MM3Z5518 thru MM3Z5546 LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODE
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
MM3Z5518; MM3Z5546; MM3Z545; MM3Z5519; MM3Z5520; MM3Z5521; MM3Z5522; MM3Z5523; MM3Z5524; MM3Z5525; MM3Z5526; MM3Z5527; MM3Z5528; MM3Z5529; MM3Z5530; MM3Z5531; MM3Z5532; MM3Z5533; MM3Z5534; MM3Z5535; MM3Z5536; MM3Z5537; MM3Z5538; MM3Z5539; MM3Z5540; MM3Z5541; MM3Z5542; MM3Z5543; MM3Z5544
加工定制
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资料平台
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1N5518B至1N5546B-1 DO-35低压雪崩500 mW齐纳二极管DO-35
REV B
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| 技术文档 - 英文 |
低压雪崩500mw齐纳二极管
Rev 2
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低压雪崩齐纳二极管
Rev. 1
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低压雪崩500 mW齐纳二极管DO-35符合MIL-PRF-19500437
Rev 1
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低压表面贴装500 mW雪崩二极管In5518BUR-1至1n5546BUR-1（或MLL5518B-1至MLL546B-1）
Rev.B
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低压表面贴装500 mW雪崩二极管In5518BUR-1至1n5546BUR-1（或MLL5518B-1至MLL5546B-1）
Rev.B
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低压表面贴装500 mW雪崩二极管1n5518BUR至1n5546BUR（或MLL5518B至MLL5546B）
Rev.A
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双共源极Trench+场截止IGBT®电源模块APTGT150Du170G
Rev 1
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双升压斩波器沟槽式+场截止IGBt®功率模块APtGt20DDA60t3G
Rev 1
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非对称-桥沟+场截止IGBT®功率模块APTGT75DH60TG
Rev 1
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双升压斩波器沟槽式+场截止IGBt®功率模块APtGt30DDA60t3G
Rev 1
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降压斩波器沟槽式+场截止IGBT®电源模块APTGT200SK60TG
Rev 1
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全桥沟槽式+场截止IgBT®功率模块APTgT30h60T3g
Rev 1
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TimeProvider®5000 IEEE 1588-2008 PTP主时钟
8/20
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ZL30282 6输出PCIe时钟发生器数据表
September 2020
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ZL30237双通道通用NCO时钟发生器
2021/06/04
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| 数据手册 - 英文 |
TimePictra®软件套件：下一代同步管理系统
8/20
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| 数据手册 - 英文 |
MSC2x31/30SDA070J双通道碳化硅肖特基势垒二极管
Revision A
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GPS-2700 10 MHz GNSS受控振荡器，具有芯片级原子钟（CSAC）
Rev D
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MSCSM70AM10CT3AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
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MSC035SMA170S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
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MSC750SMA170S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
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MSCSM70AM19CT1AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
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MSCSM70VM10C4AG Vienna整流器相脚SiC电源模块规格书
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PD-9601GC中跨1端口，IEEE 802.3bt 90W PoE中跨
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PD-9606GC/9612GC/9624GC中跨90W/端口千兆位中跨系列，适用于高功率供电设备
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| 数据手册 - 英文 |
PD69204T4和PD69200规格书4端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 6.0
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| 数据手册 - 英文 |
双输出超低附加相位噪声PCIe Gen 1至5，以及UPI/QPIFanut缓冲数据表
June 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PD69208T4和PD69210数据表8端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 3.0
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| 数据手册 - 英文 |
PD69208T4和PD69200数据表8端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 6.0
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带SiC功率级的MAIPDMC40X120A混合动力驱动器数据表
Revision 1.2
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MSC030SDA070S零恢复碳化硅肖特基二极管
Revision A
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| 测试报告 - 英文 |
加固安全的网络时间服务器波动性证书
26 April 2018
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| 数据手册 - 英文 |
Unison RTOS 4.1版软件数据表
4.1
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| 数据手册 - 英文 |
MM-APP-0002 Microsemi微波单片集成电路质量保证
2017/11/15
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1.65MHz 3A同步降压变换器生产数据表
Rev. 1.1a
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101275C FB317.7-3 317.7 MHz带通滤波器3 MHz带宽
2017/11/26
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101274C FB326.7-3 326.7 MHz带通滤波器3 MHz带宽
2017/11/26
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100996C FB29.75-6 6兆赫带宽29.75兆赫带通滤波器
2017/11/26
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100635C FB70-.215 70 MHz带通滤波器0.215 MHz带宽
2017/11/26
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101087C FB240-6.66 6.66 MHz带宽240 MHz带通滤波器
2017/11/26
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101306C FB70-1.6667 70 MHz带通滤波器1.667 MHz带宽
2017/11/26
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世强AI
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应用/方案
ESD保护二极管的雪崩击穿与齐纳击穿在物理机制上差异？
文章解析雪崩与齐纳击穿机制差异，指出雪崩击穿因高电压、大电流特性成为ESD二极管主流技术，通过掺杂浓度、结面积等设计控制击穿类型，实现快速响应与高效泄放；齐纳击穿多用于低电压稳压，在ESD防护中辅助应用。
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TVS Diode Selection Tips
TVS diodes are electronic components used to protect sensitive electronic devices from high voltage transients. They can handle overvoltages faster than most other types of circuit protection devices. In the following, Lu Jing Semiconductors introduces several transient suppression diode selection techniques:1, TVS diode rated reverse turn-off VWM should be greater than or equal to the maximum operating voltage of the circuit being protected. If the selected VWM is too low, the device may enter an avalanche or the reverse leakage current will affect the normal operation of the circuit.
