VBE17R08SE N-Channel 700 V Super Junction Power MOSFET
N沟道700V(漏-源)超结功率MOSFET。低优值(FOM)Ron x Qg。低输入电容(Ciss)。降低的开关和导通损耗。超低栅极电荷(Qg)。雪崩能量额定(UIS)。
| 世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由VBsemi品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
N沟道700V(漏极-源极)超结功率MOSFET
2025/11/08 - 数据手册 本资料介绍了一种N-Channel 700V Super Junction Power MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等特性,适用于服务器、电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明、工业、可再生能源和太阳能等领域。
VBSEMI - 超级结功率MOSFET,VBE17R04SE,服务器和电信电源,可再生能源,太阳能(PV逆变器),开关模式电源(SMPS),功率因数校正电源(PFC),照明,工业
查看更多版本VBM17R0 / VBMB17R0 VBE17R0 / VBFB17R0
2025/10/29 - 数据手册 该资料详细介绍了VBM17R0系列MOSFET产品的特性、规格和应用领域。资料中包含了产品的绝对最大额定值、热阻等级、典型特性曲线、封装尺寸等信息,适用于服务器和电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域。
VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB17R0,VBE17R0,VBMB17R0,VBM17R0,服务器和电信电源,开关模式电源(SMPS),功率因数校正电源(PFC),照明(高压放电灯、荧光灯镇流器),工业
查看更多版本VBE17R06 N沟道 700V(漏源极)MOSFET
2026/08/05 - 数据手册
VBSEMI - N沟道700V(漏源极)MOSFET,N-CHANNEL 700-V (D-S) MOSFET,VBE17R06,开关电源(SMPS),INDUSTRIAL,SERVER AND TELECOM POWER SUPPLIES,功率因数校正电源(PFC),照明,SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),HIGH-INTENSITY DISCHARGE (HID),荧光灯镇流器照明,服务器和电信电源,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,LIGHTING,高强度放电(HID),POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES (PFC),工业
VBE17R02SE N沟道 700V 超结功率MOSFET
2026/06/13 - 数据手册
VBSEMI - N-CHANNEL 700 V SUPER JUNCTION POWER MOSFET,N沟道 700 V 超结功率MOSFET,VBE17R02SE,WELDING,INDUSTRIAL,SERVER AND TELECOM POWER SUPPLIES,照明,INDUCTION HEATING,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,焊接,LIGHTING,工业,BATTERY CHARGERS,MOTOR DRIVES,太阳能(光伏逆变器),开关电源(SMPS),电机驱动,功率因数校正电源(PFC),SOLAR (PV INVERTERS),SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),HIGH-INTENSITY DISCHARGE (HID),荧光灯镇流器照明,感应加热,服务器和电信电源,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,高强度放电(HID),POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES (PFC),蓄电池充电器
VBE17R07S N沟道 700V 超级结功率MOSFET
2026/08/05 - 数据手册
VBSEMI - N-CHANNEL 700V SUPER JUNCTION POWER MOSFET,N沟道700V超结功率MOSFET,VBE17R07S,WELDING,INDUSTRIAL,SERVER AND TELECOM POWER SUPPLIES,照明,INDUCTION HEATING,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,焊接,LIGHTING,工业,BATTERY CHARGERS,MOTOR DRIVES,太阳能(光伏逆变器),开关电源(SMPS),电机驱动,功率因数校正电源(PFC),SOLAR (PV INVERTERS),SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),HIGH-INTENSITY DISCHARGE (HID),荧光灯镇流器照明,感应加热,服务器和电信电源,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,高强度放电(HID),POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES (PFC),蓄电池充电器
VBE17R05SE N沟道 700 V 超级结功率MOSFET
2026/08/05 - 数据手册
VBSEMI - N-CHANNEL 700 V SUPER JUNCTION POWER MOSFET,N沟道 700 V 超结功率MOSFET,VBE17R05SE,WELDING,INDUSTRIAL,SERVER AND TELECOM POWER SUPPLIES,照明,INDUCTION HEATING,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,焊接,LIGHTING,工业,BATTERY CHARGERS,MOTOR DRIVES,太阳能(光伏逆变器),开关电源(SMPS),电机驱动,功率因数校正电源(PFC),SOLAR (PV INVERTERS),SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),HIGH-INTENSITY DISCHARGE (HID),荧光灯镇流器照明,感应加热,服务器和电信电源,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,高强度放电(HID),POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES (PFC),蓄电池充电器
