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VBE17R08SE N-Channel 700 V Super Junction Power MOSFET
发布时间: 2026-08-05
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
型号:
VBE17R08SE
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VBsemi官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年,是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商,作为国际知名品牌,VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
订货型号 STL9P3LLH6-VB
品牌 VBsemi
型号系列 STL9P3LLH6-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装DFN3X3,沟道Single-P,Vds(V):-30V
封装/外壳/尺寸 DFN3X3
最小包装量 10
包装形式 盘装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Single-P
Vds(V) -30V
Vth(V) -2.5V
Ida(A) -50A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.8000
库存:
50
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订货型号 FDWS86068-F085-VB
品牌 VBsemi
型号系列 FDWS86068-F085-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装DFN5X6,沟道Single-N,Vds(V):100V
封装/外壳/尺寸 DFN5X6
最小包装量 10
包装形式 盘装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Single-N
Vds(V) 100V
Vth(V) 1~3V
Ida(A) 100A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥3.7320
库存:
50
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订货型号 AOK42S60L-VB
品牌 VBsemi
型号系列 AOK42S60L-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装TO247,沟道Single-N,Vds(V):650V
封装/外壳/尺寸 TO247
最小包装量 10
包装形式 盘装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Single-N
Vds(V) 650V
Vth(V) 3.5V
Ida(A) 47A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥17.9040
库存:
50
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订货型号 AO4480-VB
品牌 VBsemi
型号系列 AO4480-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装SO-8,沟道Single-N,Vds(V):40V
封装/外壳/尺寸 SO-8
最小包装量 10
包装形式 盘装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Single-N
Vds(V) 40V
Vth(V) 1.8V
Ida(A) 10A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.2000
库存:
50
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订货型号 SI7860DP-T1-GE3-VB
品牌 VBsemi
型号系列 SI7860DP-T1-GE3-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装DFN8(5X6),沟道Single-N,Vds(V):30V
封装/外壳/尺寸 DFN8(5X6)
最小包装量 10
包装形式 盘装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Single-N
Vds(V) 30V
Vth(V) 1.7V
Ida(A) 80A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.8000
库存:
50
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订货型号 AP0504GMT-HF-VB
品牌 VBsemi
型号系列 AP0504GMT-HF-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装DFN8(5X6),沟道Single-N,Vds(V):40V
封装/外壳/尺寸 DFN8(5X6)
最小包装量 10
包装形式 盘装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Single-N
Vds(V) 40V
Vth(V) 2.5V
Ida(A) 70A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥2.6880
库存:
50
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订货型号 FDMS86105-VB
品牌 VBsemi
型号系列 FDMS86105-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装DFN8(5X6),沟道Single-N,Vds(V):100V
封装/外壳/尺寸 DFN8(5X6)
最小包装量 10
包装形式 盘装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Single-N
Vds(V) 100V
Vth(V) 2.5V
Ida(A) 65A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥3.7320
库存:
50
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订货型号 BSC118N10NS G-VB
品牌 VBsemi
型号系列 BSC118N10NS G-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装DFN8(5X6),沟道Single-N,Vds(V):100V
封装/外壳/尺寸 DFN8(5X6)
最小包装量 10
包装形式 盒装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Single-N
Vds(V) 100V
Vth(V) 2.5V
Ida(A) 65A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥3.7320
库存:
50
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订货型号 QM3807M6-VB
品牌 VBsemi
型号系列 QM3807M6-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装DFN8(5X6),沟道Half-Bridge-N+N,Vds(V):30V
封装/外壳/尺寸 DFN8(5X6)
最小包装量 10
包装形式 盘装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Half-Bridge-N+N
Vds(V) 30V
Vth(V) 1.7V
Ida(A) 60A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥2.6880
库存:
50
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QM3807M6-VB 交期查询 >>
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订货型号 BSC265N10LSF G-VB
品牌 VBsemi
型号系列 BSC265N10LSF G-VB
品类 MOSFET
描述/说明 场效应管,封装DFN8(5X6),沟道Single-N,Vds(V):100V
封装/外壳/尺寸 DFN8(5X6)
最小包装量 10
包装形式 盘装
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
沟道 Single-N
Vds(V) 100V
Vth(V) 1.8V
Ida(A) 30A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥4.4760
库存:
50
世强硬创平台提供BSC265N10LSF G-VB在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货50,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合VBsemi原厂及授权代理商FAE资源,提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持,响应快、专业强,助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供VBsemi快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
可定制5G天线的尺寸、连接器种类、电缆类型,支持频率:700~960 MHz/1710~2700 MHz/3500~5850 MHz。
立即提交 内外置5G天线定制 >>
可定制DC风扇的尺寸范围:15mm~225mm;转速:≤16500 RPM;噪音:≥10.4dB,还可定制厚度、电压、风量、风压等参数,符合 RoHS 标准。
立即提交 IP68防尘防水风扇定制 >>
资料平台
数据手册 - 英文
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
2025/11/08
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数据手册 - 英文
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
2025/11/08
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数据手册 - 中文
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
1970/01/01
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数据手册 - 英文
VBM17R0 / VBMB17R0 VBE17R0 / VBFB17R0
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBM17R0 / VBMB17R0 VBE17R0 / VBFB17R0
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBE17R06 N沟道 700V(漏源极)MOSFET
2026/08/05
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数据手册 - 英文
VBE17R02SE N沟道 700V 超结功率MOSFET
A
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数据手册 - 英文
功率 MOSFET
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBE17R05SE N沟道 700 V 超级结功率MOSFET
A
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数据手册 - 英文
VBE17R07S N沟道 700V 超级结功率MOSFET
A
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数据手册 - 英文
VBM17R07 / VBMB17R07 VBE17R07 / VBFB17R07
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S 功率MOSFET
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S 功率MOSFET
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S 功率MOSFET
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S 功率MOSFET
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBE17R07S / VBFB17R07S VBM17R07S / VBMB17R07S
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBE17R07S / VBFB17R07S VBM17R07S / VBMB17R07S
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBE17R07S / VBFB17R07S VBM17R07S / VBMB17R07S
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBE17R07S / VBFB17R07S VBM17R07S / VBMB17R07S
2025/10/29
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数据手册 - 英文
VBL17R11SE N沟道 700 V 超级结功率MOSFET
A3
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技术文档 - 英文
VBP17R20SE N沟道 700V (D-S) 超结功率MOSFET
A
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数据手册 - 英文
VBFB17R05SE N沟道 700 V 超级结功率MOSFET
A
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技术文档 - 英文
3N70L-TM3-T-VB 数据手册 N沟道 700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
2025/10/31
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数据手册 - 英文
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
2025/12/09
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数据手册 - 英文
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
2025/11/08
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数据手册 - 英文
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
2025/11/08
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数据手册 - 英文
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
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数据手册 - 英文
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
2025/11/07
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数据手册 - 中文
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
1970/01/01
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数据手册 - 英文
VBFB17R04SE N沟道 700V (D-S) 超结功率MOSFET
A3
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