LSD65R190GMF Power MOSFET Datasheet

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2026-08-02 LONTEN 数据手册 英文

LonFET™功率MOSFET采用先进的超级结技术制造。所得器件具有极低的导通电阻,使其特别适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。

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产品型号
品类
VDS(V)
ID(A)25℃
RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V)
RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V)
RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=4.5V)
RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=4.5V)
Qg(nC)(VGS=10V)
VGS(V)
VGS(th)(V)
Package
LSGN10R080L
中低压SGT MOSFET
100
83
7.1
8
10
13
28.3
20
1.9
DFN5×6
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LONTEN高压平面MOSFET选型表

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产品型号
品类
VDS(V)
ID(A)25℃
RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V)
RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V)
Qg(nC)(VGS=10V)
VGS(V)
VGS(th)(V)
Package
LND6507
高压平面MOSFET
650
7
1200
1400
20.7
30
3
TO-220F
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LONTEN超结MOSFET选型表

选型表  -  LONTEN 提供LONTEN超结MOSFET选型:VDS:250V~800V;ID(A):2~100A;VGS(V):20~36.5;封装包括:DFN5x6、DFN8×8、TO-220、TO-220F 、TO-247、TO-252、TO-262、TO-263等,具有极低的导通电阻和栅极电荷,显著降低导通和开关损耗,特别适用于高功率密度和高效率电力电子变换系统

产品型号
品类
VDS(V)
ID(A)25℃
RDS(ON)Typ (mΩ)(VGS=10V)
RDS(ON)Max (mΩ)(VGS=10V)
Qg(nC)(VGS=10V)
VGS(V)
VGS(th)(V)
Package
LSNC65R180GF
MOSFET
650
20
160
180
40.2
30
3
DFN8x8
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