VBM17R07 / VBMB17R07 VBE17R07 / VBFB17R07
2025/10/29 - 数据手册 该资料详细介绍了VBM17R07 / VBMB17R07 VBE17R07 / VBFB17R07系列功率MOSFET的特性、规格和应用领域。资料中包含了产品的关键参数、电气特性、热阻评级、封装尺寸以及应用场景。
VBSEMI - 功率MOSFET,VBM17R07,VBFB17R07,VBE17R07,VBMB17R07,服务器和电信电源,开关模式电源,功率因数校正电源,照明,工业
VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S 功率MOSFET
2025/10/29 - 数据手册 本资料详细介绍了VBM17R05S / VBMB17R05S VBE17R05S / VBFB17R05S系列功率MOSFET的特性、规格和典型应用。资料涵盖了产品的电气参数、热阻、封装尺寸、典型特性曲线等,并提供了产品在不同应用场景下的性能表现。
VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB17R05S,VBMB17R05S,VBM17R05S,VBE17R05S,电机控制,电源管理
查看更多版本VBE17R07S / VBFB17R07S VBM17R07S / VBMB17R07S
2025/10/29 - 数据手册 该资料详细介绍了VBE17R07S / VBFB17R07S VBM17R07S / VBMB17R07S系列功率MOSFET的特性、规格和应用领域。资料涵盖了产品的电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及RoHS合规性等信息。
VBSEMI - 功率MOSFET,VBFB17R07S,VBMB17R07S,VBM17R07S,VBE17R07S,开关电源,服务器和电信电源,功率因数校正电源,照明,工业
查看更多版本VBsemi|服务器远程运维系统功率链路设计实战:效率、可靠性与智能化的平衡之道
2026-06-06 - 设计经验 本文探讨高端服务器远程运维系统功率链路设计,分析VBQF2120、VBQA3638等关键器件选型,详解热管理、信号完整性及可靠性设计,并通过测试验证方案性能,为提升系统效率与智能化运维提供实战指导。
面向高可靠与高功率密度需求的AI备用电池单元BBU MOSFET选型策略与器件适配手册
2026-01-23 - 器件选型 本文针对AI备用电池单元(BBU)中功率MOSFET的选型策略与器件适配,围绕高可靠性与高功率密度需求,提出基于电压、损耗、封装与可靠性的四维协同选型原则,并结合电池管理、DC-DC转换与负载切换三大核心场景,提供具体型号推荐与系统级设计要点。
VBL17R11SE N沟道 700 V 超级结功率MOSFET
2026/08/05 - 数据手册
VBSEMI - N-CHANNEL 700 V SUPER JUNCTION POWER MOSFET,N沟道 700 V 超结功率MOSFET,VBL17R11SE,SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),HIGH-INTENSITY DISCHARGE (HID),荧光灯镇流器照明,开关电源(SMPS),服务器和电信电源,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,LIGHTING,高强度放电(HID),SERVER AND TELECOM POWER SUPPLIES,功率因数校正电源(PFC),POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES (PFC),照明
VBP17R20SE N沟道 700V (D-S) 超结功率MOSFET
1970/01/01 - 技术文档 本资料详细介绍了N-Channel 700V Super Junction Power MOSFET的产品特性。包括其低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等优势,适用于服务器和电信电源、开关电源、功率因数校正电源和照明等领域。资料还提供了该器件的绝对最大额定值、热阻等级、电气规格和封装尺寸等信息。
VBSEMI - N-CHANNEL 700 V (D-S) SUPER JUNCTION POWER MOSFET,N沟道 700 V (D-S) 超结功率 MOSFET,VBP17R20SE,SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),HIGH-INTENSITY DISCHARGE (HID),荧光灯镇流器照明,开关电源(SMPS),服务器和电信电源,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,LIGHTING,高强度放电(HID),SERVER AND TELECOM POWER SUPPLIES,功率因数校正电源(PFC),POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES (PFC),照明
VBsemi场效应管选型表
选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
沟道
|
Vds(V)
|
Vth(V)
|
Ida(A)
|
|
12N10-VB
|
MOSFET
|
TO252
|
Single-N
|
100V
|
1.8V
|
15A
|
电子商城
服务市场
可定制5G天线的尺寸、连接器种类、电缆类型,支持频率:700~960 MHz/1710~2700 MHz/3500~5850 MHz。
最小起订量:500 提交需求>
可定制DC风扇的尺寸范围:15mm~225mm;转速:≤16500 RPM;噪音:≥10.4dB,还可定制厚度、电压、风量、风压等参数,符合 RoHS 标准。
最小起订量:1 提交需求>
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论