2N3866 / 2N3866 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSIST
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
2N3866
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
2N3866（A）UB NPN硅高频晶体管符合MIL-PRF-19500/398标准
Rev. 1
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2N3866/2N3866A射频和微波分立低功耗晶体管
January 2009
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符合MIL-PRF-19500/398 2N3866（a）标准的NPN硅高频晶体管
Rev.2
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MRF3866，R1，R2 MRF3866G，R1，R2 RF和微波分立低功率晶体管
Rev A
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符合MIL-PRF-19500/343 2n2857UB标准的RF和微波分立低功率晶体管
Rev.1
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MRF545射频和微波分立低功率晶体管
2018/01/19
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MRF544射频和微波分立低功率晶体管
2018/01/19
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MRF914射频和微波分立低功率晶体管
2018/01/19
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射频和微波分立低功率晶体管MRF4427，R1，R2
4-24-03
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NPN硅低功率晶体管2N2484UA技术数据表
Rev. 1
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MRF837 MRF837G射频和微波分立低功率晶体管
Rev A
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MRF559和MRF559G射频和微波分立低功率晶体管
Rev A
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MRF555射频和微波分立小功率晶体管
10-25-99
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MRF557 MRF557G射频和微波分立低功率晶体管
Rev A
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MRF517射频和微波分立小功率晶体管
2018/01/19
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2N3867 2N3867S 2N3868 2N3868S PNP硅低功率晶体管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PNP硅低功率晶体管2N2604技术数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
PNP硅低功率晶体管2N3250A技术数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
2N3019低功率NPN硅晶体管
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
2N2857号
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NPN低功率硅晶体管2N918技术数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
2N3439UA至2N3440UA NPN低功率硅晶体管符合MIL-PRF-19500/368标准
Rev. 1 (111683)
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/253标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/182标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
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| 数据手册 - 英文 |
抗辐射NPN低功率硅晶体管2N3439技术数据表
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/391标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/391标准的抗辐射低功率NPN硅晶体管
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
符合MIL-PRF-19500/181标准的NPN低功率硅晶体管
2017/12/24
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
Libero SoC V12.5 SP1编程和调试工具发行说明
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
振荡器，晶体控制，1型（晶体振荡器（XO）），1.0兆赫至60.0兆赫，密封，方波，TTL性能规范表
24 February 2005
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| 测试报告 - 英文 |
Microsemi S600 SyncServer、S650 SyncServer原产地证书
20 March 2018
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| 测试报告 - 英文 |
S80 SyncServer原产地证书
22 March 2018
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| 测试报告 - 英文 |
18T-RTAX2000S-CQ352-DCWA41总电离剂量试验报告
rev 0
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| 测试报告 - 英文 |
18T-RTAX2000S-CQ352-DAHWT1总电离剂量试验报告
February 8, 2018
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| 测试报告 - 英文 |
RT4G150总电离剂量试验报告
REV1
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| 测试报告 - 英文 |
RT4G150总电离剂量试验报告
November 4th, 2016
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| 测试报告 - 英文 |
18T-RT4G150-LG1657-K6241总电离剂量试验报告
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
18T-RT4G150-LG1657-K418A总电离剂量试验报告
January 26, 2018
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| 测试报告 - 英文 |
RTG4 PLL见测试结果
July 31, 2018
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
SPI DirectC v2.1和DirectC v4.1发行说明
October 2013
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| 电路原理图 - 英文 |
Freedom U540SoC示意图
Revision A
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| 技术文档 - 英文 |
第6期FPGA和SoC技术
Issue 6
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世强AI
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应用/方案
【产品】185V/50mA、采用TO-39封装的硅NPN型晶体管BF178，工作和存储结温均为-65℃至+200℃
Central Semi (美国中央半导体公司)是作为世界顶级分立半导体制作商。该公司推出的BF178硅NPN型晶体管，利用外延平面工艺制造，TO-39封装，采用环氧树脂模包装于表面安装包中，专为通用放大器应用而设计。
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【产品】一款适用于通用开关和放大器的硅NPN型晶体管
Central推出的BCW65、BCW66系列硅NPN型晶体管，由外延平面工艺制造，采用环氧树脂模塑包装于表面安装包中。集电极连续电流为800mA，集电极-发射极电压分别为32V、45V。产品各方面性能优势突出，可广泛使用于通用开关和放大器等应用领域。
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Microsemi的以太网供电（PoE）中跨注入器帮助客户满足新兴的无线网络需求客户案例研究
Microsemi的PoE中继器助力客户满足不断增长的无线网络需求。Dustin公司帮助其客户在多个校园内部署无线网络，采用Microsemi的6500和9000系列中继器，实现180个位置的无线网络覆盖，显著提高无线性能，同时降低安装和配置时间，使网络基础设施的回报率超过8年。
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RT PolarFire®FPGA编程用户指南
本资料详细介绍了RT PolarFire® FPGA的编程方法和流程。资料涵盖了编程接口、编程模式、位流生成、系统控制器挂起模式、编程时间、编程模式（JTAG、SPI从、SPI主）以及飞行中重编程等内容。资料还提供了编程文件大小、错误代码、修订历史等信息，旨在帮助用户了解和掌握RT PolarFire® FPGA的编程技术。
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用于安全关键应用的PolarFire FPGA应用笔记
本资料介绍了Microsemi公司PolarFire FPGA在安全关键应用中的特性。内容包括：FPGA配置单元的可靠性、单事件效应免疫性、配置单元的“即时启动”和“单芯片”特性、嵌入式块RAM的错误检测和纠正能力、内置自检机制、未使用硬IP块的钝化和监控等。此外，还涉及DO-254和IEC 61508标准的相关内容。
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SmartFusion2 SoC和iGLOO2 FPGA系统控制器用户指南
本资料为Microsemi公司关于SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA系统控制器的用户指南。内容涵盖系统控制器功能描述、子系统与接口介绍、系统服务功能及使用方法等。资料详细阐述了系统控制器的架构、工作原理以及如何利用系统服务进行设备编程和系统服务请求处理。
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PolarFire FPGA板设计用户指南
本资料为Microsemi公司发布的PolarFire FPGA板级设计用户指南，旨在为熟悉PolarFire设备、具备数字板级设计经验和了解系统电气特性的读者提供指导。指南涵盖了电源、高速接口、控制接口以及PolarFire FPGA的关联外围组件。内容涉及电源供应、去耦电容、用户I/O、时钟、复位、设备编程、收发器、AC和DC耦合、掉电检测等方面，并提供了设计检查表和布局设计实践指南。
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Synchronous Ethernet (SyncE) Products 产品介绍
Microsemi公司提供同步以太网（SyncE）产品，包括独立SyncE和结合SyncE与IEEE 1588的解决方案，适用于需要频率同步的包网络。产品符合ITU-T G.8262标准，具有超低抖动特性，适用于核心路由器、边缘路由器、宽带设备和无线回程等应用。产品特点包括低带宽环路滤波器、无中断参考切换、高精度保持准确性等。Microsemi的SyncE产品包括定时卡和线路卡，支持高达100 Gbps的接口，并提供多种频率转换和抖动衰减功能。
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