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选型表 - 杜因特 杜因特提供SiC碳化硅功率MOSFET选型，涵盖平面型（Planar/Planar2）技术工艺。电压等级覆盖650V-1200V，电流承载能力7A-160A，导通电阻范围16mΩ-495mΩ，栅极阈值电压2.5V-3.5V。封装形式包括TO-252、TO-247及带开尔文源极的TO-247-4L/TO-247-4LNotch四引脚封装，支持18V/-5V驱动。适配新能源汽车、充电桩、光伏逆变、储能系统及工业电源等高频高压应用。
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产品型号
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品类
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Package
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Technology
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N/P
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VDSS（V）
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ID(A)25℃
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RDS(ON)(mΩ)18V(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)18V(MAX)
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RDS(ON)(mΩ)15V(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)15V(MAX)
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VGS(V)(MAX)
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VGS(V)(OP)
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VGS(TH)(V)L
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VGS(TH)(V)TYP
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VGS(TH)(V)H
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Ciss(pF)(L)
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Ciss(pF)(TYP)TYP
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Ciss(pF)(H)
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Qg nC(TYP)
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Qg @VGS(V)
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G0C050N120F2A
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碳化硅功率MOSFET
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TO-247
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Planar2
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N
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1200
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55
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40
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50
|
55
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70
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-10/+22
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-5/+18
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2
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3
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4.5
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1200
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1600
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2000
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60
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18
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杜因特功率MOSFET选型表
选型表 - 杜因特 杜因特提供功率MOSFET分立器件及多芯片集成选型，涵盖Trench沟槽、SGT屏蔽栅、SJ-MOS超结及Planar平面技术工艺，含N沟道、P沟道及互补对管（N+P/N+N）。电压覆盖12V-1500V，电流0.18A-350A，导通电阻低至0.45mΩ，可选低Qg、带ESD防护及内置FRD特性。封装齐全：TO-252/251/220/263、SOP-8、SOT-23/89/223、DFN2×2/3×3/5×6及TOLLA等，适配开关电源、电机驱动、电池保护及高频同步整流应用。
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产品型号
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品类
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Package
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Technology
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Schottky/FRD
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N/P
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VDSS（V）
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ID(A)25℃
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RDS(ON)(mΩ)4.5V(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)4.5V(MAX)
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RDS(ON)(mΩ)2.5(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)2.5V(MAX)
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VGS(V)(MAX)
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VGS(TH)(V)L
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VGS(TH)(V)TYP
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VGS(TH)(V)H
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Ciss(pF)(TYP)TYP
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Qg nC(TYP)
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Qg @VGS(V)
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DB015NG
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MOSFET
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TO-252
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Trench
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N
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N
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20
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25
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13
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15
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15
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18
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12
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0.5
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0.7
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1
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515
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12
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10
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杜因特MOS选型表
选型表 - 杜因特 杜因特提供以下技术参数的MOSFET选型，耐压范围20V-900V，具有极低的导通电阻，封装规格突破16种，可根据客户需要定制低中高压及不同封装参数产品
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产品型号
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品类
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VDSS(V)(MIN)
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ID(A) at 25℃
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VGS(V)(MAX)
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Ciss(pF)(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
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DB010NG
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MOSFET
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20V
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30A
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12V
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990pF
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8MΩ
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10MΩ
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