Material Composition Declaration NTTFS5116PLTAG
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NTTFS5116PLTAG
本材料成分声明详细介绍了NTTFS5116PLTAG产品的物质合规情况，重点阐述了RoHS指令下限制物质的含量数据、材料成分及分布状态。资料中不仅列出了各成分的具体名称、CAS号、含量及单位，还提供了详细的RoHS豁免信息，确保产品符合环保法规要求。此外，该声明还涵盖了供应商认证、产品制造信息以及温度循环测试数据，为用户评估产品的可靠性与合规性提供了全面的参考依据。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试服务。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET-功率
Rev. 2
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTAG材料成分声明
2020-04-12
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTAG材料成分声明
2020-02-09
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTAG材料成分声明
2019-07-15
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTAG材料成分声明
2019-03-30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET-电源
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET–电源
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET–电源
Rev.2
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTTFS5116PLTAG
2017-12-05
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL：单通道P沟道功率MOSFET，-60V、-20a、52MΩ
5/20/2021
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL：单通道P沟道功率MOSFET，-60V、-20a、52MΩ
2/1/2020
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL：功率MOSFET-60V-20A 52 mOhm单P沟道u8FL逻辑电平
12/29/2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL：单P沟道功率MOSFET-60V，-20A，52mΩ产品概述
3/29/2019
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTWG材料成分声明
2020-04-12
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTWG材料成分声明
2019-07-15
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTWG材料成分声明
2019-03-30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL功率MOSFET数据手册
Rev. 2
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTTFS5116PLTWG
2018-01-17
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTTFS5116PLTWG
2017-12-05
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL功率MOSFET−60 V、−20 A、52 MΩ
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL功率MOSFET−60 V，−20 A，52 mΩ
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET–功率-60 V，-20 A，52 mΩ
Rev. 2
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ES1JFL表面贴装超快整流器数据表
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PN2222（传统飞兆半导体）通用晶体管产品概述
8/10/2019
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BD237 NPN外延硅双极型功率晶体管产品概述
8/10/2019
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MBR440MFST1G材料成分声明
2019-09-16
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
1SMA5930BT3G材料成分声明
2019-09-16
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
FSL136HR绿色模式电源开关
Rev. 2
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MT9V024IA7XTC-DP-E材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-08-14
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NGTG40N120FL2WG材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
AR1335HS2C11SMAA0-DRBR材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
74FST3257MNTWG材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
7WB3126MUTCG材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
CM1216-06MR材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MC74VHCT04ADTR2材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
74LCX541SJ材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MMBT6520LT3G材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NVMFD5485NLT1G材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MC10H600FNR2G材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NUP4004M5T1G材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
MC14020BFEL材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NIS5135MN1TXG-L701材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
SC431BVSNT1G材料成分声明
2019-09-10
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
NTTFS5116PL：功率MOSFET-60V-20A 52 mOhm单P沟道u8FL逻辑电平
NTTFS5116PL是一款60V、20A、52mΩ的单通道P沟道MOSFET，适用于负载开关、直流电机控制和DCDC转换等应用。该器件具有低RDS(on)、快速开关特性，且符合RoHS标准，无铅且无卤素。
阅读原文 >>
FAM65V05DF1 ASPM 27系列组件组装指南应用说明
本文介绍了ASPM 27系列汽车级SPM模块的组装指南，包括热界面材料（TIM）的应用、散热器安装、焊接程序等。文章详细说明了两种组装方法，并提供了螺丝拧紧指南、焊接质量检查等内容。此外，还讨论了热性能、机械特性和电气隔离距离等关键参数。
阅读原文 >>
AN-9036飞兆半导体电源使用指南56
本文介绍了Fairchild Power56功率器件的安装指南，包括组件安装、板布局、通孔使用、焊接工艺、焊膏使用、焊接结束、铅终止、暴露的铜和焊料圆角等方面。文章强调了正确设计焊盘和电路板布局对于提高热性能的重要性，并提供了关于焊膏印刷、焊接过程和测试的建议。此外，还讨论了在原型和批量生产环境中使用Power56组件的技巧和注意事项。
阅读原文 >>