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【产品】可天士无铅高速型雪崩光电二极管APS01228D，检测波长达800nm，用于光电/激光测距传感器
KODENSHI的APS01228D高速型雪崩光电二极管，具有低电压、高速应答、金属封装等特点，检测波长达800nm，工作温度范围宽至-20~85（Ta=25℃）且无结露情况，暗电流最大值为2nA。
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使用散聚DMA控制器的RTG4 FPGA PCIe数据平面演示
本资料介绍了Microsemi公司RTG4 FPGA PCIe数据平面演示，使用Scatter-Gather DMA控制器实现高速数据传输。资料详细描述了设计要求、前提条件、演示设计、设置演示设计、运行设计等步骤，包括硬件设置、编程、连接、驱动程序安装、应用程序安装和运行。此外，还提供了DMA传输流程图、性能计算方法和附录，包括编程设备、运行TCL脚本和演示寄存器及缓冲区描述符的详细信息。
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PolarFire FPGA：利用用户密码处理器实现数据安全
本资料介绍了如何使用Microsemi的PolarFire FPGA中的用户加密处理器（User Cryptoprocessor）实现数据安全。资料详细描述了用户加密处理器的功能、设计要求、硬件和软件实现方法，包括时钟结构、IP核使用、内存映射和软件配置。此外，还提供了如何编程PolarFire设备和SPI闪存的指南，以及如何运行演示和示例项目。
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SMD Rectifier Diode with Repetitive Reverse Voltage Range 200~600 V and Reverse Recovery Time＜75ns
Diotec‘s BYG20 is an Ultrafast Avalanche SMD rectifier diode in SMA Package having repetitive reverse voltage of 200V until 600V and average forward current rating of 1.5A. Having non-repetitive peak reverse avalanche capability of up to 20mJ and a very low reverse recovery time of less than 75ns, these devices are well suited for high-side floating gate driver circuits, as a bootstrap diode.
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Libero®SoC v2021.2 RTG4™FCCC（带增强型PLL校准）配置器用户指南
本指南介绍了RTG4™ FCCC with Enhanced PLL Calibration Configurator，该配置器允许配置两个CCC（CCC_0和CCC_1）。它描述了如何进行校准，包括在启动或PLL重置时进行的校准，以确保PLL锁定在正常操作期间稳定。指南还涵盖了配置选项，包括基本配置、高级配置和PLL选项，以及如何设置输出时钟、PLL参考时钟源和频率。此外，它还提供了关于动态配置、PLL选项、端口描述和修订历史的信息。
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产品概述MBRS540：肖特基功率整流器，表面贴装，5.0 A，40 V
MBRS540是一款采用肖特基势垒原理的表面贴装功率整流器，具有5.0A电流和40V电压等级。该产品采用先进的金属-硅功率二极管结构，具有氧化物钝化和金属覆盖接触。适用于低电压、高频整流或表面贴装应用中的自由轮换和极性保护二极管。产品特点包括紧凑的表面贴装封装、矩形封装便于自动化处理、高稳定性氧化物钝化结、优异的承受反向雪崩能量瞬变能力、应力保护环、极性凹口指示阴极引脚等。适用于AC/DC和DC/DC转换器、反向电池保护等应用。
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