VBE17R08SE N-Channel 700 V Super Junction Power MOSFET

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2026-08-05 VBsemi 数据手册 英文

N沟道700V(漏-源)超结功率MOSFET。低优值(FOM)Ron x Qg。低输入电容(Ciss)。降低的开关和导通损耗。超低栅极电荷(Qg)。雪崩能量额定(UIS)。

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VBsemi场效应管选型表

选型表  -  VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域

产品型号
品类
封装
沟道
Vds(V)
Vth(V)
Ida(A)
12N10-VB
MOSFET
TO252
Single-N
100V
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