Material Composition Declaration NSS1C200LT1G
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NSS1C200LT1G
本材料成分声明文件详细介绍了NSS1C200LT1G产品的物质构成与合规性信息。资料明确列出了该产品的具体型号、名称及制造工艺，并重点阐述了其材料成分与含量，确认产品符合欧盟RoHS指令的环保要求。此外，文件还涵盖了供应商联系方式及产品制造地点等关键信息，为用户进行合规性审查与供应链管理提供了权威依据。针对文中所述产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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产品概述NSS1C200L：低V CE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
1/1/2018
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NSS1C200LT1G材料成分声明
2020-01-29
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NSS1C200LT1G材料成分声明
2019-07-14
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NSS1C200LT1G材料成分声明
2019-03-30
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NSS1C200L低VCE（sat）晶体管产品概述
3/29/2019
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材料成分声明100V PNP低VCE（SAT）TRA
2017-12-04
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NSS1C200L，NSV1C200L低VCE（饱和）晶体管，PNP，100V，2.0a
Rev. 6
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NSS1C200L，NSV1C200L低电压（饱和）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
Rev. 6
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NSS1C200L，NSV1C200L低电压（饱和）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
Rev. 6
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NSS1C200MZ4T1G材料成分声明
2019-07-14
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NSS1C200MZ4T1G材料成分声明
2019-03-30
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NSS1C200L，NSV1C200L低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 a
Rev. 6
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材料成分声明NSS1C200MZ4T3G
2018-01-17
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产品概述NSS1C200LT1G:100V PNP低VCE（sat）晶体管
12/27/2017
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材料成分声明PNP SOT223 BIP POWER TRAN
2017-12-04
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材料成分声明PNP SOT223 BIP POWER TRAN
2017-12-04
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NSS1C200LT1G:100V PNP低VCE（sat）晶体管
1/18/2018
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NSS1C200LT1G 100V PNP低VCE（sat）晶体管产品概述
3/31/2019
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NSS1C200MZ4T3G材料成分声明
2019-07-14
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NSS1C200MZ4T3G材料成分声明
2019-03-30
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产品概述NSS1C200：低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
12/28/2017
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材料成分声明NSS1C200MZ4T1G
2018-01-17
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NSS1C200：低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 a
3/13/2020
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NSS1C200低VCE（sat）晶体管产品概述
3/28/2019
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NSS1C200MZ4，NSV1C200MZ4 PNP晶体管，低VCE（饱和）100 V，2.0 A
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NSS1C200MZ4，NSV1C200MZ4 100 V，2.0 A，低VCE（sat）PNP晶体管
Rev. 5
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TND6093/D低VCE（sat）BJT在汽车中的应用
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
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TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
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ES1JFL表面贴装超快整流器数据表
Rev. 2
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PN2222（传统飞兆半导体）通用晶体管产品概述
8/10/2019
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BD237 NPN外延硅双极型功率晶体管产品概述
8/10/2019
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MBR440MFST1G材料成分声明
2019-09-16
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1SMA5930BT3G材料成分声明
2019-09-16
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FSL136HR绿色模式电源开关
Rev. 2
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MT9V024IA7XTC-DP-E材料成分声明
2019-09-10
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NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-09-10
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NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-08-14
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NGTG40N120FL2WG材料成分声明
2019-09-10
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AR1335HS2C11SMAA0-DRBR材料成分声明
2019-09-10
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74FST3257MNTWG材料成分声明
2019-09-10
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7WB3126MUTCG材料成分声明
2019-09-10
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CM1216-06MR材料成分声明
2019-09-10
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MC74VHCT04ADTR2材料成分声明
2019-09-10
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74LCX541SJ材料成分声明
2019-09-10
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MMBT6520LT3G材料成分声明
2019-09-10
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应用/方案
汽车应用中的低V-CE（SAT）BJT
本文介绍了ON Semiconductor的低压饱和电压晶体管（BJT）在汽车应用中的优势。这些晶体管在功率开关应用中优于平面MOSFET，具有更高的ESD鲁棒性、更低的功耗和更低的成本。文章详细讨论了这些晶体管的技术特点、热设计考虑因素、应用实例，如负载开关、MOSFET栅极驱动和过压保护，以及它们在汽车电子系统中的多种应用。
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产品概述NSS1C200：低VCE（sat）晶体管，PNP，100 V，2.0 A
该资料介绍了NSS1C200型低VCE(sat)晶体管，属于PNP型，适用于100V、2.0A的低电压、高速开关应用。该晶体管具有超低饱和电压VCEsat、高电流增益能力，适用于负载切换、电池充电、DC/DC转换等应用。产品符合AECQ101标准，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。
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FAM65V05DF1 ASPM 27系列组件组装指南应用说明
本文介绍了ASPM 27系列汽车级SPM模块的组装指南，包括热界面材料（TIM）的应用、散热器安装、焊接程序等。文章详细说明了两种组装方法，并提供了螺丝拧紧指南、焊接质量检查等内容。此外，还讨论了热性能、机械特性和电气隔离距离等关键参数。
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AN-9036飞兆半导体电源使用指南56
本文介绍了Fairchild Power56功率器件的安装指南，包括组件安装、板布局、通孔使用、焊接工艺、焊膏使用、焊接结束、铅终止、暴露的铜和焊料圆角等方面。文章强调了正确设计焊盘和电路板布局对于提高热性能的重要性，并提供了关于焊膏印刷、焊接过程和测试的建议。此外，还讨论了在原型和批量生产环境中使用Power56组件的技巧和注意事项。
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