APT10M09B2VFR APT10M09LVFR 100V 100A 0.009Ω POWER MOS V® FREDFET

知识图谱

发布时间： 2018-07-30 品牌： APT 资料类型：数据手册语言：英文

●Power MOS V®是新一代高压N通道增强型功率MOSFET。这项新技术最大限度地降低了JFET效应，增加了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V®还通过优化栅极布局实现更快的开关速度。

■T-MAX公司™ 或TO-264包
■雪崩额定能量
■更快的切换
■更低的泄漏

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APT10M19BVFR APT10M19SVFR 100V 75A 0.019Ω功率MOS V®FREDFET

6-2004 - 数据手册

APT - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETS,N沟道增强型功率MOSFET,APT10M19SVFR,APT10M19BVFR_SVFR,APT10M19BVFR

900V APT15GP90BDQ1 APT15GP90BDQ1G*

2-2006 - 数据手册

APT - 高压功率IGBT,HIGH VOLTAGE POWER IGBTS,APT15GP90BDQ1,APT15GP90BDQ1G*,APT15GP90BDQ1(G)

600V APT12GT60BR APT12GT60BRG*

12-2005 - 数据手册

APT - 高压功率IGBT,HIGH VOLTAGE POWER IGBTS,APT12GT60BR(G),APT12GT60BR,APT12GT60BRG*

APT10078BFLL APT10078SFLL 1000V 14A 0.780Ω功率MOS 7 R FREDFET

4-2006 - 数据手册

APT - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETS,N沟道增强型功率MOSFET,APT10078BFLL,APT10078SFLL,APT10078BFLL_SFLL

APT10078BLL APT10078SLL 1000V 14A 0.780Ω

4-2004 - 数据手册

APT - MOSFET,低损耗高压N沟道增强型功率MOSFET,LOW LOSS HIGH VOLTAGE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETS,APT10078BLL,APT10078SLL,APT10078BLL_SLL

APT1001RBVFR APT1001RSVFR 1000V 11A 1.00Ω

5-2004 - 数据手册

APT - HIGH VOLTAGE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETS,高压N沟道增强型功率MOSFET,APT1001RBVFR_SVFR,APT1001RBVFR,APT1001RSVFR

600V APT100GN60B2 APT100GN60B2G*

10-2005 - 数据手册

APT - IGBT,APT100GN60B2,APT100GN60B2(G),APT100GN60B2G*,MOTOR DRIVES,感应加热,电机驱动,WELDING,SOLAR INVERTERS,焊接,开关模式电源,不间断电源,UPS,太阳能逆变器,SMPS,INDUCTIVE HEATING

600V APT100GN60LDQ4 APT100GN60LDQ4G*

10-2005 - 数据手册

APT - IGBT,APT100GN60LDQ4(G),APT100GN60LDQ4G*,APT100GN60LDQ4,MOTOR DRIVES,感应加热,电机驱动,WELDING,SOLAR INVERTERS,焊接,开关模式电源,不间断电源,UPS,太阳能逆变器,SMPS,INDUCTIVE HEATING

APT10050B2VFR APT10050LVFR 1000V 21A 0.500Ω

11-2004 - 数据手册

APT - HIGH VOLTAGE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETS,高压N沟道增强型功率MOSFET,APT10050B2VFR,APT10050B2VFR_LVFR,APT10050LVFR

APT1003RBFLL APT1003RSFLL 1000V 4A 3.00Ω

1-2004 - 数据手册

APT - 低损耗高压N沟道增强型功率MOSFET,LOW LOSS HIGH VOLTAGE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETS,APT1003RBFLL_SFLL,APT1003RSFLL,APT1003RBFLL

APT1201R5BVFR APT1201R5SVFR 1200V 10A 1.500Ω

3-2004 - 数据手册

APT - HIGH VOLTAGE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETS,高压N沟道增强型功率MOSFET,APT1201R5SVFR,APT1201R5BVFR_SVFR,APT1201R5BVFR

APT1003RBLL APT1003RSLL 1000V 4A 3.00Ω

1-2004 - 数据手册

APT - MOSFET,低损耗高压N沟道增强型功率MOSFET,LOW LOSS HIGH VOLTAGE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETS,APT1003RSLL,APT1003RBLL_SLL,APT1003RBLL

中微爱芯MOSFET驱动器选型表

选型表 - 中微爱芯中微爱芯提供全系列MOSFET驱动器选型。‌核心可选参数‌：工作电压覆盖4.5V-24V多档位，输入输出相位支持反相、同相、同&反相、三相低侧同相多类型，高低电平峰值短路电流覆盖0.3A-9A区间，输出阻抗最低可达1.4Ω，上升/下降时间低至10ns，延迟时间最短20ns，最大负载驱动能力支持10000pF，适配常规款及车规级-40℃~125℃宽温工作需求。可选封装‌：包含SOT23-5/6、SOP8、SOP14、DIE等多类，适配不同功率场景的MOS管驱动选型需求。

产品型号	品类	工作电压Supply Voltage(V)	输入与输出相位关系Input-Output Phase Relation	输出高电平峰值短路电流Output High-level Peak Short Circuit Current(A)	输出低电平峰值短路电流Output Low-level Peak Short Circuit Current(A)	输出阻抗Output Impedance(Ω)	上升和下降时间 Rise and Fall Times(ns)	延迟时间Delay Time(ns)	负载驱动能力Load Drive Capability(pF)	工作温度Operating Temperature (℃)	封装Package
AiP4415	MOSFET	4.5V ~ 18V	反相	1.5	1.5	2	10	20	1000	-40℃~85℃	SOT23-5

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220V/65A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs VM2002 is Suit for 1.8V Gate Drive Applications

2023-11-12 - 产品 These N-Channel enhancement mode power field effect transistors VM2002 are using trench DMOS technology. This advanced technology has been specially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.

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