APT12045L2VFR 1200V 28A 0.450Ω
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
APT
型号：
APT12045L2VFR
加工定制
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务，与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接，将IC设计高度抽象化，并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线，自动生成代码。点击预约，支持到场/视频直播使用，资深专家全程指导。
立即提交 EDA芯片设计软件免费使用 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
600V APT12GT60BR APT12GT60BRG*
REV E
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT1201R5BVFR APT1201R5SVFR 1200V 10A 1.500Ω
REV.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT12060B2VFR APT12060LVFR 1200V 20A 0.600Ω
REV A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT12057B2FLL APT12057LFLL
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT1201R6BVFR APT1201R6SVFR 1200V 8A 1.600Ω
Rev.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT12067B2FLL APT12067LFLL 1200V 18A 0.670Ω
REV B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT12080JVFR 1200V 15A 0.800Ω
REV A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT12067JFLL 1200V 17A 0.670Ω
REV B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT12040L2FLL 1200V 30A 0.400Ω
REV.B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT12057JFLL 1200V 19A 0.570Ω
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10M19BVFR APT10M19SVFR 100V 75A 0.019Ω功率MOS V®FREDFET
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10M09B2VFR APT10M09LVFR 100V 100A 0.009Ω功率MOS V®FREDFET
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
900V APT15GP90BDQ1 APT15GP90BDQ1G*
REV A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10078BFLL APT10078SFLL 1000V 14A 0.780Ω功率MOS 7 R FREDFET
Rev D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT1001RBVFR APT1001RSVFR 1000V 11A 1.00Ω
Rev.C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10078BLL APT10078SLL 1000V 14A 0.780Ω
Rev.C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
600V APT100GN60B2 APT100GN60B2G*
REV.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
600V APT100GN60LDQ4 APT100GN60LDQ4G*
Rev.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10035B2LL（G）APT10035LLL（G）
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10050B2VFR APT10050LVFR 1000V 21A 0.500Ω
REV.C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT1003RBFLL APT1003RSFLL 1000V 4A 3.00Ω
REV.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10045B2LL（G）APT10045LLL（G）
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT1003RBLL APT1003RSLL 1000V 4A 3.00Ω
Rev.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1200V APT13GP120BDQ1 APT13GP120BDQ1G*
REV B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10M07JVFR 100V 225A 0.007Ω功率MOS V®
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10M19SVR 100V 75A 0.019Ω功率MOS V®
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10M19BVR 100V 75A 0.019Ω
Rev C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10M11JVFR 100V 144A 0.011Ω功率MOS V®
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10M25BVR 100V 75A 0.025Ω功率MOS V®
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
600V APT150GN60J
REV A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT1001RBVR 1000V 11A 1.000Ω
REV C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
600V APT150GN60JDQ4
REV A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10086BVFR 1000V 13A 0.860Ω功率MOS V®
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10086BVR 1000V 13A 0.860Ω
2017/11/29
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10050LVR 1000V 21A 0.500Ω
Rev.B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1200V APT150GN120J
REV B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10025JVR 1000V 34A 0.250Ω
Rev.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT1001RSVR 1000V 11A 1.000Ω
REV.B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10050JVFR 1000V 19A 0.500Ω
Rev.B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10026JLL 1000V 30A 0.260Ω
REV.A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10026L2LL 1000V 38A 0.260Ω
REV.B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT10021JFLL 1000V 37A 0.210Ω
Rev.C
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
【产品】N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SL18N50F，漏源电压500V，导通电阻仅0.32Ω
SLKOR推出的SL18N50F是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的高压N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用，如电源管理、电机驱动和开关模块等。其TO-220F封装，也使其在PCB设计中具有良好的散热性能，从而保证器件的高可靠性。
阅读原文 >>
【产品】1200V/55A的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET S2M0040120K，具有正温度特性
S2M0040120K是SMC推出的一款采用TO-247-4封装的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET。该器件在极端温度下具有非常低的总导通损耗和非常稳定的开关特性，在具有挑战性的环境下，对于能源敏感型应用和高频应用来讲是理想之选。
阅读原文 >>
【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR12N60FG，漏源电压最大额定值600V
FIR12N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-CellTM结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。
阅读原文 >>
【产品】栅源电压±30V的N沟道增强型高压功率MOSFET-MX7N65，栅极电荷低，适用于开关电源等产品
无锡明芯微推出的MX7N65N沟道增强型高压功率MOSFET，具有低栅极电荷，高雪崩耐量以及较强dv/dt能力等特性。该产品漏源电压为650V，栅源电压±30V，最大脉冲电流为28A。其应用广泛，适用于开关电源、电子变压器、电子镇流器以及其他高压转换产品。
阅读原文 >>
【产品】极低开关损耗的增强型N沟道功率MOSFET SROSG80R380FF，低RDS值为380mΩ
萨瑞微电子推出一款增强型N沟道功率MOSFET SROSG80R380FF，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷，最大限度地减少传导损耗，同时能提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。
阅读原文 >>
【产品】1700V的N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，采用TO-247-3封装
派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，符合RoHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，工作结温范围为-55℃ 至 +200 ℃，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。
阅读原文 >>
【产品】600V N沟道增强型功率MOSFET BSS127，采用SOT-23封装
丽正国际推出的BSS127是新一代N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面技术，可提供出色的高压特性和快速开关特性，使其非常适合小信号和电平转换应用。在环境温度为 25°C时，BSS127可以承受的漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±20V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为0.021A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为250℃/W。
阅读原文 >>
军品级N沟道增强型SiC MOSFET，采用C2M MOSFET技术
Wolfspeed（原CREE）推出的CPM2-1200-0040B系列碳化硅MOSFET，N通道增强模式，采用C2M 碳化硅功率场效应晶体管技术，具有高阻断电压、低导通电阻、低电容的特点，易于并联或单驱动，具有较高的系统效率和功率密度，较低的冷却需求，支持高速转换，非常适用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压直流/直流转换器、马达驱动器、脉冲电源等应用领域。
阅读原文 >>
