MSC030SDA070S Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
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代理服务
●Microsemi的碳化硅（SiC）功率肖特基势垒二极管（SBD）产品线比硅二极管解决方案提高了性能，同时降低了高压应用的总体拥有成本。MSC030SDA070S是一个700 V、30 a的SiC SBD，位于TO-268封装中，如下所示。
●特征：
■以下是MSC030SDA070S设备的主要功能：
▲无反向恢复
▲低正向电压
▲低泄漏电流
▲额定雪崩能量
▲符合RoHS
●优点：
■以下是MSC030SDA070S设备的优点：
▲高开关频率
▲低开关损耗
▲低噪声（EMI）开关
▲高可靠性系统
▲系统功率密度增加
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选型表 - 东微半导体 东微半导体提供SiC MOSFET选型，电压等级650V-1700V，电流Id@25°C范围7A-176A，导通电阻Rds(on)范围10Ω-550Ω，阈值电压Vgs(th)范围2.5V-3.8V，栅极电阻Rg范围1.5Ω-23.2Ω。系列包含H4T4F、H2T2F、KT2F、QT2F、LT2F、T4NF等多种后缀版本，提供不同导通电阻与开关性能组合，适用于高压电源转换、光伏逆变器、电动汽车充电桩及工业电机驱动等高效能应用场景，满足系统对低损耗与高可靠性的选型需求。
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产品型号
|
品类
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BVds
|
Id @25℃
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Vgs(th) TYP
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Rds(on) /mohm TYP
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Rds(on) /mohm Max
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Rg
|
Grade
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|
OSQ65R010H4T4F_NL
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SiC MOSFET
|
650V
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176A
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2.8V
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10Ω
|
13Ω
|
2.3Ω
|
Industrial
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