Material Composition Declaration FCPF165N65S3R0L
发布时间：
2018-07-25
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
FCPF165N65S3R0L
本资料为关于FCPF165N65S3R0L产品的物质成分声明，详细阐述了该器件在RoHS指令下的合规性情况。文件内容涵盖了产品中各类材料的详细成分与具体含量，明确列出了限制物质的浓度数据，以证明其符合相关环保指令要求。此外，该声明还提供了产品的制造地点、重量等物理属性信息，并附有制造商的联系方式，便于进行供应链追溯与质量核查。基于该资料所涉器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L功率MOSFET，N沟道
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L材料成分声明
2019-07-16
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| 测试报告 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L材料成分声明
2019-03-31
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| 评估板使用说明 - 英文 |
EVBUM2716/D 500 W，宽电源，NCP1618A驱动评估板用户手册
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L MOSFET–功率、N沟道、SUPERFET III、Easy Drive 650 v、19 a、165 MΩ
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FCPF165N65S3R0L
2018-01-21
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| 评估板使用说明 - 英文 |
NCP13992MM240WGEVB一体化电源评估板用户手册
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L MOSFET–功率、N沟道、SUPERFET III、Easy Drive
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，19 A，165 mΩ
1/18/2018
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、易驱动、650V、19 A、165mΩ、TO-220F
1/29/2020
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| 测试报告 - 英文 |
FCPF165N65S3L1材料成分声明
2019-08-18
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| 测试报告 - 英文 |
FCPF165N65S3L1材料成分声明
2019-03-07
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L N沟道SuperFET®III MOSFET 650伏，19安，165兆欧
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述FCPF165N65S3R0L:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，19 A，165 mΩ
1/16/2018
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L功率MOSFET产品概述
3/29/2019
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L功率MOSFET N沟道SUPERFET®III简易驱动器产品概述
7/12/2019
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3L1功率MOSFET，N沟道，SUPERFET III，易于驱动
Rev.3
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3L1：功率MOSFET、N沟道、SUPERFET®III、易驱动、650v、19 a、165 MΩ、TO-220F
9/28/2018
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
TQFP48 7x7/TQFP48J包装尺寸
ISSUE O
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| 数据手册 - 英文 |
ES1JFL表面贴装超快整流器数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
PN2222（传统飞兆半导体）通用晶体管产品概述
8/10/2019
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| 数据手册 - 英文 |
BD237 NPN外延硅双极型功率晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
MBR440MFST1G材料成分声明
2019-09-16
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| 测试报告 - 英文 |
1SMA5930BT3G材料成分声明
2019-09-16
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| 数据手册 - 英文 |
FSL136HR绿色模式电源开关
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
MT9V024IA7XTC-DP-E材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTJS3151PT1G材料成分声明
2019-08-14
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| 测试报告 - 英文 |
NGTG40N120FL2WG材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
AR1335HS2C11SMAA0-DRBR材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
74FST3257MNTWG材料成分声明
2019-09-10
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7WB3126MUTCG材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
CM1216-06MR材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC74VHCT04ADTR2材料成分声明
2019-09-10
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74LCX541SJ材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
MMBT6520LT3G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFD5485NLT1G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC10H600FNR2G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NUP4004M5T1G材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
MC14020BFEL材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
NIS5135MN1TXG-L701材料成分声明
2019-09-10
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| 测试报告 - 英文 |
SC431BVSNT1G材料成分声明
2019-09-10
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| 数据手册 - 英文 |
ISL9V3040D3ST-F085C IGBT，N通道点火，DPAK，17A，1.58V，300mJ EcoSPARK®I产品概述
:8/10/2019
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应用/方案
500 W、宽电源、NCP1618a驱动评估板用户手册
本资料介绍了EVBUM2716/D500 W宽输入电压PFC评估板的用户手册。该评估板采用NCP1618A多模式功率因数控制器，能够在不同的负载条件下优化效率。资料详细描述了评估板的电气规格、应用电路图、控制电路、软SKIP测试电路、典型波形、性能表现、启动序列、典型行为和波形、线电压下降测试、保持时间测试以及物料清单。资料还提供了相关的数据表和应用笔记链接。
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消费电子解决方案手册：安森美半导体为家庭娱乐和信息、小型电器和白色家电提供全面的解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C接口元器件领域的解决方案，包括为移动电源、AC-DC适配器、壁式插座、坞站、主动线缆、蓝牙低功耗无线电SoC、IEEE 802.15.4无线收发器、Sigfox解决方案、低功耗无线电解决方案、KNX收发器、PoE控制器、图像传感器、视频信号放大器、自动对焦驱动器、光学图像稳定驱动器和电容式触摸传感器等。这些解决方案旨在提供高效、可靠和灵活的接口解决方案，以满足各种消费电子产品的需求。
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白色家电解决方案
该资料由ON Semiconductor提供，主要介绍了其在白色家电领域的完整解决方案。内容涵盖电源供应、逆变器驱动、系统控制、用户界面和智能家电等功能。资料详细介绍了多种元器件，包括传感器、驱动器、微控制器、电源管理组件等，并提供了相关产品的技术规格和应用图。此外，还涉及了无刷直流电机控制、步进电机驱动器、中高压功率MOSFET、高压功率MOSFET、智能功率模块（IPM）和离散IGBT等关键技术和产品。
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FAM65V05DF1 ASPM 27系列组件组装指南应用说明
本文介绍了ASPM 27系列汽车级SPM模块的组装指南，包括热界面材料（TIM）的应用、散热器安装、焊接程序等。文章详细说明了两种组装方法，并提供了螺丝拧紧指南、焊接质量检查等内容。此外，还讨论了热性能、机械特性和电气隔离距离等关键参数。
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AN-9036飞兆半导体电源使用指南56
本文介绍了Fairchild Power56功率器件的安装指南，包括组件安装、板布局、通孔使用、焊接工艺、焊膏使用、焊接结束、铅终止、暴露的铜和焊料圆角等方面。文章强调了正确设计焊盘和电路板布局对于提高热性能的重要性，并提供了关于焊膏印刷、焊接过程和测试的建议。此外，还讨论了在原型和批量生产环境中使用Power56组件的技巧和注意事项。
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