APT10M09B2VFR APT10M09LVFR 100V 100A 0.009Ω POWER MOS V® FREDFET
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
APT
型号：
APT10M09B2VFR; APT10M09LVFR; APT10M09B2VFR_LVFR
加工定制
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APT10M19BVFR APT10M19SVFR 100V 75A 0.019Ω功率MOS V®FREDFET
Rev B
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900V APT15GP90BDQ1 APT15GP90BDQ1G*
REV A
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600V APT12GT60BR APT12GT60BRG*
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APT10078BFLL APT10078SFLL 1000V 14A 0.780Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev D
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APT1001RBVFR APT1001RSVFR 1000V 11A 1.00Ω
Rev.C
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APT10078BLL APT10078SLL 1000V 14A 0.780Ω
Rev.C
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600V APT100GN60B2 APT100GN60B2G*
REV.A
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600V APT100GN60LDQ4 APT100GN60LDQ4G*
Rev.A
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APT10035B2LL（G）APT10035LLL（G）
Rev C
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APT10050B2VFR APT10050LVFR 1000V 21A 0.500Ω
REV.C
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APT1003RBFLL APT1003RSFLL 1000V 4A 3.00Ω
REV.A
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APT1201R5BVFR APT1201R5SVFR 1200V 10A 1.500Ω
REV.A
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APT1003RBLL APT1003RSLL 1000V 4A 3.00Ω
Rev.A
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APT1201R6BVFR APT1201R6SVFR 1200V 8A 1.600Ω
Rev.A
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APT10045B2LL（G）APT10045LLL（G）
Rev C
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APT12057B2FLL APT12057LFLL
Rev C
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1200V APT13GP120BDQ1 APT13GP120BDQ1G*
REV B
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APT12060B2VFR APT12060LVFR 1200V 20A 0.600Ω
REV A
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APT12067B2FLL APT12067LFLL 1200V 18A 0.670Ω
REV B
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APT10M07JVFR 100V 225A 0.007Ω功率MOS V®
Rev A
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APT10M19SVR 100V 75A 0.019Ω功率MOS V®
Rev C
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APT10M19BVR 100V 75A 0.019Ω
Rev C
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APT10M11JVFR 100V 144A 0.011Ω功率MOS V®
Rev A
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APT10M25BVR 100V 75A 0.025Ω功率MOS V®
Rev A
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600V APT150GN60J
REV A
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APT1001RBVR 1000V 11A 1.000Ω
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APT12080JVFR 1200V 15A 0.800Ω
REV A
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600V APT150GN60JDQ4
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APT12045L2VFR 1200V 28A 0.450Ω
REV A
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APT10086BVFR 1000V 13A 0.860Ω功率MOS V®
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APT10086BVR 1000V 13A 0.860Ω
2017/11/29
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APT10050LVR 1000V 21A 0.500Ω
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1200V APT150GN120J
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APT10025JVR 1000V 34A 0.250Ω
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APT1001RSVR 1000V 11A 1.000Ω
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APT10026JLL 1000V 30A 0.260Ω
REV.A
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APT12040L2FLL 1200V 30A 0.400Ω
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APT12057JFLL 1200V 19A 0.570Ω
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APT10026L2LL 1000V 38A 0.260Ω
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APT10050JVFR 1000V 19A 0.500Ω
Rev.B
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APT10021JFLL 1000V 37A 0.210Ω
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APT10021JLL 1000V 37A 0.210Ω
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世强AI
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应用/方案
220V/65A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs VM2002 is Suit for 1.8V Gate Drive Applications
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors VM2002 are using trench DMOS technology. This advanced technology has been specially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
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【产品】漏源电压为20V的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，采用高密度单元模块设计，提供超低漏源导通电阻
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)特性并具有低栅极电荷特征，器件适用于各种应用领域，诸如电源开关应用，硬件开关和高频电路以及不间断电源(UPS)等。
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【产品】低栅电荷的N沟道增强型功率MOSFET FIR10N60FG，静态漏源导通电阻典型值0.68Ω
FIR10N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-Cell™结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。
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【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，采用沟槽式DMOS技术，具有快速开关特性
群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
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【应用】N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q可用于电源板，脉冲漏极电流极限值高达54A
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q具有宽工作温度范围，宽电压特性，高脉冲漏极电流，以及低漏源导通电阻，可以提高电源板的可靠性，降低电源板的功耗，降低电源板的尺寸以及成本。
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【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET SW120R45VT，基于SAMWIN技术生产，导通电阻低
SW120R45VT是芯派科技推出的一款采用SOP8封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件基于先进的SAMWIN技术生产，具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
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【产品】N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装，漏源击穿电压40V
威兆半导体推出N沟道增强型功率MOSFET VS4603DM6，采用TO-263-6L封装。在TA=25℃，漏源击穿电压为40V，具有切换快，效率高的特性。符合无卤素和RoHS标准。
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【产品】正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A，栅极电荷低，用于负载开关等领域
正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷，具有高功率和电流处理能力，该产品适合用于负载开关、电源管理、PWM应用。
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