ND009DTFG Dual N-Channel MOSFET
发布时间：
2026-10-07
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
杜因特（Doingter）
型号：
ND009DTFG
杜因特官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是杜因特的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供杜因特的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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致力于功率半导体开发、生产、销售的专业MOSFET供应商——杜因特（Doingter）
深圳市杜因特半导体有限公司致力于功率半导体的开发、生产、销售。主要产品为MOS场效应管，包括金属氧化场效应管和SIC（碳化硅MOS管），产品型号超过2000个。公司拥有超过10年的技术积累，自有品牌MOS管封装规格突破30种，可依客户需要定制低中高压及不同封装参数产品。公司被评为广东省专精特新企业，产品服务于20多个国家和地区。公司地址位于深圳市龙岗区坂田街道布龙路龙景科技园G栋7楼。产品广泛应用于电机驱动（电动家电、航模无人机、电动工具、气泵水泵、电调等）、电源充电（PD快充、移动电源、开关电源、适配器、无线充、逆变器、UPS等）、锂电保护、LED照明、雾化器、TV等领域。
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现货平台 / 杜因特 授权代理店
| 订货型号 | ND009DTFG |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | ND009DTFG |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Technology：SGT2，VDSS（V）：40，ID(A)25℃：55 |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6-8D |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Technology | SGT2 |
| Schottky/FRD | N |
| N/P | N+N |
| VDSS（V） | 40 |
| ID(A)25℃ | 55 |
| RDS(ON)(mΩ)10V(TYP)-FT | 8 |
| RDS(ON)(mΩ)10V(MAX) | 9 |
| VGS(V)(MAX) | 20 |
| VGS(TH)(V)L | 2.2 |
| VGS(TH)(V)TYP | 2.8 |
| VGS(TH)(V)H | 3.4 |
| Ciss(pF)(TYP)TYP | 600 |
| Qg nC(TYP) | 12 |
| @VGS(V) | 10 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5624
库存：
0
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| 订货型号 | DO7800 |
| 品牌 | 杜因特 |
| 型号系列 | DO7800 |
| 品类 | Dual N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | This Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-363 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 20 V |
| Gate-Source Voltage | ±8 V |
| Power Dissipation | 0.3 W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3164
库存：
0
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
ZD007DTDG 双N沟道MOSFET
V1.0
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QB4R7DNG 双N沟道MOSFET
V1.0
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QAB4R7DNG 双N沟道MOSFET
V1.1
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DO6802双N沟道MOSFET
2019/6/14
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DO8830 双N沟道MOSFET
V2.0
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NC4R5DTDG 双N沟道MOSFET
V1.0
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EC5R8DTDG 双N沟道MOSFET
V1.0
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ZG018DTDG 双N沟道MOSFET
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DO4842A 双N沟道MOSFET
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NE015DNG 双N沟道MOSFET
V1.1
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ZB008DNG双N沟道MOSFET
V1.0
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ZB008DNG双N沟道MOSFET
2020/11/12
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DOS4800双N沟道MOSFET
2020/6/6
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ZC018DNG双N沟道MOSFET
2018/4/28
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NB004DNAG 双N沟道MOSFET
V1.0
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DD009NG 双N沟道MOSFET
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ZD035DNG 双N沟道MOSFET
V2.0
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ZD017DNG 双N沟道MOSFET
V1.3
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ZD017DTG 双N沟道MOSFET
V1.0
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ZB5R5DNAG-K 双N沟道MOSFET
V1.1
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SE005DTDG 双N沟道MOSFET
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SD017DNG 双N沟道MOSFET
V1.1
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ZE017DTG 双N沟道MOSFET
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ND009DNG 双N沟道MOSFET
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ZB010DNG双N沟道MOSFET
V1.1
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ZB010DNG双N沟道MOSFET
2021/3/26
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ZC013DNG双N沟道MOSFET
2021/10/12
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DODJ8812 双N沟道MOSFET
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EC016DTCG 双N沟道MOSFET
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SE050DNG 双N沟道MOSFET
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SE018DNG 双N沟道MOSFET
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NC006DNG-B 双N沟道MOSFET
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ZB020DNAG 双N沟道MOSFET
V1.0
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DOD3040 双N沟道MOSFET
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SE030DNG 双N沟道MOSFET
V1.1
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NE010DNDG 双N沟道MOSFET
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ZH025DTDG 双N沟道MOSFET
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EC0806DNG 双N沟道MOSFET
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NE020DNG 双N沟道MOSFET
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NE030DNG 双N沟道MOSFET
V1.0
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SE018DTG 双N沟道MOSFET
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DO8205S 双N沟道MOSFET
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EC008DNG-B 双N沟道MOSFET
V1.0
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应用/方案
【产品】采用先进的沟道技术的N沟道MOSFET DB007NG，最大漏源电压VDS为20V，拥有低栅极电荷等特性
DB007NG是杜因特新推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供出色的漏源导通电阻，可以用于各种各样的应用，如电子电子，大功率驱动电路，开关电源领域。
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【产品】杜因特推出N沟道MOSFET DE090NG-D，栅极电荷低，采用先进高单元密度沟槽技术
杜因特推出型号为DE090NG-D的N沟道MOSFET，采用先进的沟道技术和设计，提供出色的RDS(on)以及低栅极电荷，采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能，可用于多种应用。
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【产品】杜因特推出漏-源电压30V的P沟道MOS管DC033PG，总栅极电荷典型值9.2nC
杜因特推出的P沟道MOS管DC033PG采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(on)和低栅极电荷特性。该器件适用于多种应用。
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【产品】采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET DB010PG，漏源导通电阻＜10mΩ
杜因特推出的P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，具有优良的漏源导通电阻及低栅级电荷特性，应用广泛。VDS=-20V，ID=-65A，RDS(ON)＜10mΩ@VGS=-4.5V
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【产品】杜因特推出低栅电荷的N沟道MOSFET DB004NG，漏源导通电阻＜3.5mΩ
杜因特推出的N沟道MOSFET DB004NG采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优秀的漏源导通电阻RDS（on）。该器件的应用范围十分广泛，封装优良，散热效果好；属于环保器件。
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【产品】采用高单元密度沟槽技术的P沟道MOSFET器件BD006PG，漏源导通电阻＜5.8mΩ
杜因特推出的P沟道MOSFET器件BD006PG采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性，该器件适用于多种应用。采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能。
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