LSD65R380GM | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSD65R380GM | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N channel 650V, 11A, 0.38Ω Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | TO 220F |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 650V | Continuous drain current ( TC = 25°C ) | 11A |
| Pulsed drain current | 33A | Gate-Source voltage | ±30V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
库存：
20
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| 订货型号 | LSGN08R036 | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGN08R036 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 80V, 80A, 3.6mΩ Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 80 V | Continuous drain current ( TC = 25°C ) | 80A |
| Pulsed drain current | 320A | Gate-Source voltage | ±20 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | LSGC10R042HC | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGC10R042HC | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 100V, 180A, 4.2mΩ Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS (V) | 100 | ID (A) 25℃ | 180 |
| PD (W) 25℃ | 278 | ||
授权代理商：
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| 订货型号 | LSGE08R060LWB | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGE08R060LWB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 80V, 91A, 6mΩ Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS (V) | 80 | ID (A) 25℃ | 91 |
| PD (W) 25℃ | 89 | ||
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| 订货型号 | LSGN10R098WB | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGN10R098WB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 100V, 43A, 9.8mΩ Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS (V) | 100 | ID (A) 25℃ | 43 |
| PD (W) 25℃ | 48 | ||
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| 订货型号 | LSGN08R087LWB | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGN08R087LWB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 80V, 45A, 8.7mΩ Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS (V) | 80 | ID (A) 25℃ | 45 |
| PD (W) 25℃ | 40 | ||
授权代理商：
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| 订货型号 | LSGL04R160WB | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGL04R160WB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 40V, 9A, 16mΩ Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS (V) | 40 | ID (A) 25℃ | 9 |
| PD (W) 25℃ | 2.1 | ||
授权代理商：
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商品标签：
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| 订货型号 | LSGE04R028WB | 品牌 | LONTEN |
| 型号系列 | LSGE04R028WB | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Lonten N-channel 40V, 141A, 2.8mΩ Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS (V) | 40 | ID (A) 25℃ | 141 |
| PD (W) 25℃ | 89 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
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库存：
20
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道60V、67A、2.85mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
LSD65R370GT N沟道 650V、11A、370mΩ LonFET™ 功率MOSFET
Version 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道30V、36A、4.2mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
LSBA65R041HF N沟道 650V、73A、41mΩ LonFET™ 功率MOSFET
Version 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道60V，180A，2.85mΩ功率MOSFET
1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道60V，180A，2.85mΩ功率MOSFET
Version 1.1
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| 技术文档 - 英文 |
LSG65R150G3 N沟道 650V、22A、150mΩ LonFET™ 功率MOSFET
Version 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道40V、82A、1.49mΩ功率MOSFET
Version 1.0
|
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| 技术文档 - 英文 |
LSB60R031HF N沟道 600V、100A、0.031Ω LonFET™ 功率MOSFET
Version 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道40V、264A、0.99mΩ功率MOSFET
1.0
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| 技术文档 - 英文 |
LSG60R320G3 N沟道 600V、11A、320mΩ LonFET™ 功率MOSFET
Version 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道40V、67A、2.65mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道30V、50A、4.35mΩ功率MOSFET
Revision 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道30V、50A、4.65mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道650V，21A，0.18Ω LonFET™功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道30V、36A、3.2mΩ功率MOSFET
Revision 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道40V、50A、5mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道60V，243A，1.25mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道40V、356A、0.76 mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道60V、180A、1.55mΩ功率MOSFET
Revision 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道100V、310A、1.8mΩ功率MOSFET
Revision 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道100V、310A、1.8mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道30V、271A、0.88mΩ功率MOSFET
Revision 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道100V、300A、1.85mΩ功率MOSFET
Revision 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道100V、75A、7.5mΩ功率MOSFET
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道40V、82A、1.45mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道100V，420A，1.35mΩ功率MOSFET
Revision 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道650V，20A，180mΩ LonFET™功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道40V、240A、0.82 mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
隆腾N沟道650V，2A功率MOSFET
Revision 1.5
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| 数据手册 - 英文 |
隆腾N沟道650V，2A功率MOSFET
Revision 1.5
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| 数据手册 - 英文 |
隆腾N沟道650V，2A功率MOSFET
Revision 1.5
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| 数据手册 - 英文 |
Lonten N沟道600V，18A，210mΩ LonFET™功率MOSFET
Revision 1.1
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Lonten N沟道85V、180A、3.0mΩ功率MOSFET
Revision 1.2
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Lonten N沟道120V、82A、6.85mΩ功率MOSFET
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Lonten N沟道150V，279A，3.25mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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Lonten N沟道85V、497A、1.08mΩ功率MOSFET
Revision 1.0
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Lonten N沟道85V、360A、1.45mΩ功率MOSFET
Version 1.0
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Lonten N沟道85V、300A、1.85mΩ功率MOSFET
Revision 1.2
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Lonten N沟道85V、100A、3.55mΩ功率MOSFET
Revision 1.1
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Lonten N沟道85V、360A、1.4mΩ功率MOSFET
Revision 1.3
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Lonten N沟道600V、130A、17mΩ LonFET™功率MOSFET
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Lonten N沟道600V，48A，69mΩ LonFET™功率MOSFET
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Lonten N沟道60V，180A，1.95mΩ功率MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
龙腾半导体DFN5×6铜夹封装SGT MOSFET LSGN04R008FHB，专为商用无人机电驱打造
龙腾半导体推出LSGN04R008FHB N沟道SGT MOSFET，采用DFN5×6铜夹封装，具备40V耐压、384A持续电流及0.85mΩ低导通电阻，专为商用无人机电调、储能BMS及高频电源转换打造，提供高功率密度与抗振可靠性。
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新品发布 | 龙腾半导体推出1200V/40A中频IGBT，面向工控应用
龙腾半导体推出1200V/40A中频IGBT新品LKB40N120UM1，采用Field Stop Trench技术，优化导通损耗与热稳定性，为工业变频驱动下的风机、水泵、压缩机提供高可靠解决方案。
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New Product Launch | Lonten‘s G3 super junction platform 650V high-voltage MOSFET
Lonten Semiconductor‘s first high-voltage MOSFET-LSD65R150G3 based on the new G3 super junction 650V platform was officially released to the market. The TO-220F is packaged in a fully insulated package with lower on-resistance, better gate charge, and faster switching speeds, providing next-generation core power solutions for applications such as LED power supplies, high-efficiency adapters, high-power power supplies, and industrial power supplies.
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龙腾半导体G3超结平台首发650V高压MOSFET LSD65R150G3，更低导通电阻、更优栅极电荷和更快开关速度
龙腾半导体发布基于G3超结平台的首款650V高压MOSFET LSD65R150G3，采用TO-220F封装，具备低导通电阻、优栅极电荷及快开关速度，适用于LED电源、适配器及工业电源等。
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Lonten Super Junction MOSFETs, Which Define AI Computing Power with Higher Energy Efficiency
Lonten super junction MOSFETs define AI computing power with higher energy efficiency. With extremely low conduction loss and excellent switching performance, they are core devices for AI server power supplies. Lonten‘s 600V/650V product line offers advantages like low on-resistance, high-frequency switching support, and robust body diodes, meeting diverse needs.
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突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT新品MOSFET LSGT15R032
龙腾半导体推出新一代150V G3平台屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品LSGT15R032，具备超低导通电阻与强大电流能力，适用于高端BMS、电驱及DC-DC转换应用。
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